公开(公告)号：US5912053A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：US819557

申请日：1997-03-14

申请人： James M. Puiia ,  Chow Ling Chang

发明人： James M. Puiia ,  Chow Ling Chang

IPC分类号： B23B27/14 ,  B23P15/28 ,  C23C16/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  C30B29/04

CPC分类号： C23C16/274 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/27 ,  Y10S427/106 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/30

摘要： At least the surface region of a cutting tool substrate made of tungsten carbide in a cobalt matrix is carburized to chemically passivate the cobalt prior to deposition of diamond film on it. The passivation improves adhesion by preventing reaction of the cobalt with the diamond in the course of the deposition process.

摘要翻译： 在钴基体中由碳化钨制成的切削工具基板的至少表面区域被渗碳以在沉积金刚石膜之前化学钝化钴。 该钝化通过在沉积过程中防止钴与金刚石反应来提高粘合性。

公开(公告)号：US5674620A

公开(公告)日：1997-10-07

申请号：US449831

申请日：1995-05-24

申请人： James M. Puiia ,  Chow Ling Chang

发明人： James M. Puiia ,  Chow Ling Chang

IPC分类号： B23B27/14 ,  B23P15/28 ,  C23C16/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  C30B29/04 ,  C04B41/06

CPC分类号： C23C16/274 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/27 ,  Y10S427/106 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/30

摘要： At least the surface region of a cutting tool substrate made of tungsten carbide in a cobalt matrix is carburized to chemically passivate the cobalt prior to deposition of diamond film on it. The passivation improves adhesion by preventing reaction of the cobalt with the diamond in the course of the deposition process.

摘要翻译： 在钴基体中由碳化钨制成的切削工具基板的至少表面区域被渗碳以在沉积金刚石膜之前化学钝化钴。 该钝化通过在沉积过程中防止钴与金刚石反应来提高粘合性。

公开(公告)号：US5916370A

公开(公告)日：1999-06-29

申请号：US97226

申请日：1998-06-12

申请人： Chow Ling Chang

发明人： Chow Ling Chang

IPC分类号： H01L21/687 ,  C23L16/00

CPC分类号： H01L21/68757

摘要： A semiconductor processing chamber having diamond coated components.

摘要翻译： 具有金刚石涂层部件的半导体处理室。