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    Method of fabricating phase change RAM including a fullerene layer
    3.
    发明授权
    Method of fabricating phase change RAM including a fullerene layer 有权
    制造包含富勒烯层的相变RAM的方法

    公开(公告)号：US07572662B2

    公开(公告)日：2009-08-11

    申请号：US11604824

    申请日：2006-11-28

    申请人： Yoon-ho Khang ,  Sang-Mock Lee ,  Jin-seo Noh ,  Woong-Chul Shin

    发明人： Yoon-ho Khang ,  Sang-Mock Lee ,  Jin-seo Noh ,  Woong-Chul Shin

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/06 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/44

    CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  Y10S977/734

    摘要： A method of fabricating a phase change RAM (PRAM) having a fullerene layer is provided. The method of fabricating the PRAM may include forming a bottom electrode, forming an interlayer dielectric film covering the bottom electrode, and forming a bottom electrode contact hole exposing a portion of the bottom electrode in the interlayer dielectric film, forming a bottom electrode contact plug by filling the bottom electrode contact hole with a plug material, forming a fullerene layer on a region including at least an upper surface of the bottom electrode contact plug and sequentially stacking a phase change layer and an upper electrode on the fullerene layer. The method may further include forming a switching device on a substrate and a bottom electrode connected to the switching device, forming an interlayer dielectric film covering the bottom electrode and forming a bottom electrode contact hole exposing a portion of the bottom electrode in the interlayer dielectric film.

    摘要翻译： 提供了制造具有富勒烯层的相变RAM（PRAM）的方法。 制造PRAM的方法可以包括形成底部电极，形成覆盖底部电极的层间电介质膜，以及形成暴露层间电介质膜中底部电极的一部分的底部电极接触孔，形成底部电极接触插塞 用塞子材料填充底部电极接触孔，在包括底部电极接触塞的至少上表面的区域上形成富勒烯层，并且在富勒烯层上依次层叠相变层和上部电极。 该方法还可以包括在基板上形成开关器件和连接到开关器件的底部电极，形成覆盖底部电极的层间电介质膜，并形成露出层间绝缘膜中底部电极的一部分的底部电极接触孔 。

    Method of operating and structure of phase change random access memory (PRAM)
    6.
    发明申请
    Method of operating and structure of phase change random access memory (PRAM) 有权
    相变随机存取存储器（PRAM）的操作和结构方法

    公开(公告)号：US20060152186A1

    公开(公告)日：2006-07-13

    申请号：US11329171

    申请日：2006-01-11

    申请人： Dong-seok Suh ,  Yoon-ho Khang ,  Sang-mock Lee ,  Jin-seo Noh

    发明人： Dong-seok Suh ,  Yoon-ho Khang ,  Sang-mock Lee ,  Jin-seo Noh

    IPC分类号： G05B19/29

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79

    摘要： Provided is a method of operating a phase change random access memory comprising a switching device and a storage node comprising a phase change layer. The method includes applying a reset current passing through the phase change layer from a lower portion of the phase change layer toward an upper portion of the phase change layer and being smaller than 1.6 mA to the storage node to change a portion of the phase change layer into an amorphous state. The set voltage is in an opposite direction is exemplary embodiments, and a connector is of small cross-sectional area.

    摘要翻译： 提供了一种操作包括切换装置和包括相变层的存储节点的相变随机存取存储器的方法。 该方法包括从相变层的下部向相变层的上部施加通过相变层的复位电流，并向存储节点施加小于1.6mA的改变相变层的一部分的复位电流 变成无定形状态。 设定电压是示例性实施例的相反方向，并且连接器具有小的横截面积。

    Phase change random access memory and method of operating the same
    8.
    发明授权
    Phase change random access memory and method of operating the same 有权
    相变随机存取存储器及其操作方法

    公开(公告)号：US07642540B2

    公开(公告)日：2010-01-05

    申请号：US11359428

    申请日：2006-02-23

    申请人： Sang-mock Lee ,  Yoon-ho Khang ,  Jin-seo Noh ,  Dong-seok Suh

    发明人： Sang-mock Lee ,  Yoon-ho Khang ,  Jin-seo Noh ,  Dong-seok Suh

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

    摘要： A phase change random access memory (PRAM), and a method of operating the PRAM are provided. In the PRAM comprising a switching element and a storage node connected to the switching element, the storage node comprises a first electrode, a second electrode, a phase change layer between the first electrode and a second electrode, and a heat efficiency improving element formed between the first electrode and the phase change layer. The heat efficiency improving element may be one of a carbon nanotube (CNT) layer, a nanoparticle layer, and a nanodot layer, and the nanoparticle layer may be a fullerene layer.

    摘要翻译： 提供相变随机存取存储器（PRAM）以及操作PRAM的方法。 在包括开关元件和连接到开关元件的存储节点的PRAM中，存储节点包括第一电极，第二电极，在第一电极和第二电极之间的相变层，以及在第一电极和第二电极之间形成的热效率改善元件 第一电极和相变层。 热效率改善元件可以是碳纳米管（CNT）层，纳米颗粒层和纳米点层之一，并且纳米颗粒层可以是富勒烯层。