公开(公告)号：US08613863B2

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：US13305949

申请日：2011-11-29

申请人： Jinhong Tong ,  Frederick Fulgenico ,  ShouQian Shao

发明人： Jinhong Tong ,  Frederick Fulgenico ,  ShouQian Shao

IPC分类号： B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  C23F1/00 ,  C23F3/00

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： A method is disclosed for the selective etching of a multi-layer metal oxide stack comprising a platinum or tungsten layer on a TiN layer on an HfO2 or ZrO2 layer on a silicon substrate. In some embodiments, the method comprises a physical sputter process to selectively etch the platinum layer, followed by a first wet etch using a mixture of NH4OH and H2O2 to selectively etch the TiN layer, and a second wet etch using a dilute mixture of HF and HCl to selectively etch the HfO2 or ZrO2 layer.

摘要翻译： 公开了一种用于在硅衬底上的HfO 2或ZrO 2层上的TiN层上选择性蚀刻包括铂或钨层的多层金属氧化物堆叠的方法。 在一些实施例中，该方法包括用于选择性蚀刻铂层的物理溅射工艺，接着使用NH 4 OH和H 2 O 2的混合物进行第一次湿式蚀刻以选择性地蚀刻TiN层，以及使用HF和 HCl以选择性地蚀刻HfO 2或ZrO 2层。