公开(公告)号：US20090313307A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12139748

申请日：2008-06-16

申请人： John POWER ,  Edwin Tse

发明人： John POWER ,  Edwin Tse

IPC分类号： G06F17/30

CPC分类号： H04L41/046 ,  H04L41/0213

摘要： A device associated with a network receives a request to modify a sub-attribute of an attribute associated with a software object that represents one of a representation of a managed resource or a collection of attributes associated with the managed resource. The device also modifies the sub-attribute of the software object based on the request, and sends a notification about the sub-attribute that has been modified.

摘要翻译： 与网络相关联的设备接收修改与表示被管理资源的表示或与被管理资源相关联的属性的集合之一的与软件对象相关联的属性的子属性的请求。 该设备还根据请求修改软件对象的子属性，并发送关于已修改的子属性的通知。

公开(公告)号：US20090254526A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12098621

申请日：2008-04-07

申请人： John POWER ,  Edwin TSE

发明人： John POWER ,  Edwin TSE

IPC分类号： G06F17/30

CPC分类号： H04L41/00 ,  H04L41/042 ,  Y10S707/922 ,  Y10S707/959

摘要： A device associated with a network provides a query for specific network management information (NMI) to a registry, and receives, based on the query, metadata associated with the specific network management information (NMI). The device also provides a request for the specific network management information (NMI) to a plurality of producer devices identified from the metadata associated with the specific network management information (NMI), and receives one or more portions of the specific network management information (NMI) from each of the plurality of producer devices. The device further combines the one or more portions of the specific network management information (NMI) to create the specific network management information (NMI).

摘要翻译： 与网络相关联的设备提供对注册表的特定网络管理信息（NMI）的查询，并且基于查询接收与特定网络管理信息（NMI）相关联的元数据。 设备还向从与特定网络管理信息（NMI）相关联的元数据识别的多个生产者设备提供对特定网络管理信息（NMI）的请求，并且接收特定网络管理信息（NMI）的一个或多个部分 ）从多个生产者设备中的每一个产生。 该设备进一步组合特定网络管理信息（NMI）的一个或多个部分以创建特定网络管理信息（NMI）。

公开(公告)号：US20090309150A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12138457

申请日：2008-06-13

申请人： John POWER ,  Danny Pak-Chum SHUM

发明人： John POWER ,  Danny Pak-Chum SHUM

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66825 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： One or more embodiments relate to a memory device, comprising: a substrate; a gate stack disposed over the substrate, the gate stack comprising a charge storage layer and a high-k dielectric layer; and a cover layer disposed over at least the sidewall surfaces of the high-k dielectric layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种存储器件，包括：衬底; 设置在所述衬底上的栅极堆叠，所述栅极堆叠包括电荷存储层和高k电介质层; 以及设置在所述高k电介质层的至少所述侧壁表面上的覆盖层。

公开(公告)号：US20110070726A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12565459

申请日：2009-09-23

申请人： Wolfgang DICKENSCHEID ,  John POWER ,  Danny Pak-Chum SHUM ,  Robert STRENZ

发明人： Wolfgang DICKENSCHEID ,  John POWER ,  Danny Pak-Chum SHUM ,  Robert STRENZ

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： One or more embodiments may relate to a method for making a semiconductor device, including: a method for making a semiconductor device, comprising: providing a substrate; forming a charge storage layer over the substrate; forming a control gate layer over the charge storage layer; forming a mask over the control gate layer; using the mask, etching the control gate layer and the charge storage layer; forming a select gate layer over the etched control gate layer and the etched charge storage layer; forming an additional layer over the select gate layer; etching the additional layer to form sidewall spacers over the select gate layer; and etching the select gate layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例可以涉及制造半导体器件的方法，包括：制造半导体器件的方法，包括：提供衬底; 在所述基板上形成电荷存储层; 在所述电荷存储层上形成控制栅极层; 在所述控制栅极层上形成掩模; 使用掩模，蚀刻控制栅极层和电荷存储层; 在蚀刻的控制栅极层和蚀刻的电荷存储层上形成选择栅极层; 在所述选择栅极层上形成附加层; 蚀刻附加层以在选择栅极层上形成侧壁间隔物; 并蚀刻选择栅极层。

公开(公告)号：US20100038696A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：US12189830

申请日：2008-08-12

申请人： John POWER ,  Mayk ROEHRICH ,  Martin STIFTINGER ,  Robert STRENZ

发明人： John POWER ,  Mayk ROEHRICH ,  Martin STIFTINGER ,  Robert STRENZ

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11573

摘要： One or more embodiments, relate to a field effect transistor, comprising: a substrate; a gate stack disposed over the substrate, the gate stack comprising a gate electrode overlying a gate dielectric; and a sidewall spacer may be disposed over the substrate and laterally disposed from the gate stack, the spacer comprising a polysilicon material.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及场效应晶体管，包括：衬底; 设置在所述衬底上的栅极堆叠，所述栅极堆叠包括覆盖栅极电介质的栅电极; 并且侧壁间隔物可以设置在衬底上并且从栅极堆叠横向设置，间隔物包括多晶硅材料。