公开(公告)号：US20090139244A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US11948639

申请日：2007-11-30

申请人： John Ullo ,  Tsutomu Yamate ,  Jiro Takeda

发明人： John Ullo ,  Tsutomu Yamate ,  Jiro Takeda

IPC分类号： F25B21/02 ,  F25B21/00 ,  B21D53/02

CPC分类号： F25B21/02 ,  H01L23/38 ,  H01L35/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T29/4935 ,  H01L2924/00

摘要： Certain embodiments disclosed herein are directed to devices for cooling. In certain examples, a thermoelectric device comprising a substrate and a superlattice coupled to the substrate is disclosed. In some examples, the superlattice includes a first semi-conducting material and a second semi-conducting material coupled to the first semi-conducting material to provide an interface between the first and second semi-conducting materials.

摘要翻译： 本文公开的某些实施例涉及用于冷却的装置。 在某些实例中，公开了一种包括衬底和耦合到衬底的超晶格的热电器件。 在一些示例中，超晶格包括耦合到第一半导体材料的第一半导体材料和第二半导体材料，以提供第一和第二半导电材料之间的界面。

公开(公告)号：US08297351B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12332304

申请日：2008-12-10

申请人： Hidetoshi Yoshiuchi ,  Tsutomu Yamate ,  John Ullo ,  Kazuhiko Matsumoto

发明人： Hidetoshi Yoshiuchi ,  Tsutomu Yamate ,  John Ullo ,  Kazuhiko Matsumoto

IPC分类号： E21B47/00

CPC分类号： E21B47/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  E21B49/08 ,  G01N27/4146 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/057

摘要： Subterranean sensing devices configured or designed for downhole use to sense a local condition in the well. The sensing devices comprise one or more transistor having at least one carbon nanotube field effect transistor (CNT FET) configured or designed for operation downhole, within a borehole.

摘要翻译： 配置或设计用于井下使用以感测井中的局部状况的地下感测装置。 感测装置包括一个或多个晶体管，其具有在钻孔内配置或设计用于井下操作的至少一个碳纳米管场效应晶体管（CNT FET）。

公开(公告)号：US07629604B2

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：US11164118

申请日：2005-11-10

申请人： Anthony F. Veneruso ,  John Ullo ,  David Gerez ,  Bingqing Wei ,  Abhilash Krishna

发明人： Anthony F. Veneruso ,  John Ullo ,  David Gerez ,  Bingqing Wei ,  Abhilash Krishna

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L29/861 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673

摘要： A nano-based device includes a support structure providing a support surface, a second structure providing a second surface angled with respect to the support surface, and at least one nano-emitter provided on the second surface.

摘要翻译： 纳米基装置包括提供支撑表面的支撑结构，提供相对于支撑表面成角度的第二表面的第二结构以及设置在第二表面上的至少一个纳米发射体。

公开(公告)号：US20080178920A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11948589

申请日：2007-11-30

申请人： John Ullo

发明人： John Ullo

IPC分类号： H01L35/30 ,  H01L35/16 ,  H01L35/14 ,  F25B21/02 ,  H01L35/18

CPC分类号： H01L23/34 ,  E21B47/011 ,  F25B21/02 ,  H01L35/16 ,  H01L35/32 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： Certain embodiments disclosed herein are directed to devices for cooling. In certain examples, a thermoelectric device comprising a substrate and a superlattice coupled to the substrate is disclosed. In some examples, the superlattice includes a first semi-conducting material and a second semi-conducting material coupled to the first semi-conducting material to provide an interface between the first and second semi-conducting materials.

摘要翻译： 本文公开的某些实施例涉及用于冷却的装置。 在某些实例中，公开了一种包括衬底和耦合到衬底的超晶格的热电器件。 在一些示例中，超晶格包括耦合到第一半导体材料的第一半导体材料和第二半导体材料，以提供第一和第二半导电材料之间的界面。

公开(公告)号：US20070105249A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11164118

申请日：2005-11-10

申请人： Anthony Veneruso ,  John Ullo ,  David Gerez ,  Bingqing Wei ,  Abhilash Krishna

发明人： Anthony Veneruso ,  John Ullo ,  David Gerez ,  Bingqing Wei ,  Abhilash Krishna

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/861 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673

摘要： A nano-based device includes a support structure providing a support surface, a second structure providing a second surface angled with respect to the support surface, and at least one nano-emitter provided on the second surface.

摘要翻译： 纳米基装置包括提供支撑表面的支撑结构，提供相对于支撑表面成角度的第二表面的第二结构以及设置在第二表面上的至少一个纳米发射体。