公开(公告)号：US20060202215A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11080022

申请日：2005-03-14

申请人： Jonathan Wierer ,  M. Craford ,  John Epler ,  Michael Krames

发明人： Jonathan Wierer ,  M. Craford ,  John Epler ,  Michael Krames

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/00

摘要： A device structure includes a III-nitride wurtzite semiconductor light emitting region disposed between a p-type region and an n-type region. A bonded interface is disposed between two surfaces, one of the surfaces being a surface of the device structure. The bonded interface facilitates an orientation of the wurtzite c-axis in the light emitting region that confines carriers in the light emitting region, potentially increasing efficiency at high current density.

摘要翻译： 器件结构包括设置在p型区域和n型区域之间的III族氮化物纤锌矿半导体发光区域。 键合界面设置在两个表面之间，其中一个表面是器件结构的表面。 结合界面有利于限制发光区域中的载流子的发光区域中的纤锌矿c轴的取向，在高电流密度下潜在地提高效率。