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    Phase change memory including ovonic threshold switch with layered electrode and methods for forming same
    3.
    发明授权
    Phase change memory including ovonic threshold switch with layered electrode and methods for forming same 有权
    相变存储器，包括具有分层电极的超声门限开关及其形成方法

    公开(公告)号：US08530875B1

    公开(公告)日：2013-09-10

    申请号：US12774772

    申请日：2010-05-06

    申请人： Kuo-Wei Chang ,  Jinwook Lee ,  Jong-Won Lee ,  Elijah V. Karpov

    发明人： Kuo-Wei Chang ,  Jinwook Lee ,  Jong-Won Lee ,  Elijah V. Karpov

    IPC分类号： H01L29/43

    CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1675

    摘要： Erosion of chalcogenides in phase change memories using ovonic threshold switch selectors can be reduced by controlling columnar morphology in electrodes used in the ovonic threshold switch. The columnar morphology may cause cracks to occur which allow etchants used to etch the ovonic threshold switch to sneak through the ovonic threshold switch and to attack chalcogenides, either in the switch or in the memory element. In one embodiment, the electrode may be split into two metal nitride layers separated by an intervening metal layer.

    摘要翻译： 通过控制在椭圆形阈值开关中使用的电极中的柱状形态，可以减少硫化物在相变存储器中的侵蚀。 柱状形态可能导致裂纹发生，这允许蚀刻剂用于蚀刻超声波阈值开关以潜入超声波阈值开关，并在开关或存储元件中攻击硫族化物。 在一个实施例中，电极可以被分成由中间金属层隔开的两个金属氮化物层。

    Depositing titanium silicon nitride films for forming phase change memories
    5.
    发明授权
    Depositing titanium silicon nitride films for forming phase change memories 有权
    沉积用于形成相变存储器的氮化钛膜

    公开(公告)号：US08501523B2

    公开(公告)日：2013-08-06

    申请号：US10977186

    申请日：2004-10-28

    申请人： Jong-Won Lee ,  Kuo-Wei Chang ,  Michael L. McSwiney

    发明人： Jong-Won Lee ,  Kuo-Wei Chang ,  Michael L. McSwiney

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/31

    CPC分类号： H01L45/06 ,  C23C16/34 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

    摘要： Organometallic precursors may be utilized to form titanium silicon nitride films that act as heaters for phase change memories. By using a combination of TDMAT and TrDMASi, for example in a metal organic chemical vapor deposition chamber, a relatively high percentage of silicon may be achieved in reasonable deposition times, in some embodiments. In one embodiment, two separate bubblers may be utilized to feed the two organometallic compounds in gaseous form to the deposition chamber so that the relative proportions of the precursors can be readily controlled.

    摘要翻译： 有机金属前体可用于形成用作相变存储器的加热器的氮化钛膜。 通过使用TDMAT和TrDMASi的组合，例如在金属有机化学气相沉积室中，在一些实施方案中，可以在合理的沉积时间内实现相对高百分比的硅。 在一个实施方案中，可以使用两个分开的起泡器将气态形式的两种有机金属化合物进料到沉积室，以便容易地控制前体的相对比例。

    MEMORY ARRAY PLANE SELECT AND METHODS
    7.
    发明申请
    MEMORY ARRAY PLANE SELECT AND METHODS 有权
    内存阵列选择和方法

    公开(公告)号：US20140063888A1

    公开(公告)日：2014-03-06

    申请号：US13597520

    申请日：2012-08-29

    申请人： Jong-Won Lee ,  Gianpaolo Spadini

    发明人： Jong-Won Lee ,  Gianpaolo Spadini

    IPC分类号： G11C5/06 ,  H01L21/8239 ,  G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0023 ,  G11C5/025 ,  G11C8/12 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1659 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/71

    摘要： Memory arrays and methods of forming the same are provided. An example memory array can include at least one plane having a plurality of memory cells arranged in a matrix and a plurality of plane selection devices. Groups of the plurality of memory cells are communicatively coupled to a respective one of a plurality of plane selection devices. A decode logic having elements is formed in a substrate material and communicatively coupled to the plurality of plane selection devices. The plurality of memory cells and the plurality of plane selection devices are not formed in the substrate material.

    摘要翻译： 提供了存储器阵列及其形成方法。 示例性存储器阵列可以包括具有以矩阵形式布置的多个存储单元和多个平面选择装置的至少一个平面。 多个存储器单元的组通信地耦合到多个平面选择装置中的相应一个。 具有元件的解码逻辑形成在衬底材料中并且通信地耦合到多个平面选择装置。 多个存储单元和多个平面选择装置不形成在基板材料中。

    Method and system for operating online 8-direction battle game using personal computer
    8.
    发明授权
    Method and system for operating online 8-direction battle game using personal computer 有权
    使用个人电脑进行在线8方向战斗游戏的方法和系统

    公开(公告)号：US08298088B2

    公开(公告)日：2012-10-30

    申请号：US12760722

    申请日：2010-04-15

    申请人： Jong-Won Lee

    发明人： Jong-Won Lee

    IPC分类号： A63F13/12

    CPC分类号： A63F13/422 ,  A63F13/833 ,  A63F2300/407 ,  A63F2300/6054 ,  A63F2300/8029

    摘要： A method and system for operating an online 8-direction battle game using a personal computer (PC) are provided. The system operates the 8-direction battle game through interfacing with a game providing module to provide the 8-direction battle game in an online mode with a PC. The system includes an auto-targeting unit to automatically target an object to perform a battle against a character designated by a user of the PC in the 8-direction battle game, the object being within a predetermined range from a position of the character, and a game controller to automatically control a direction in which the character faces the object based on a distance between the object and the character.

    摘要翻译： 提供了一种使用个人计算机（PC）操作在线8方向战斗游戏的方法和系统。 该系统通过与游戏提供模块的接口操作8方向战斗游戏，以PC在线模式提供8方向战斗游戏。 该系统包括自动定位单元，用于自动对象，以在与8个方向的战斗游戏中的PC的用户指定的角色进行对抗，该对象位于从角色位置的预定范围内，以及 游戏控制器，用于基于对象和角色之间的距离来自动控制角色面向对象的方向。

    Voltage generator for peripheral circuit
    9.
    发明授权
    Voltage generator for peripheral circuit 有权
    外围电路用电压发生器

    公开(公告)号：US08199600B2

    公开(公告)日：2012-06-12

    申请号：US11529421

    申请日：2006-09-27

    申请人： Ho-Uk Song ,  Jong-Won Lee

    发明人： Ho-Uk Song ,  Jong-Won Lee

    IPC分类号： G11C5/14

    CPC分类号： G11C5/14

    摘要： A voltage generator for a peripheral circuit, the voltage generator includes: a voltage supplier supplying a peripheral circuit voltage having a voltage level maintained at a reference voltage level, the peripheral circuit voltage outputted in response to a driving signal; and a voltage level compensator increasing the voltage level of the peripheral circuit voltage in response to a column path command.

    摘要翻译： 一种用于外围电路的电压发生器，所述电压发生器包括：提供具有保持在参考电压电平的电压电平的外围电路电压的电压供给器，响应于驱动信号输出的外围电路电压; 以及电压电平补偿器，其响应于列路径命令增加外围电路电压的电压电平。