公开(公告)号：US20130140551A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13550752

申请日：2012-07-17

申请人： Joon-seok Park ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Seok-jun Seo

发明人： Joon-seok Park ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Seok-jun Seo

IPC分类号： H01L29/78 ,  B32B3/26 ,  H01L21/336

CPC分类号： B32B3/26 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/24479

摘要： A transistor may include a channel layer formed of an oxide semiconductor. The oxide semiconductor may include GaZnON, and a proportion of Ga content to a total content of Ga and Zn of the channel layer is about 0.5 to about 4.5 at %.

摘要翻译： 晶体管可以包括由氧化物半导体形成的沟道层。 氧化物半导体可以包括GaZnON，并且沟道层的Ga含量与Ga和Zn的总含量的比例为约0.5至约4.5原子％。

公开(公告)号：US09035294B2

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：US13550752

申请日：2012-07-17

申请人： Joon-seok Park ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Seok-jun Seo

发明人： Joon-seok Park ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Seok-jun Seo

IPC分类号： H01L29/10 ,  B32B3/26 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC分类号： B32B3/26 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/24479

摘要： A transistor may include a channel layer formed of an oxide semiconductor. The oxide semiconductor may include GaZnON, and a proportion of Ga content to a total content of Ga and Zn of the channel layer is about 0.5 to about 4.5 at %.

摘要翻译： 晶体管可以包括由氧化物半导体形成的沟道层。 氧化物半导体可以包括GaZnON，并且沟道层的Ga含量与Ga和Zn的总含量的比例为约0.5至约4.5原子％。

公开(公告)号：US09184300B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13588462

申请日：2012-08-17

申请人： Kyoung-seok Son ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Joon-seok Park ,  Jong-baek Seon ,  Sang-yoon Lee

发明人： Kyoung-seok Son ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Joon-seok Park ,  Jong-baek Seon ,  Sang-yoon Lee

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

摘要： A transistor may include a hole blocking layer between a channel layer including oxynitride and an electrode electrically connected to the channel layer. The hole blocking layer may be disposed in a region between the channel layer and at least one of a source electrode and a drain electrode. The channel layer may include, for example, zinc oxynitride (ZnON). A valence band maximum energy level of the hole blocking layer may be lower than a valence band maximum energy level of the channel layer.

摘要翻译： 晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层和电连接到沟道层的电极之间的空穴阻挡层。 空穴阻挡层可以设置在沟道层与源电极和漏电极中的至少一个之间的区域中。 沟道层可以包括例如氮氧化锌（ZnON）。 空穴阻挡层的价带最大能级可以低于沟道层的价带最大能级。

公开(公告)号：US09099561B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13489888

申请日：2012-06-06

申请人： Hyun-suk Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Won-mook Choi ,  Joon-seok Park ,  Mi-jeong Song

发明人： Hyun-suk Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Won-mook Choi ,  Joon-seok Park ,  Mi-jeong Song

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78633 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

摘要： A transistor may include a light-blocking layer that blocks light incident on a channel layer. The light-blocking layer may include a carbon-based material. The carbon-based material may include graphene oxide, graphite oxide, graphene or carbon nanotube (CNT). The light-blocking layer may be between a gate and at least one of the channel layer, a source and a drain.

摘要翻译： 晶体管可以包括阻挡入射在沟道层上的光的遮光层。 遮光层可以包括碳基材料。 碳基材料可以包括氧化石墨烯，氧化石墨，石墨烯或碳纳米管（CNT）。 遮光层可以在栅极和沟道层，源极和漏极中的至少一个之间。

公开(公告)号：US20130043475A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13489888

申请日：2012-06-06

申请人： Hyun-suk Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Won-mook Choi ,  Joon-seok Park ,  Mi-jeong Song

发明人： Hyun-suk Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Won-mook Choi ,  Joon-seok Park ,  Mi-jeong Song

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/772 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/78633 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

摘要： A transistor may include a light-blocking layer that blocks light incident on a channel layer. The light-blocking layer may include a carbon-based material. The carbon-based material may include graphene oxide, graphite oxide, graphene or carbon nanotube (CNT). The light-blocking layer may be between a gate and at least one of the channel layer, a source and a drain.

摘要翻译： 晶体管可以包括阻挡入射在沟道层上的光的遮光层。 遮光层可以包括碳基材料。 碳基材料可以包括氧化石墨烯，氧化石墨，石墨烯或碳纳米管（CNT）。 遮光层可以在栅极和沟道层，源极和漏极中的至少一个之间。

公开(公告)号：US20120025187A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13064428

申请日：2011-03-24

申请人： Kyung-bae Park ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Sang-yoon Lee ,  Kwang-hee Lee ,  Tae-sang Kim ,  Eok-su Kim ,  Kyoung-seok Son ,  Wan-joo Maeng ,  Joon-seok Park

发明人： Kyung-bae Park ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Sang-yoon Lee ,  Kwang-hee Lee ,  Tae-sang Kim ,  Eok-su Kim ,  Kyoung-seok Son ,  Wan-joo Maeng ,  Joon-seok Park

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

摘要： Transistors, methods of manufacturing the transistors, and electronic devices including the transistors. The transistor may include an oxide channel layer having a multi-layer structure. The channel layer may include a first layer and a second layer that are sequentially arranged from a gate insulation layer. The first layer may be a conductor, and the second layer may be a semiconductor having a lower electrical conductivity than that of the first layer. The first layer may become a depletion region according to a gate voltage condition.

摘要翻译： 晶体管，制造晶体管的方法以及包括晶体管的电子器件。 晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。 沟道层可以包括从栅极绝缘层顺序排列的第一层和第二层。 第一层可以是导体，第二层可以是具有比第一层低的导电性的半导体。 第一层可以根据栅极电压条件成为耗尽区。

公开(公告)号：US08735229B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US12110744

申请日：2008-04-28

申请人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

发明人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A ZnO-based thin film transistor (TFT) is provided herein. Also provided is a method for manufacturing the TFT. The ZnO-based TFT is very sensitive to the oxygen concentration present in a channel layer. In order to prevent damage to a channel layer of a bottom gate TFT, and to avoid a deep negative threshold voltage resulting from damage to the channel layer, the method for manufacturing the ZnO-based TFT comprises formation of an etch stop layer or a passivation layer comprising unstable or incompletely bonded oxygen, and annealing the layers to induce an interfacial reaction between the oxide layer and the channel layer and to reduce the carrier concentration.

摘要翻译： 本文提供了一种ZnO基薄膜晶体管（TFT）。 还提供了一种用于制造TFT的方法。 ZnO基TFT对通道层中存在的氧浓度非常敏感。 为了防止对底栅TFT的沟道层的损坏，并且为了避免由于对沟道层的损坏而产生的深负阈值电压，制造ZnO基TFT的方法包括形成蚀刻停止层或钝化层 层，其包含不稳定或不完全结合的氧，并且退火层以在氧化物层和沟道层之间引起界面反应并降低载流子浓度。

公开(公告)号：US20090141203A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12153657

申请日：2008-05-22

申请人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

发明人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： G02F1/1343

CPC分类号： G02F1/136213 ,  G02F2203/01

摘要： A display device including an oxide semiconductor thin film transistor is provided. The display device includes at least one thin film transistor, and at least one storage capacitor. The storage capacitor includes a storage electrode formed of a transparent oxide semiconductor, and a pixel electrode over the storage electrode. The pixel electrode may be separated from the storage electrode by a desired distance.

摘要翻译： 提供了包括氧化物半导体薄膜晶体管的显示装置。 显示装置包括至少一个薄膜晶体管和至少一个存储电容器。 存储电容器包括由透明氧化物半导体形成的存储电极和存储电极之上的像素电极。 像素电极可以与存储电极分离所需的距离。

公开(公告)号：US08102476B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12153657

申请日：2008-05-22

申请人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

发明人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/136213 ,  G02F2203/01

摘要： A display device including an oxide semiconductor thin film transistor is provided. The display device includes at least one thin film transistor, and at least one storage capacitor. The storage capacitor includes a storage electrode formed of a transparent oxide semiconductor, and a pixel electrode over the storage electrode. The pixel electrode may be separated from the storage electrode by a desired distance.

摘要翻译： 提供了包括氧化物半导体薄膜晶体管的显示装置。 显示装置包括至少一个薄膜晶体管和至少一个存储电容器。 存储电容器包括由透明氧化物半导体形成的存储电极和存储电极之上的像素电极。 像素电极可以与存储电极分离所需的距离。

公开(公告)号：US07767505B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US12153651

申请日：2008-05-22

申请人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

发明人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969

摘要： Methods of manufacturing an oxide semiconductor thin film transistor are provided. The methods include forming a gate on a substrate, and a gate insulating layer on the substrate to cover the gate. A channel layer, which is formed of an oxide semiconductor, may be formed on the gate insulating layer. Source and drain electrodes may be formed on opposing sides of the channel layer. The method includes forming supplying oxygen to the channel layer, forming a passivation layer to cover the source and drain electrodes and the channel layer, and performing an annealing process after forming the passivation layer.

摘要翻译： 提供了制造氧化物半导体薄膜晶体管的方法。 所述方法包括在衬底上形成栅极，以及在衬底上形成栅极绝缘层以覆盖栅极。 可以在栅极绝缘层上形成由氧化物半导体形成的沟道层。 源极和漏极可以形成在沟道层的相对侧上。 所述方法包括：向所述沟道层形成供氧，形成钝化层以覆盖所述源漏电极和所述沟道层，以及在形成所述钝化层之后进行退火处理。