公开(公告)号：US20140159177A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：US14183122

申请日：2014-02-18

申请人： WPI-AIMR, Tohoku University ,  Kabushiki Kaisha Toshiba

发明人： Tadaomi DAIBOU ,  Junichi Ito ,  Tadashi Kai ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda ,  Terunobu Miyazaki ,  Shigemi Mizukami ,  Koji Ando ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Akio Fukushima ,  Taro Nagahama ,  Takahide Kubota

IPC分类号： H01L43/10

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L23/528 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a base layer; a first magnetic layer formed on the base layer, and including a first magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the first magnetic film including MnxGa100-x (45≦x

摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：基底层; 第一磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第一磁性膜，所述第一磁性膜包括Mn x Ga 100-x（45≤n1E; x <64原子％）; 形成在第一磁性层上的第一非磁性层; 以及形成在第一非磁性层上的第二磁性层，并且在垂直于膜平面的方向上包括具有容易磁化轴的第二磁性膜，所述第二磁性膜包括MnyGa100-y（45＆lt; EL; y <64原子％）， 。 第一和第二磁性层包括彼此不同的Mn组成比，第一磁性层的磁化方向可以通过第一非磁性层在第一磁性层和第二磁性层之间流动的电流而改变。

公开(公告)号：US09219227B2

公开(公告)日：2015-12-22

申请号：US14549254

申请日：2014-11-20

申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  WPI-AIMR, Tohoku University

发明人： Tadaomi Daibou ,  Junichi Ito ,  Tadashi Kai ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda ,  Terunobu Miyazaki ,  Shigemi Mizukami ,  Koji Ando ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Akio Fukushima ,  Taro Nagahama ,  Takahide Kubota

IPC分类号： H01L43/00 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01L23/528 ,  H01L43/02

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L23/528 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a base layer; a first magnetic layer formed on the base layer, and including a first magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the first magnetic film including MnxGa100-x (45≦x

公开(公告)号：US09087980B2

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：US14183122

申请日：2014-02-18

申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  WPI-AIMR, Tohoku University

发明人： Tadaomi Daibou ,  Junichi Ito ,  Tadashi Kai ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda ,  Terunobu Miyazaki ,  Shigemi Mizukami ,  Koji Ando ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Akio Fukushima ,  Taro Nagahama ,  Takahide Kubota

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L23/528 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a base layer; a first magnetic layer formed on the base layer, and including a first magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the first magnetic film including MnxGa100-x (45≦x

摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：基底层; 第一磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第一磁性膜，所述第一磁性膜包括Mn x Ga 100-x（45≤n1E; x <64原子％）; 形成在第一磁性层上的第一非磁性层; 以及形成在所述第一非磁性层上的第二磁性层，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第二磁性膜，所述第二磁性膜包括MnyGa100-y（45＆lt; IL1; y <64原子％）， 。 第一和第二磁性层包括彼此不同的Mn组成比，第一磁性层的磁化方向可以通过第一非磁性层在第一磁性层和第二磁性层之间流动的电流而改变。

公开(公告)号：US20140084401A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：US13826408

申请日：2013-03-14

申请人： Kabushiki Kaisha Toshiba ,  Tohoku University

发明人： Yushi Kato ,  Tadaomi Daibou ,  Eiji Kitagawa ,  Takao Ochiai ,  Takahide Kubota ,  Shigemi Mizukami ,  Terunobu Miyazaki

IPC分类号： H01L43/10

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a first nonmagnetic layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer, the first magnetic layer including a magnetic film of MnxGey (77 atm %≦x≦82 atm %, 18 atm %≦y≦23 atm %, x+y=100 atm %).

摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括第一磁性层，第二磁性层和设置在第一磁性层和第二磁性层之间的第一非磁性层，第一磁性层包括Mn x Ga y的磁性膜（77atm％＆nlE ; x＆nlE; 82atm％，18atm％＆nlE; y＆nlE; 23atm％，x + y = 100atm％）。

公开(公告)号：US10269866B2

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：US15010669

申请日：2016-01-29

申请人： Kabushiki Kaisha Toshiba ,  Tohoku University

发明人： Yushi Kato ,  Tadaomi Daibou ,  Eiji Kitagawa ,  Takao Ochiai ,  Junichi Ito ,  Takahide Kubota ,  Shigemi Mizukami ,  Terunobu Miyazaki

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetoresistive element includes: a first ferromagnetic layer; a second ferromagnetic layer; and a first nonmagnetic layer disposed between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer, the first ferromagnetic layer including (MnxGay)100-zPtz, the (MnxGay)100-zPtz having a tetragonal crystal structure, where 45 atm %≤x≤75 atm %, 25 atm %≤y≤55 atm %, x+y=100 atm %, and 0 atm %

公开(公告)号：US08878324B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US14168627

申请日：2014-01-30

申请人： Kabushiki Kaisha Toshiba ,  Tohoku University

发明人： Yushi Kato ,  Tadaomi Daibou ,  Eiji Kitagawa ,  Takao Ochiai ,  Takahide Kubota ,  Shigemi Mizukami ,  Terunobu Miyazaki

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： The present invention relates to a magnetoresistive element including a first magnetic layer, a second magnetic layer, a first nonmagnetic layer, a third magnetic layer. The first magnetic layer includes a magnetic film of MnxGey (77 atm %≦x≦82 atm %, 18 atm %≦y≦23 atm %, x+y=100 atm %). The first nonmagnetic layer is provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The third magnetic layer is provided between the first magnetic layer and the first nonmagnetic layer or between the second magnetic layer and the first nonmagnetic layer, or is provided between the first magnetic layer and the first nonmagnetic layer and between the second magnetic layer and the first nonmagnetic layer. The third magnetic layer includes a Heusler alloy. The present invention also relates to a magnetic memory containing the magnetoresistive element.

摘要翻译： 本发明涉及一种包括第一磁性层，第二磁性层，第一非磁性层，第三磁性层的磁阻元件。 第一磁性层包括MnxGey（77atm％＆nlE; x＆amp; nlE; 82atm％，18atm％＆amp; nlE; y＆nlE; 23atm％，x + y = 100atm％）的磁性膜。 第一非磁性层设置在第一磁性层和第二磁性层之间。 第三磁性层设置在第一磁性层和第一非磁性层之间或第二磁性层和第一非磁性层之间，或者设置在第一磁性层和第一非磁性层之间，以及第二磁性层与第一非磁性层之间 非磁性层。 第三磁性层包括Heusler合金。 本发明还涉及包含磁阻元件的磁存储器。

公开(公告)号：US08680633B1

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13826408

申请日：2013-03-14

申请人： Kabushiki Kaisha Toshiba ,  Tohoku University

发明人： Yushi Kato ,  Tadaomi Daibou ,  Eiji Kitagawa ,  Takao Ochiai ,  Takahide Kubota ,  Shigemi Mizukami ,  Terunobu Miyazaki

IPC分类号： H01L27/105

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a first nonmagnetic layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer, the first magnetic layer including a magnetic film of MnxGey (77 atm %≦x≦82 atm %, 18 atm %≦y≦23 atm %, x+y=100 atm %).

摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括第一磁性层，第二磁性层和设置在第一磁性层和第二磁性层之间的第一非磁性层，第一磁性层包括Mn x Ga y的磁性膜（77atm％＆nlE ; x＆nlE; 82atm％，18atm％＆nlE; y＆nlE; 23atm％，x + y = 100atm％）。

公开(公告)号：US20140145279A1

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：US14168627

申请日：2014-01-30

申请人： Tohoku University ,  Kabushiki Kaisha Toshiba

发明人： Yushi KATO ,  Tadaomi Daibou ,  Eiji Kitagawa ,  Takao Ochiai ,  Takahide Kubota ,  Shigemi Mizukami ,  Terunobu Miyazaki

IPC分类号： H01L43/10

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： The present invention relates to a magnetoresistive element including a first magnetic layer, a second magnetic layer, a first nonmagnetic layer, a third magnetic layer. The first magnetic layer includes a magnetic film of MnxGey (77 atm %≦x≦82 atm %, 18 atm %≦y≦23 atm %, x+y=100 atm %). The first nonmagnetic layer is provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The third magnetic layer is provided between the first magnetic layer and the first nonmagnetic layer or between the second magnetic layer and the first nonmagnetic layer, or is provided between the first magnetic layer and the first nonmagnetic layer and between the second magnetic layer and the first nonmagnetic layer. The third magnetic layer includes a Heusler alloy. The present invention also relates to a magnetic memory containing the magnetoresistive element

摘要翻译： 本发明涉及一种包括第一磁性层，第二磁性层，第一非磁性层，第三磁性层的磁阻元件。 第一磁性层包括MnxGey（77atm％＆nlE; x＆amp; nlE; 82atm％，18atm％＆amp; nlE; y＆nlE; 23atm％，x + y = 100atm％）的磁性膜。 第一非磁性层设置在第一磁性层和第二磁性层之间。 第三磁性层设置在第一磁性层和第一非磁性层之间或第二磁性层和第一非磁性层之间，或者设置在第一磁性层和第一非磁性层之间，以及第二磁性层与第一非磁性层之间 非磁性层。 第三磁性层包括Heusler合金。 本发明还涉及包含磁阻元件的磁存储器