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    High-frequency amplifier
    1.
    发明授权
    High-frequency amplifier 失效
    高频放大器

    公开(公告)号：US06750720B1

    公开(公告)日：2004-06-15

    申请号：US10149390

    申请日：2002-06-12

    申请人： Kazutomi Mori ,  Shintarou Shinjo ,  Hiroyuki Joba ,  Yoshinori Takahashi ,  Yukio Ikeda ,  Tadashi Takagi

    发明人： Kazutomi Mori ,  Shintarou Shinjo ,  Hiroyuki Joba ,  Yoshinori Takahashi ,  Yukio Ikeda ,  Tadashi Takagi

    IPC分类号： H03F304

    CPC分类号： H03F1/0261 ,  H03F1/302 ,  H03F3/19 ,  H03F3/343

    摘要： Between resistors 13, 14 and an NPN bipolar transistor 12 are interposed PNP bipolar transistors 21, 22 forming a current mirror 20 that uses a collector current of the NPN bipolar transistor 12 as a reference current, and determines a collector current of an NPN bipolar transistor 11. This makes possible to design a size ratio A of the PNP bipolar transistors 21, 22 so as to approximate a voltage drop &Dgr;Vb to a value close to zero, and to suppress the voltage drop &Dgr;Vb of the base voltage Vb accordingly to achieve a high power output and high efficiency when a high frequency input signal Pin increases and generates a base rectified current.

    摘要翻译： 在电阻器13,14和NPN双极晶体管12之间插入形成使用NPN双极晶体管12的集电极电流作为参考电流的电流镜20的PNP双极晶体管21,22，并且确定NPN双极晶体管的集电极电流 这使得可以设计PNP双极晶体管21,22的尺寸比A，以将电压降ΔVV近似为接近于零的值，并且相应地抑制基极电压Vb的电压降DeltaVb以实现 当高频输入信号Pin增加并产生基极整流电流时，高功率输出和高效率。