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    BACK SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITH IMPROVED STRESS IMMUNITY
    1.
    发明申请
    BACK SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITH IMPROVED STRESS IMMUNITY 有权
    具有改进的应力免疫的背面照明图像传感器

    公开(公告)号：US20120280348A1

    公开(公告)日：2012-11-08

    申请号：US13099092

    申请日：2011-05-02

    申请人： Keng-Yu CHOU ,  Dun-Nian YAUNG ,  Jen-Cheng LIU ,  Pao-Tung CHEN ,  Wen-De WANG ,  Chun-Chieh CHUANG ,  Min-Feng KAO

    发明人： Keng-Yu CHOU ,  Dun-Nian YAUNG ,  Jen-Cheng LIU ,  Pao-Tung CHEN ,  Wen-De WANG ,  Chun-Chieh CHUANG ,  Min-Feng KAO

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636

    摘要： Provided is an image sensor device. The image sensor device includes a substrate having a front side and a back side opposite the first side. The substrate has a pixel region and a periphery region. The image sensor device includes a plurality of radiation-sensing regions disposed in the pixel region of the substrate. Each of the radiation-sensing regions is operable to sense radiation projected toward the radiation-sensing region through the back side. The image sensor device includes a reference pixel disposed in the periphery region. The image sensor device includes an interconnect structure that is coupled to the front side of the substrate. The interconnect structure includes a plurality of interconnect layers. The image sensor device includes a film formed over the back side of the substrate. The film causes the substrate to experience a tensile stress. The image sensor device includes a radiation-blocking device disposed over the film.

    摘要翻译： 提供了一种图像传感器装置。 图像传感器装置包括具有与第一侧相对的前侧和后侧的基板。 基板具有像素区域和外围区域。 图像传感器装置包括设置在基板的像素区域中的多个辐射感测区域。 每个辐射感测区域可操作以感测通过后侧朝向辐射感测区域投射的辐射。 图像传感器装置包括设置在周边区域中的参考像素。 图像传感器装置包括耦合到基板的前侧的互连结构。 互连结构包括多个互连层。 图像传感器装置包括在基板的背面上形成的膜。 该膜导致基材经受拉伸应力。 图像传感器装置包括设置在膜上的辐射阻挡装置。

    DUAL SHALLOW TRENCH ISOLATION AND RELATED APPLICATIONS
    4.
    发明申请
    DUAL SHALLOW TRENCH ISOLATION AND RELATED APPLICATIONS 有权
    双壁分离和相关应用

    公开(公告)号：US20100252870A1

    公开(公告)日：2010-10-07

    申请号：US12751126

    申请日：2010-03-31

    申请人： Jeng-Shyan LIN ,  Dun-Nian YAUNG ,  Jen-Cheng LIU ,  Chun-Chieh CHUANG ,  Volume CHIEN

    发明人： Jeng-Shyan LIN ,  Dun-Nian YAUNG ,  Jen-Cheng LIU ,  Chun-Chieh CHUANG ,  Volume CHIEN

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/18 ,  H01L21/76

    CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689

    摘要： Embodiments of the invention relate to dual shallow trench isolations (STI). In various embodiments related to CMOS Image Sensor (CIS) technologies, the dual STI refers to one STI structure in the pixel region and another STI structure in the periphery or logic region. The depth of each STI structure depends on the need and/or isolation tolerance of devices in each region. In an embodiment, the pixel region uses NMOS devices and the STI in this region is shallower than that of in the periphery region that includes both NMOS and PMOS device having different P- and N-wells and that desire more protective isolation (i.e., deeper STI). Depending on implementations, different numbers of masks (e.g., two, three) are used to generate the dual STI, and are disclosed in various method embodiments.

    摘要翻译： 本发明的实施例涉及双重浅沟槽隔离（STI）。 在涉及CMOS图像传感器（CIS）技术的各种实施例中，双STI是指像素区域中的一个STI结构和外围或逻辑区域中的另一个STI结构。 每个STI结构的深度取决于每个区域中器件的需要和/或隔离容差。 在一个实施例中，像素区域使用NMOS器件，并且该区域中的STI比包括具有不同P阱和N阱的NMOS和PMOS器件的外围区域中的STI浅，并且需要更多的保护隔离（即，更深的 STI）。 根据实施方案，使用不同数量的掩模（例如，两个，三个）来产生双STI，并且在各种方法实施例中公开。