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    Method Of Manufacturing High Electron Mobility Transistor
    1.
    发明申请
    Method Of Manufacturing High Electron Mobility Transistor 有权
    制造高电子迁移率晶体管的方法

    公开(公告)号：US20110212582A1

    公开(公告)日：2011-09-01

    申请号：US13017361

    申请日：2011-01-31

    申请人： Ki-ha Hong ,  U-in Chung ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang

    发明人： Ki-ha Hong ,  U-in Chung ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang

    IPC分类号： H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

    摘要： A method of manufacturing a High Electron Mobility Transistor (HEMT) may include forming first and second material layers having different lattice constants on a substrate, forming a source, a drain, and a gate on the second material layer, and changing the second material layer between the gate and the drain into a different material layer, or changing a thickness of the second material layer, or forming a p-type semiconductor layer on the second material layer. The change in the second material layer may occur in an entire region of the second material layer between the gate and the drain, or only in a partial region of the second material layer adjacent to the gate. The p-type semiconductor layer may be formed on an entire top surface of the second material layer between the gate and the drain, or only on a partial region of the top surface adjacent to the gate.

    摘要翻译： 制造高电子迁移率晶体管（HEMT）的方法可以包括在衬底上形成具有不同晶格常数的第一和第二材料层，在第二材料层上形成源极，漏极和栅极，以及改变第二材料层 在栅极和漏极之间形成不同的材料层，或改变第二材料层的厚度，或在第二材料层上形成p型半导体层。 第二材料层的变化可以在栅极和漏极之间的第二材料层的整个区域中发生，或者仅在与栅极相邻的第二材料层的部分区域中发生。 p型半导体层可以形成在栅极和漏极之间的第二材料层的整个顶表面上，或者仅形成在与栅极相邻的顶表面的部分区域上。

    Method of manufacturing high electron mobility transistor
    2.
    发明授权
    Method of manufacturing high electron mobility transistor 有权
    制造高电子迁移率晶体管的方法

    公开(公告)号：US08263449B2

    公开(公告)日：2012-09-11

    申请号：US13017361

    申请日：2011-01-31

    申请人： Ki-ha Hong ,  U-In Chung ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang

    发明人： Ki-ha Hong ,  U-In Chung ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang

    IPC分类号： H01L21/338

    CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

    摘要： A method of manufacturing a High Electron Mobility Transistor (HEMT) may include forming first and second material layers having different lattice constants on a substrate, forming a source, a drain, and a gate on the second material layer, and changing the second material layer between the gate and the drain into a different material layer, or changing a thickness of the second material layer, or forming a p-type semiconductor layer on the second material layer. The change in the second material layer may occur in an entire region of the second material layer between the gate and the drain, or only in a partial region of the second material layer adjacent to the gate. The p-type semiconductor layer may be formed on an entire top surface of the second material layer between the gate and the drain, or only on a partial region of the top surface adjacent to the gate.

    摘要翻译： 制造高电子迁移率晶体管（HEMT）的方法可以包括在衬底上形成具有不同晶格常数的第一和第二材料层，在第二材料层上形成源极，漏极和栅极，以及改变第二材料层 在栅极和漏极之间形成不同的材料层，或改变第二材料层的厚度，或在第二材料层上形成p型半导体层。 第二材料层的变化可以在栅极和漏极之间的第二材料层的整个区域中发生，或者仅在与栅极相邻的第二材料层的部分区域中发生。 p型半导体层可以形成在栅极和漏极之间的第二材料层的整个顶表面上，或者仅形成在与栅极相邻的顶表面的部分区域上。

    POWER ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    4.
    发明申请
    POWER ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
    电力电子设备及其制造方法

    公开(公告)号：US20120037958A1

    公开(公告)日：2012-02-16

    申请号：US13208671

    申请日：2011-08-12

    申请人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

    发明人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66462

    摘要： According to an example embodiment, a power electronic device includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer on a first surface of the first semiconductor layer, and a source, a drain, and a gate on the second semiconductor layer. The source, drain and gate are separate from one another. The power electronic device further includes a 2-dimensional electron gas (2DEG) region at an interface between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a first insulating layer on the gate and a second insulating layer adjacent to the first insulating layer. The first insulating layer has a first dielectric constant and the second insulating layer has a second dielectric constant less than the first dielectric constant.

    摘要翻译： 根据示例性实施例，功率电子器件包括第一半导体层，第一半导体层的第一表面上的第二半导体层以及第二半导体层上的源极，漏极和栅极。 源极，漏极和栅极彼此分开。 电力电子设备还包括在第一半导体层和第二半导体层之间的界面处的二维电子气体（2DEG）区域，栅极上的第一绝缘层和与第一绝缘层相邻的第二绝缘层。 第一绝缘层具有第一介电常数，第二绝缘层具有小于第一介电常数的第二介电常数。

    Power electronic device and method of manufacturing the same
    6.
    发明授权
    Power electronic device and method of manufacturing the same 有权
    电力电子装置及其制造方法

    公开(公告)号：US08835985B2

    公开(公告)日：2014-09-16

    申请号：US13208671

    申请日：2011-08-12

    申请人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

    发明人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66 ,  H01L29/20

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66462

    摘要： According to an example embodiment, a power electronic device includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer on a first surface of the first semiconductor layer, and a source, a drain, and a gate on the second semiconductor layer. The source, drain and gate are separate from one another. The power electronic device further includes a 2-dimensional electron gas (2DEG) region at an interface between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a first insulating layer on the gate and a second insulating layer adjacent to the first insulating layer. The first insulating layer has a first dielectric constant and the second insulating layer has a second dielectric constant less than the first dielectric constant.

    摘要翻译： 根据示例性实施例，功率电子器件包括第一半导体层，第一半导体层的第一表面上的第二半导体层以及第二半导体层上的源极，漏极和栅极。 源极，漏极和栅极彼此分开。 电力电子设备还包括在第一半导体层和第二半导体层之间的界面处的二维电子气体（2DEG）区域，栅极上的第一绝缘层和与第一绝缘层相邻的第二绝缘层。 第一绝缘层具有第一介电常数，第二绝缘层具有小于第一介电常数的第二介电常数。

    Semiconductor device
    7.
    发明授权
    Semiconductor device 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US08508194B2

    公开(公告)日：2013-08-13

    申请号：US12923857

    申请日：2010-10-12

    申请人： Ho-jung Kim ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Ki-ha Hong ,  In-jun Hwang ,  Hyuk-soon Choi

    发明人： Ho-jung Kim ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Ki-ha Hong ,  In-jun Hwang ,  Hyuk-soon Choi

    IPC分类号： G05F1/10

    CPC分类号： H03K17/6871 ,  H02M1/08 ,  H02M3/158 ,  H02M3/337 ,  H02M2001/0074 ,  H03K2217/0081

    摘要： Provided is a semiconductor device that may include a switching device having a negative threshold voltage, and a driving unit between a power terminal and a ground terminal and providing a driving voltage for driving the switching device. The switching device may be connected to a virtual ground node having a virtual ground voltage that is greater than a ground voltage supplied from the ground terminal and may be turned on when a difference between the driving voltage and the virtual ground voltage is greater than the negative threshold voltage.

    摘要翻译： 提供一种半导体器件，其可以包括具有负阈值电压的开关器件，以及电源端子和接地端子之间的驱动单元，并且提供用于驱动开关器件的驱动电压。 开关器件可以连接到具有大于从接地端子提供的接地电压的虚拟接地电压的虚拟接地节点，并且当驱动电压和虚拟接地电压之间的差大于负值时，可以导通 阈值电压。