公开(公告)号：US5544356A

公开(公告)日：1996-08-06

申请号：US400272

申请日：1995-03-03

申请人： Kurt B. Robinson ,  Dale K. Elbert ,  Markus A. Levy

发明人： Kurt B. Robinson ,  Dale K. Elbert ,  Markus A. Levy

IPC分类号： G06F3/06 ,  G06F12/00 ,  G06F12/02 ,  G06F12/06 ,  G11C16/02 ,  G11C16/34 ,  G06F17/30

CPC分类号： G06F3/0601 ,  G06F12/023 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0638 ,  G11C16/349 ,  G06F2003/0694 ,  G06F2212/7211 ,  Y10S707/99956 ,  Y10S707/99957

摘要： A non-volatile semiconductor memory that is erasable only in blocks is described. Each bit of the non-volatile semiconductor memory cannot be overwritten from a first logical state to a second logical state without a prior erasure. Each bit of the non-volatile semiconductor memory can be overwritten from a second logical state to a first logical state without a prior erasure. The non-volatile semiconductor memory comprises an active block for storing a first file, a reserve block for storing a second file, and a directory block. The second file is a copy of the first file. The copy is made during a clean-up operation prior to erasure of the active block. The directory block comprises a directory entry for identifying the first file.

摘要翻译： 描述了仅在块中可擦除的非易失性半导体存储器。 不存在先前的擦除，非易失性半导体存储器的每一位都不能被从第一逻辑状态重写到第二逻辑状态。 可以将非易失性半导体存储器的每一位从第二逻辑状态重写到第一逻辑状态，而无需先前擦除。 非易失性半导体存储器包括用于存储第一文件的活动块，用于存储第二文件的预留块和目录块。 第二个文件是第一个文件的副本。 在擦除活动块之前，在清理操作期间进行复印。 目录块包括用于识别第一文件的目录条目。

公开(公告)号：US5592669A

公开(公告)日：1997-01-07

申请号：US565929

申请日：1995-12-01

申请人： Kurt B. Robinson ,  Dale K. Elbert ,  Markus A. Levy

发明人： Kurt B. Robinson ,  Dale K. Elbert ,  Markus A. Levy

IPC分类号： G06F3/06 ,  G06F12/00 ,  G06F12/02 ,  G06F12/06 ,  G11C16/02 ,  G11C16/34 ,  G06F17/30

CPC分类号： G06F3/0601 ,  G06F12/023 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0638 ,  G11C16/349 ,  G06F2003/0694 ,  G06F2212/7211 ,  Y10S707/99956 ,  Y10S707/99957

摘要： A non-volatile semiconductor memory that is erasable only in blocks is described. Each bit of the non-volatile semiconductor memory cannot be overwritten from a first logical state to a second logical state without a prior erasure. Each bit of the non-volatile semiconductor memory can be overwritten from a second logical state to a first logical state without a prior erasure. The non-volatile semiconductor memory comprises an active block for storing a first file, a reserve block for storing a second file, and a directory block. The second file is a copy of the first file. The copy is made during a clean-up operation prior to erasure of the active block. The directory block comprises a directory entry for identifying the first file.

摘要翻译： 描述了仅在块中可擦除的非易失性半导体存储器。 不存在先前擦除的情况下，不能将非易失性半导体存储器的每一位从第一逻辑状态重新写入第二逻辑状态。 可以将非易失性半导体存储器的每一位从第二逻辑状态重写到第一逻辑状态，而无需先前擦除。 非易失性半导体存储器包括用于存储第一文件的活动块，用于存储第二文件的预留块和目录块。 第二个文件是第一个文件的副本。 在擦除活动块之前，在清理操作期间进行复印。 目录块包括用于识别第一文件的目录条目。

公开(公告)号：US5267218A

公开(公告)日：1993-11-30

申请号：US861378

申请日：1992-03-31

申请人： Dale K. Elbert

发明人： Dale K. Elbert

IPC分类号： G11C5/00 ,  G11C5/14 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C16/102 ,  G11C16/30 ,  G11C5/00 ,  G11C5/143

摘要： A nonvolatile memory card is described. The nonvolatile memory card includes a plurality of memories arranged in an array. Each of the plurality memories includes memory cells that are electrically programmable and electrically erasable. Each of the plurality of memories requires a device power supply voltage and a reprogramming voltage. The memory card also includes the device power supply input for receiving a power supply voltage for the memory card, and voltage conversion means coupled to receive the device power supply voltage at the power supply input for providing the device power supply voltage to the plurality of memories and for generating the reprogramming voltage for erasing and programming the plurality of memories. The voltage conversion means further includes (1) a charge pump coupled to the power supply input for generating the reprogramming voltage for erasing and programming the plurality of memories, and (2) a control logic coupled to the charge pump for allowing the charge pump to generate the reprogramming voltage. The control logic causes the charge pump not to generate the reprogramming voltage when the memory card does not require a reprogramming operation in order to protect data integrity of the memory card. When the memory card requires a reprogramming operation, the control logic causes the charge pump to generate the reprogramming voltage.

摘要翻译： 描述非易失性存储卡。 非易失性存储卡包括排列成阵列的多个存储器。 多个存储器中的每一个包括电可编程和电可擦除的存储单元。 多个存储器中的每一个需要设备电源电压和重新编程电压。 存储卡还包​​括用于接收用于存储卡的电源电压的设备电源输入端，以及电压转换装置，被耦合以在电源输入处接收设备电源电压，以将设备电源电压提供给多个存储器 并且用于产生用于擦除和编程多个存储器的重新编程电压。 电压转换装置还包括（1）耦合到电源输入的电荷泵，用于产生用于擦除和编程多个存储器的重新编程电压，以及（2）耦合到电荷泵的控制逻辑，用于允许电荷泵 产生重编程电压。 当存储卡不需要重新编程操作以便保护存储卡的数据完整性时，控制逻辑使得电荷泵不产生重新编程电压。 当存储卡需要重新编程操作时，控制逻辑使电荷泵产生重新编程电压。