公开(公告)号：US20080157278A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11965016

申请日：2007-12-27

申请人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park ,  Han-Sang Song

发明人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park ,  Han-Sang Song

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/65

摘要： A capacitor includes a lower electrode, a dielectric layer, an upper electrode, and a ruthenium oxide layer. At least one of the lower electrode and the upper electrode is formed of a ruthenium layer, and the ruthenium oxide layer is disposed next to the ruthenium layer.

摘要翻译： 电容器包括下电极，电介质层，上电极和氧化钌层。 下电极和上电极中的至少一个由钌层形成，氧化钌层设置在钌层的旁边。

公开(公告)号：US08298909B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US11965016

申请日：2007-12-27

申请人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park ,  Han-Sang Song

发明人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park ,  Han-Sang Song

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/65

摘要： A capacitor includes a lower electrode, a dielectric layer, an upper electrode, and a ruthenium oxide layer. At least one of the lower electrode and the upper electrode is formed of a ruthenium layer, and the ruthenium oxide layer is disposed next to the ruthenium layer.

摘要翻译： 电容器包括下电极，电介质层，上电极和氧化钌层。 下电极和上电极中的至少一个由钌层形成，并且氧化钌层设置在钌层的旁边。

公开(公告)号：US20090004808A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US11965698

申请日：2007-12-27

申请人： Kee-Jeung LEE ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do

发明人： Kee-Jeung LEE ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming a sacrificial layer having a plurality of trenches on an upper portion of a substrate, forming storage nodes in the trenches, exposing upper portions of the storage nodes by removing a portion of the sacrificial layer, forming supporters to support the exposed upper portions of the storage nodes, removing the sacrificial layer under the supporters, and removing the supporters.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的上部形成具有多个沟槽的牺牲层，在沟槽中形成存储节点，通过去除牺牲层的一部分来暴露存储节点的上部，形成支持者 支撑存储节点的暴露的上部，移除支持者下面的牺牲层，并移除支持者。

公开(公告)号：US07910428B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12164073

申请日：2008-06-29

申请人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

发明人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor includes a pillar-type storage node, a supporter filling an inner empty crevice of the storage node, a dielectric layer over the storage node, and a plate node over the dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括柱状存储节点，填充存储节点的内部空缝隙的支撑体，存储节点上方的电介质层，以及介电层上的板状节点。

公开(公告)号：US08441100B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US13069280

申请日：2011-03-22

申请人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

发明人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor includes a pillar-type storage node, a supporter disposed entirely within an inner empty crevice of the storage node, a conductive capping layer over the supporter and contacting the storage node so as to seal an entrance to the inner empty crevice, a dielectric layer over the storage node, and a plate node over the dielectric layer.

摘要翻译： 一种电容器包括：柱状存储节点，完全位于存储节点的内部空缝隙内的支撑件，在支撑件上方的导电覆盖层，并与存储节点接触，以密封内部空缝隙的入口;电介质 存储节点上的平板节点以及电介质层上的平板节点。

公开(公告)号：US20090002917A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US11965733

申请日：2007-12-28

申请人： Deok-Sin KIL ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

发明人： Deok-Sin KIL ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

IPC分类号： H01G4/008 ,  H01G9/00

CPC分类号： H01G4/008

摘要： A capacitor includes a lower electrode, a dielectric layer over the lower electrode, and an upper electrode having a stack structure including a ruthenium-containing layer and a tungsten-containing layer over the dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括下电极，在下电极上的电介质层，以及在电介质层上方具有包含含钌层和含钨层的叠层结构的上电极。

公开(公告)号：US20110169134A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13069280

申请日：2011-03-22

申请人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

发明人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor includes a pillar-type storage node, a supporter disposed entirely within an inner empty crevice of the storage node, a conductive capping layer over the supporter and contacting the storage node so as to seal an entrance to the inner empty crevice, a dielectric layer over the storage node, and a plate node over the dielectric layer.

摘要翻译： 一种电容器包括：柱状存储节点，完全位于存储节点的内部空缝隙内的支撑件，在支撑件上方的导电覆盖层，并与存储节点接触，以密封内部空缝隙的入口;电介质 存储节点上的平板节点以及电介质层上的平板节点。

公开(公告)号：US08017491B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US11965698

申请日：2007-12-27

申请人： Kee-Jeung Lee ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do

发明人： Kee-Jeung Lee ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming a sacrificial layer having a plurality of trenches on an upper portion of a substrate, forming storage nodes in the trenches, exposing upper portions of the storage nodes by removing a portion of the sacrificial layer, forming supporters to support the exposed upper portions of the storage nodes, removing the sacrificial layer under the supporters, and removing the supporters.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的上部形成具有多个沟槽的牺牲层，在沟槽中形成存储节点，通过去除牺牲层的一部分来暴露存储节点的上部，形成支持者 支撑存储节点的暴露的上部，移除支持者下面的牺牲层，并移除支持者。

公开(公告)号：US20090008743A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US12164073

申请日：2008-06-29

申请人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

发明人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor includes a pillar-type storage node, a supporter filling an inner empty crevice of the storage node, a dielectric layer over the storage node, and a plate node over the dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括柱状存储节点，填充存储节点的内部空缝隙的支撑体，存储节点上方的电介质层，以及介电层上的板状节点。

公开(公告)号：US20110171808A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13069294

申请日：2011-03-22

申请人： Jae-Sung ROH ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

发明人： Jae-Sung ROH ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming an isolation layer over a cell region and a peripheral region of a substrate. The isolation layer forms a plurality of open regions in the cell region. Storage nodes are formed on surfaces of the open regions. A sacrificial pattern is formed over the isolation layer and covers the cell region. The isolation layer is etched in the peripheral region to expose side portions of the resulting structure obtained after forming the sacrificial pattern in the cell region. With the sacrificial pattern supporting the storage nodes, the isolation layer in the cell region is removed. The sacrificial pattern is then removed.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的单元区域和周边区域上形成隔离层。 隔离层在单元区域中形成多个开放区域。 存储节点形成在开放区域的表面上。 在隔离层上形成牺牲图案并覆盖单元区域。 在外围区域中蚀刻隔离层，以暴露在单元区域中形成牺牲图案之后获得的所得结构的侧面部分。 利用支持存储节点的牺牲图案，移除单元区域中的隔离层。 然后去除牺牲图案。