公开(公告)号：US06869898B2

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：US10343470

申请日：2001-07-30

申请人： Kyoichi Inaki ,  Naoto Watanabe ,  Tohru Segawa ,  Hiroyuki Kimura

发明人： Kyoichi Inaki ,  Naoto Watanabe ,  Tohru Segawa ,  Hiroyuki Kimura

IPC分类号： C03C3/06 ,  C03C19/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC分类号： C03C3/06 ,  C03C19/00 ,  C03C2204/08

摘要： An object of the present invention is to provide a quartz glass jig, which, when employed in a processing apparatus using plasma, is less in generation of abnormal etching and particles and low in contamination with impurities. This object is obtained by a quartz glass jig for a processing apparatus using plasma, wherein a surface of the jig is subjected to grinding or a sandblast processing and has a surface roughness Ra in the range of from 2 μm to 0.05 μm, and microcracks of grinding marks formed during the grinding or sandblast processing have a depth of 50 μm or less.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种石英玻璃夹具，其在使用等离子体的加工装置中使用时，产生异常蚀刻和颗粒，并且杂质污染少。 该目的通过用于使用等离子体的处理装置的石英玻璃夹具获得，其中夹具的表面进行研磨或喷砂处理，并且具有在2μm至0.05μm的范围内的表面粗糙度Ra和微裂纹 在研磨或喷砂处理过程中形成的磨痕的深度为50um或更小。

公开(公告)号：US06680455B2

公开(公告)日：2004-01-20

申请号：US09940077

申请日：2001-08-27

申请人： Kyoichi Inaki ,  Naoki Hayashi ,  Tohru Segawa

发明人： Kyoichi Inaki ,  Naoki Hayashi ,  Tohru Segawa

IPC分类号： B23K1000

CPC分类号： H01J37/32477 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/21 ,  C03C2203/42 ,  C03C2204/08 ,  H01J37/32559 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68757 ,  Y10T428/24355

摘要： It is an object of the present invention to provide a quartz glass jig excellent in the plasma etching resistant characteristics, which does not generate an abnormal etching and particles when used for a plasma generating apparatus. The above Object is obtained by a plasma resistant quartz glass jig that is used for an apparatus of generating plasma, wherein the surface roughness Ra of the quartz glass surface is in a range of from 5 &mgr;m to 0.05 &mgr;m, the number of microcracks of the surface is not more than 500 microcracks/cm2, and the hydrogen molecule concentration in the quartz glass is at least 5×1016 molecules/cm3.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种等离子体耐蚀刻性能优良的石英玻璃夹具，其在用于等离子体发生装置时不产生异常蚀刻和颗粒。上述目的是通过等离子体耐蚀石英玻璃 用于产生等离子体的装置的夹具，其中石英玻璃表面的表面粗糙度Ra在5μm至0.05μm的范围内，表面的微裂纹数不超过500μm/ cm 2 >，并且石英玻璃中的氢分子浓度为至少5×10 16分子/ cm 3。

公开(公告)号：US5876473A

公开(公告)日：1999-03-02

申请号：US727552

申请日：1996-10-25

申请人： Kyoichi Inaki ,  Tohru Segawa ,  Nobumasa Yoshida ,  Mamoru Endo

发明人： Kyoichi Inaki ,  Tohru Segawa ,  Nobumasa Yoshida ,  Mamoru Endo

IPC分类号： C03B20/00 ,  C03B32/02 ,  C03C3/06 ,  C03C14/00 ,  C03B5/00 ,  C03C10/14

CPC分类号： C03C14/004 ,  C03B20/00 ,  C03B32/02 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/80 ,  C03C2214/20 ,  C03C2214/30

摘要： Cristobalite-containing silica glass is provided wherein .alpha.-cristobalite in the shape of a small sphere or a small, round-edged or sharp-edged, three-dimensional region is dispersed in the silica glass matrix. The diameter of each .alpha.-cristobalite sphere or region is, in the range of 0.1 um to 1000 um, and the content of the .alpha.-cristobalite is at least 10 wt. %. The cristobalite-containing silica glass is produced by heating a mixture of two kinds or more of crystalline silicon dioxide powder with melting points different from each other by 20.degree. C. or more. The mixture contains silicon dioxide having the highest melting point in the range of 10 wt. % to 80 Wt. % and is heated at temperatures ranging from the lowest melting point to a temperature lower than the highest melting point.

摘要翻译： PCT No.PCT / EP96 / 00794 Sec。 371日期1996年10月25日第 102（e）日期1996年10月25日PCT 1996年2月27日PCT公布。 公开号WO96 / 26908 日本1996年9月6日提供了含方石英的二氧化硅玻璃，其中将小球形或小圆形边缘或锐边三维区域形成的α-方英石分散在石英玻璃基质中。 每个α-方解石球体或区域的直径在0.1μm至1000μm的范围内，并且α-方英石的含量为至少10wt。 ％。 通过将两种以上的结晶二氧化硅粉末的熔点彼此不同的混合物加热20℃以上来制造含方石英的石英玻璃。 该混合物含有熔点最高在10wt。％范围内的二氧化硅。 至80 Wt。 并且在从最低熔点到低于最高熔点的温度的温度下加热。

公开(公告)号：US07841211B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US10535935

申请日：2003-11-28

申请人： Tatsuhiro Sato ,  Takahiro Kaitou ,  Akira Fujinoki ,  Toshiyuki Kato ,  Tohru Segawa ,  Nobumasa Yoshida

发明人： Tatsuhiro Sato ,  Takahiro Kaitou ,  Akira Fujinoki ,  Toshiyuki Kato ,  Tohru Segawa ,  Nobumasa Yoshida

IPC分类号： C03B20/00 ,  C03B19/14

CPC分类号： C03C3/06 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/03 ,  C03B2201/04 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/24 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/26

摘要： First of all, there is provided a production process of a synthetic quartz glass which has less impurity, has a high-temperature viscosity characteristic equal to or more than that of a natural quartz glass, and hardly deforms even in a high-temperature environment, and especially a production process of a highly heat resistant synthetic quartz glass which is free from the generation of bubbles and is dense. Secondly, there is provided a highly heat resistant synthetic quartz glass body which is easily obtained by the production process of the present invention, and especially a transparent or black quartz glass body which is free from the generation of bubbles, is dense, has high infrared absorption rate and emission rate, and has an extremely high effect for preventing diffusion of alkali metal. The process is a process of producing a highly heat resistant quartz glass body having an absorption coefficient at 245 nm of 0.05 cm−1 or more, and the silica porous body was subjected to a reduction treatment, followed by baking, thereby forming a dense glass body.

摘要翻译： 首先，提供了杂质少，具有等于或高于天然石英玻璃的高温粘度特性的合成石英玻璃的制造方法，即使在高温环境下也几乎不变形， 特别是高度耐热的合成石英玻璃的生产过程，其不产生气泡并且致密。 其次，提供了通过本发明的制造方法容易获得的高耐热性合成石英玻璃体，特别是不产生气泡的透明或黑色石英玻璃体，具有高红外 吸收率和排放率，对防止碱金属的扩散具有极高的效果。 该方法是制造吸收系数在245nm为0.05cm -1以上的高耐热性石英玻璃体的工序，对二氧化硅多孔体进行还原处理，然后进行烧成，由此形成致密的玻璃 身体。

公开(公告)号：US20060059948A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US10535935

申请日：2003-11-28

申请人： Tatsuhiro Sato ,  Takahiro Kaitou ,  Akira Fujinoki ,  Toshiyuki Kato ,  Tohru Segawa ,  Nobumasa Yoshida

发明人： Tatsuhiro Sato ,  Takahiro Kaitou ,  Akira Fujinoki ,  Toshiyuki Kato ,  Tohru Segawa ,  Nobumasa Yoshida

IPC分类号： C03C25/64

CPC分类号： C03C3/06 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/03 ,  C03B2201/04 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/24 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/26

摘要： First of all, there is provided a production process of a synthetic quartz glass which has less impurity, has a high-temperature viscosity characteristic equal to or more than that of a natural quartz glass, and hardly deforms even in a high-temperature environment, and especially a production process of a highly heat resistant synthetic quartz glass which is free from the generation of bubbles and is dense. Secondly, there is provided a highly heat resistant synthetic quartz glass body which is easily obtained by the production process of the present invention, and especially a transparent or black quartz glass body which is free from the generation of bubbles, is dense, has high infrared absorption rate and emission rate, and has an extremely high effect for preventing diffusion of alkali metal. The process is a process of producing a highly heat resistant quartz glass body having an absorption coefficient at 245 nm of 0.05 cm−1 or more, and the silica porous body was subjected to a reduction treatment, followed by baking, thereby forming a dense glass body.

摘要翻译： 首先，提供了杂质少，具有等于或高于天然石英玻璃的高温粘度特性的合成石英玻璃的制造方法，即使在高温环境下也几乎不变形， 特别是高度耐热的合成石英玻璃的生产过程，其不产生气泡并且致密。 其次，提供了通过本发明的制造方法容易获得的高耐热性合成石英玻璃体，特别是不产生气泡的透明或黑色石英玻璃体，具有高红外 吸收率和排放率，对防止碱金属的扩散具有极高的效果。 该方法是生产具有245nm的吸收系数为0.05cm -1以上的高耐热性石英玻璃体的工序，对二氧化硅多孔体进行还原处理，其次是 烘烤，从而形成致密的玻璃体。