公开(公告)号：US09099639B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13962470

申请日：2013-08-08

申请人： Kyung-min Kim ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Sung-ho Kim ,  Sae-jin Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Man Chang ,  Eun-ju Cho

发明人： Kyung-min Kim ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Sung-ho Kim ,  Sae-jin Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Man Chang ,  Eun-ju Cho

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145

摘要： According to example embodiments, a resistance switching material element includes a resistance switching material layer between a first electrode and a second electrode, and a self-rectifying layer provided between the resistance switching material layer and one of the first and second electrodes. The second electrode may be on the first electrode.

摘要翻译： 根据示例实施例，电阻切换材料元件包括在第一电极和第二电极之间的电阻切换材料层，以及设置在电阻切换材料层和第一和第二电极中的一个之间的自整流层。 第二电极可以在第一电极上。

公开(公告)号：US09001551B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US13488869

申请日：2012-06-05

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0033 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2211/5625 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32

摘要： In a method of operating a semiconductor device, a resistance value of a variable resistance element is changed from a first resistance value to a second resistance value by applying a first voltage to the variable resistance element; and a first current that flows through the variable resistance element is sensed. A second voltage for changing the resistance value of the variable resistance element from the second resistance value to the first resistance value is modulated based on a dispersion of the first current, and the first voltage is re-applied to the variable resistance element based on a dispersion of the first current.

摘要翻译： 在操作半导体器件的方法中，通过向可变电阻元件施加第一电压，可变电阻元件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值; 并且感测流过可变电阻元件的第一电流。 基于第一电流的偏差来调制用于将可变电阻元件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压，并且基于第一电压将第一电压重新施加到可变电阻元件 第一电流的分散。

公开(公告)号：US20130043451A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13431612

申请日：2012-03-27

申请人： Seung-ryul Lee ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Chang-bum Lee ,  Kyung-min Kim

发明人： Seung-ryul Lee ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Chang-bum Lee ,  Kyung-min Kim

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： Nonvolatile memory elements and memory devices including the nonvolatile memory elements. A nonvolatile memory element may include a memory layer between two electrodes, and the memory layer may have a multi-layer structure. The memory layer may include a base layer and an ionic species exchange layer and may have a resistance change characteristic due to movement of ionic species between the base layer and the ionic species exchange layer. The ionic species exchange layer may have a multi-layer structure including at least two layers. The nonvolatile memory element may have a multi-bit memory characteristic due to the ionic species exchange layer having the multi-layer structure. The base layer may be an oxygen supplying layer, and the ionic species exchange layer may be an oxygen exchange layer.

摘要翻译： 包括非易失性存储元件的非易失性存储元件和存储器件。 非易失性存储元件可以包括两个电极之间的存储层，并且存储层可以具有多层结构。 记忆层可以包括基层和离子物种交换层，并且由于离子物质在基层和离子物质交换层之间的移动而具有电阻变化特性。 离子物种交换层可以具有包括至少两层的多层结构。 由于具有多层结构的离子物质交换层，非易失性存储元件可能具有多位存储特性。 基底层可以是供氧层，离子物种交换层可以是氧交换层。

公开(公告)号：US20130051164A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13523429

申请日：2012-06-14

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069

摘要： A method of driving a nonvolatile memory device including applying a reset voltage to a unit memory cell, reading a reset current of the unit memory cell, confirming whether the reset current is within a first current range, if the reset current is not within the first current range, changing the reset voltage and applying a changed reset voltage or applying again the reset voltage to the unit memory cell after applying a set voltage to the unit memory cell, if the reset current is within the first current range, confirming whether a difference between the present reset current and an immediately previous set current is within a second current range, and, if the difference is not within the second current range, applying the reset voltage or applying again the reset voltage to the unit memory cell after applying a set voltage to the unit memory cell.

摘要翻译： 一种驱动非易失性存储器件的方法，包括：将复位电压施加到单元存储单元，读取单元存储单元的复位电流，确认复位电流是否在第一电流范围内，如果复位电流不在第一电流范围内 电流范围，如果复位电流在第一电流范围内，则改变复位电压并施加改变的复位电压或再次将施加设定电压的复位电压施加到单元存储单元， 在当前复位电流和紧接在前的设定电流之间的电流在第二电流范围内，并且如果该差值不在第二电流范围内，则在应用组合之后施加复位电压或再次施加复位电压到单元存储单元 电压到单元存储单元。

公开(公告)号：US08947905B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US13523429

申请日：2012-06-14

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069

摘要： A method of driving a nonvolatile memory device including applying a reset voltage to a unit memory cell, reading a reset current of the unit memory cell, confirming whether the reset current is within a first current range, if the reset current is not within the first current range, changing the reset voltage and applying a changed reset voltage or applying again the reset voltage to the unit memory cell after applying a set voltage to the unit memory cell, if the reset current is within the first current range, confirming whether a difference between the present reset current and an immediately previous set current is within a second current range, and, if the difference is not within the second current range, applying the reset voltage or applying again the reset voltage to the unit memory cell after applying a set voltage to the unit memory cell.

摘要翻译： 一种驱动非易失性存储器件的方法，包括：将复位电压施加到单元存储单元，读取单元存储单元的复位电流，确认复位电流是否在第一电流范围内，如果复位电流不在第一电流范围内 电流范围，如果复位电流在第一电流范围内，则改变复位电压并施加改变的复位电压或再次将施加设定电压的复位电压施加到单元存储单元， 在当前复位电流和紧接在前的设定电流之间的电流在第二电流范围内，并且如果该差值不在第二电流范围内，则在应用组合之后施加复位电压或再次施加复位电压到单元存储单元 电压到单元存储单元。

公开(公告)号：US20130058153A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13488869

申请日：2012-06-05

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0033 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2211/5625 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32

摘要： In a method of operating a semiconductor device, a resistance value of a variable resistance element is changed from a first resistance value to a second resistance value by applying a first voltage to the variable resistance element; and a first current that flows through the variable resistance element is sensed. A second voltage for changing the resistance value of the variable resistance element from the second resistance value to the first resistance value is modulated based on a dispersion of the first current, and the first voltage is re-applied to the variable resistance element based on a dispersion of the first current.

摘要翻译： 在操作半导体器件的方法中，通过向可变电阻元件施加第一电压，可变电阻元件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值; 并且感测流过可变电阻元件的第一电流。 基于第一电流的偏差来调制用于将可变电阻元件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压，并且基于第一电压将第一电压重新施加到可变电阻元件 第一电流的分散。

公开(公告)号：US09484087B2

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：US13483578

申请日：2012-05-30

申请人： Chang-bum Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee ,  Kyung-min Kim

发明人： Chang-bum Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee ,  Kyung-min Kim

IPC分类号： H01L47/00 ,  G11C11/56 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： G11C11/5685 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1675

摘要： In one embodiment, the memory element may include a first electrode, a second electrode spaced apart from the first electrode, a memory layer between the first electrode and the second electrode, and an auxiliary layer between the memory layer and the second electrode. The auxiliary layer provides a multi-bit memory characteristic to the memory layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，存储元件可以包括第一电极，与第一电极间隔开的第二电极，在第一电极和第二电极之间的存储层，以及在存储层和第二电极之间的辅助层。 辅助层向存储器层提供多位存储器特性。

公开(公告)号：US20120319076A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13483578

申请日：2012-05-30

申请人： Chang-bum Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee ,  Kyung-min Kim

发明人： Chang-bum Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee ,  Kyung-min Kim

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： G11C11/5685 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1675

摘要： In one embodiment, the memory element may include a first electrode, a second electrode spaced apart from the first electrode, a memory layer between the first electrode and the second electrode, and an auxiliary layer between the memory layer and the second electrode. The auxiliary layer provides a multi-bit memory characteristic to the memory layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，存储元件可以包括第一电极，与第一电极间隔开的第二电极，在第一电极和第二电极之间的存储层，以及在存储层和第二电极之间的辅助层。 辅助层向存储器层提供多位存储器特性。

公开(公告)号：US09105837B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US12929780

申请日：2011-02-15

申请人： Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/085 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675

摘要： Bipolar memory cells and a memory device including the same are provided, the bipolar memory cells include two bipolar memory layers having opposite programming directions. The two bipolar memory layers may be connected to each other via an intermediate electrode interposed therebetween. The two bipolar memory layers may have the same structure or opposite structures.

摘要翻译： 提供双极存储器单元和包括其的存储器件，双极存储单元包括具有相反编程方向的两个双极存储器层。 两个双极存储器层可以经由插入其间的中间电极彼此连接。 两个双极存储层可以具有相同的结构或相反的结构。

公开(公告)号：US20120032132A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13204138

申请日：2011-08-05

申请人： Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Chang-bum Lee

发明人： Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/146

摘要： Nonvolatile memory elements may include a first electrode, a second electrode, a first buffer layer, a second buffer layer and a memory layer. The memory layer may be between the first and second electrodes. The first butter layer may be between the memory layer and the first electrode. The second buffer layer may be between the memory layer and the second electrode. The memory layer may be a multi-layer structure including a first material layer and a second material layer. The first material layer may include a first metal oxide which is of the same group as, or a different group from, a second metal oxide included in the second material layer.

摘要翻译： 非易失性存储元件可以包括第一电极，第二电极，第一缓冲层，第二缓冲层和存储层。 存储层可以在第一和第二电极之间。 第一黄油层可以在存储层和第一电极之间。 第二缓冲层可以在存储层和第二电极之间。 存储层可以是包括第一材料层和第二材料层的多层结构。 第一材料层可以包括与包括在第二材料层中的第二金属氧化物相同的基团或与其不同的基团的第一金属氧化物。