公开(公告)号：US07301182B1

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：US11226695

申请日：2005-09-13

申请人： Larry Metzger ,  Kerry Ilgenstein ,  Sunil Mehta

发明人： Larry Metzger ,  Kerry Ilgenstein ,  Sunil Mehta

IPC分类号： H01L27/10

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L27/11803

摘要： In one embodiment, a circuit may be formed by forming at least one bent-gate output stage transistor and at least one bent-gate input stage transistor. The bent-gate output stage transistor may be electrically isolated from an input to the bent-gate input stage transistor by forming at least one bent-gate grounded-gate transistor between the bent-gate output stage transistor and the input to the bent-gate input stage transistor.

摘要翻译： 在一个实施例中，可以通过形成至少一个弯曲栅极输出级晶体管和至少一个弯曲栅极输入级晶体管形成电路。 弯曲栅极输出级晶体管可以通过在弯曲栅极输出级晶体管和弯曲栅极的输入之间形成至少一个弯曲栅极接地栅晶体管而与输入到弯曲栅极输入级晶体管的电隔离 输入级晶体管。

公开(公告)号：US20050213271A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US10808627

申请日：2004-03-24

申请人： Nui Chong ,  Aaron Rogers ,  Kerry Ilgenstein

发明人： Nui Chong ,  Aaron Rogers ,  Kerry Ilgenstein

IPC分类号： H02H9/00 ,  H02H9/04

CPC分类号： H02H9/046

摘要： Systems and methods disclosed provide electrostatic discharge protection. For example, in accordance with an embodiment of the present invention, a circuit is disclosed having a diode string and a transistor in a cascode configuration that provides electrostatic discharge (ESD) protection and can operate in a mixed voltage environment.

摘要翻译： 所公开的系统和方法提供静电放电保护。 例如，根据本发明的实施例，公开了一种电路，其具有二极管串和提供静电放电（ESD）保护并可在混合电压环境中工作的共源共栅配置中的晶体管。

公开(公告)号：US20050093577A1

公开(公告)日：2005-05-05

申请号：US10701667

申请日：2003-11-04

申请人： Liem Nguyen ,  Xiaojie He ,  Brian Gaide ,  Kerry Ilgenstein ,  Sajitha Wijesuriya ,  Claudia Stanley ,  Aaron Rogers ,  Zheng Chen

发明人： Liem Nguyen ,  Xiaojie He ,  Brian Gaide ,  Kerry Ilgenstein ,  Sajitha Wijesuriya ,  Claudia Stanley ,  Aaron Rogers ,  Zheng Chen

IPC分类号： H03K3/356 ,  H03K17/693 ,  H03K19/094

CPC分类号： H03K3/356008 ,  H03K17/693

摘要： Multiplexer circuits are disclosed, such as for example for programmable logic devices. As an example of one embodiment, a multiplexer circuit is disclosed having a default state and a state-locking latch.

摘要翻译： 公开了多路复用器电路，例如用于可编程逻辑器件。 作为一个实施例的示例，公开了具有默认状态和状态锁定锁存器的多路复用器电路。

公开(公告)号：US06846714B1

公开(公告)日：2005-01-25

申请号：US10263507

申请日：2002-10-03

申请人： Sunil D. Mehta ,  Kerry Ilgenstein

发明人： Sunil D. Mehta ,  Kerry Ilgenstein

IPC分类号： G11C16/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L27/105 ,  G11C16/30 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11558 ,  Y10S438/981

摘要： An EEPROM device having voltage limiting charge pumping circuitry includes charge pumping circuitry that limits the voltage supplied to the high voltage transistors to levels below the breakdown field of the tunnel oxide layer. The EEPROM device includes a substrate having a programming region, a tunnel region, a sensing region, and a low voltage region. A first oxide layer having a first thickness overlies the tunnel region and the sensing region. A second oxide layer having a second thickness overlies the low voltage region. The first oxide thickness is greater than the second oxide thickness. A charge pumping circuit is coupled to the programming region and to the tunnel region. The charge pumping circuit impresses a voltage level across the first oxide layer that is below the field breakdown voltage of first oxide layer. A process for fabricating the device is also provided.

摘要翻译： 具有电压限制电荷泵浦电路的EEPROM器件包括电荷泵浦电路，其将提供给高压晶体管的电压限制在低于隧道氧化物层的击穿场的水平。 EEPROM器件包括具有编程区域，隧道区域，感测区域和低电压区域的衬底。 具有第一厚度的第一氧化物层覆盖隧道区域和感测区域。 具有第二厚度的第二氧化物层覆盖在低电压区域上。 第一氧化物厚度大于第二氧化物厚度。 电荷泵浦电路耦合到编程区域和隧道区域。 电荷泵浦电路使第一氧化物层的电压电平低于第一氧化物层的场击穿电压。 还提供了一种用于制造该装置的工艺。

公开(公告)号：US07242053B1

公开(公告)日：2007-07-10

申请号：US11036738

申请日：2005-01-14

申请人： Sunil D. Mehta ,  Kerry Ilgenstein

发明人： Sunil D. Mehta ,  Kerry Ilgenstein

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L27/105 ,  G11C16/30 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11558 ,  Y10S438/981

摘要： In one embodiment, an EEPROM device having voltage limiting charge pumping circuitry includes charge-pumping circuitry that limits the voltage supplied to the high voltage transistors to levels below the breakdown field of the tunnel oxide layer. The EEPROM device includes a substrate having a programming region, a tunnel region, a sensing region, and a low voltage region. A first oxide layer having a first thickness overlies the tunnel region and the sensing region. A second oxide layer having a second thickness overlies the low voltage region. The first oxide thickness is greater than the second oxide thickness. A charge pumping circuit is coupled to the programming region and to the tunnel region. The charge pumping circuit impresses a voltage level across the first oxide layer that is below the field breakdown voltage of first oxide layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，具有电压限制电荷泵浦电路的EEPROM器件包括电荷泵浦电路，其将提供给高压晶体管的电压限制在低于隧道氧化物层的击穿场的水平。 EEPROM器件包括具有编程区域，隧道区域，感测区域和低电压区域的衬底。 具有第一厚度的第一氧化物层覆盖隧道区域和感测区域。 具有第二厚度的第二氧化物层覆盖在低电压区域上。 第一氧化物厚度大于第二氧化物厚度。 电荷泵浦电路耦合到编程区域和隧道区域。 电荷泵浦电路使第一氧化物层的电压电平低于第一氧化物层的场击穿电压。