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1.发明授权公开(公告)号：US08691011B2
公开(公告)日：2014-04-08
申请号：US12224822
申请日：2007-03-07
IPC分类号： C30B23/00
CPC分类号： C30B25/04 , B01J21/08 , B82Y30/00 , C30B29/62 , H01L21/02381 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/201
摘要： The present invention relates to epitaxial growth of nanowires on a substrate. In particular the invention relates to growth of nanowires on an Si-substrate without using Au as a catalyst. In the method according to the invention an oxide template is provided on a passivated surface of the substrate. The oxide template defines a plurality of nucleation onset positions for subsequent nanowire growth. According to one embodiment a thin organic film is used to form the oxide template.
摘要翻译： 本发明涉及纳米线在衬底上的外延生长。 特别地，本发明涉及不使用Au作为催化剂的Si衬底上的纳米线的生长。 在根据本发明的方法中，在衬底的钝化表面上提供氧化物模板。 氧化物模板定义了随后的纳米线生长的多个成核起始位置。 根据一个实施方案，使用薄的有机膜来形成氧化物模板。
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2.发明申请公开(公告)号：US20090301389A1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：US12224822
申请日：2007-03-07
IPC分类号： C30B23/00
CPC分类号： C30B25/04 , B01J21/08 , B82Y30/00 , C30B29/62 , H01L21/02381 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/201
摘要： The present invention relates to epitaxial growth of nanowires on a substrate. In particular the invention relates to growth of nanowires on an Si-substrate without using Au as a catalyst. In the method according to the invention an oxide template is provided on a passivated surface of the substrate. The oxide template defines a plurality of nucleation onset positions for subsequent nanowire growth. According to one embodiment a thin organic film is used to form the oxide template.
摘要翻译： 本发明涉及纳米线在衬底上的外延生长。 特别地，本发明涉及在不使用Au作为催化剂的情况下在Si衬底上生长纳米线。 在根据本发明的方法中，在衬底的钝化表面上提供氧化物模板。 氧化物模板定义了随后的纳米线生长的多个成核起始位置。 根据一个实施方案，使用薄的有机膜来形成氧化物模板。
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