公开(公告)号：US06468927B1

公开(公告)日：2002-10-22

申请号：US09574271

申请日：2000-05-19

申请人： Lin Zhang ,  Wen Ma ,  Zhuang Li

发明人： Lin Zhang ,  Wen Ma ,  Zhuang Li

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/02131 ,  C23C16/401 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31629 ,  Y10S438/958

摘要： Gap-fill and damascene methods are disclosed for depositing an insulating thin film of nitrofluorinated silicate glass on a substrate in a process chamber. A high-density plasma, generated from a gaseous mixture of silicon-, fluorine-, oxygen-, and nitrogen-containing gases, deposits a layer of nitrofluorinated silicate glass onto the substrate. For gap-fill applications, the substrate is biased with a bias power density between 4.8 and 11.2 W/cm2 and the ratio of flow rate for the oxygen-containing gas to the combined flow rate for all silicon-containing gases in the process chamber is between 1.0 and 1.8, preferably between 1.2 and 1.4. For damascene applications, the bias power density is less than 3.2 W/cm2, preferably 1.6 W/cm2, and the flow rate ratio is between 1.2 and 3.0. Using optimized parameters, the thin film has a lower dielectric constant and better adhesion properties than fluorosilicate glass.

摘要翻译： 公开了间隙填充和镶嵌方法，用于在处理室中的基底上沉积硝基氟化硅酸盐玻璃的绝缘薄膜。 由硅，氟，氧和含氮气体的气体混合物产生的高密度等离子体将一层硝基氟化硅酸盐玻璃沉积在基底上。 对于间隙填充应用，衬底偏置功率密度在4.8和11.2W / cm2之间，并且含氧气体的流速与处理室中所有含硅气体的组合流速之比为 在1.0和1.8之间，优选在1.2和1.4之间。 对于镶嵌应用，偏压功率密度小于3.2W / cm2，优选1.6W / cm 2，流速比在1.2和3.0之间。 使用优化的参数，薄膜具有比氟硅酸盐玻璃更低的介电常数和更好的粘合性能。

公开(公告)号：US20100317146A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12862334

申请日：2010-08-24

申请人： Ashok Sinha ,  Wen Ma

发明人： Ashok Sinha ,  Wen Ma

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/075 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Substrates for solar cells are prepared by etching a plurality of metallurgical grade wafers; depositing aluminum layer on backside of each wafer; depositing a layer of hydrogenated silicon nitride on front surface of each wafer; annealing the wafers at elevated temperature; removing the hydrogenated silicon nitride without disturbing the aluminum layer. A solar cell is then fabricated on the front surface of the wafer while the aluminum remain to serve as the back contact of the cell.

摘要翻译： 通过蚀刻多个冶金级晶片来制备用于太阳能电池的基板; 在每个晶片的背面沉积铝层; 在每个晶片的前表面上沉积一层氢化氮化硅; 在高温退火晶片; 在不干扰铝层的情况下除去氢化氮化硅。 然后在晶片的前表面上制造太阳能电池，同时铝保持用作电池的背接触。

公开(公告)号：USD967096S1

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：US29724562

申请日：2020-02-18

申请人： Wen Ma

设计人： Wen Ma

公开(公告)号：USD925534S1

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：US29724563

申请日：2020-02-18

申请人： Wen Ma

设计人： Wen Ma

公开(公告)号：US08796066B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US12862334

申请日：2010-08-24

申请人： Ashok Sinha ,  Wen Ma

发明人： Ashok Sinha ,  Wen Ma

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/075

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/075 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Substrates for solar cells are prepared by etching a plurality of metallurgical grade wafers; depositing aluminum layer on backside of each wafer; depositing a layer of hydrogenated silicon nitride on front surface of each wafer; annealing the wafers at elevated temperature; removing the hydrogenated silicon nitride without disturbing the aluminum layer. A solar cell is then fabricated on the front surface of the wafer while the aluminum remain to serve as the back contact of the cell.

摘要翻译： 通过蚀刻多个冶金级晶片来制备用于太阳能电池的基板; 在每个晶片的背面沉积铝层; 在每个晶片的前表面上沉积氢化氮化硅层; 在高温退火晶片; 在不干扰铝层的情况下除去氢化氮化硅。 然后在晶片的前表面上制造太阳能电池，同时铝保持用作电池的背接触。

公开(公告)号：US20090206056A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：US12367488

申请日：2009-02-06

申请人： Songlin Xu ,  Daniel J. Devine ,  Wen Ma ,  Ce Qin ,  Vijay Vaniapura

发明人： Songlin Xu ,  Daniel J. Devine ,  Wen Ma ,  Ce Qin ,  Vijay Vaniapura

IPC分类号： C23F1/00 ,  C23F1/08 ,  B05C11/00 ,  C23C16/52

CPC分类号： H01J37/32449 ,  H01J37/3244

摘要： A multi-station workpiece processing system provides a targeted equal share of a regulated input process gas flow to each active processing station of a plurality of active processing stations using a single gas flow regulator for each gas and irrespective of the number of inactive processing stations.

摘要翻译： 多工位工件处理系统使用单个气体流量调节器为每个气体提供对多个有效处理站的每个主动处理站的调节输入处理气体流量的目标相等份额，而不考虑非活动处理站的数量。