公开(公告)号：US20100296679A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12783103

申请日：2010-05-19

申请人： Marc Hofmann ,  Christoph Konrad Schmid ,  Michael Sieber

发明人： Marc Hofmann ,  Christoph Konrad Schmid ,  Michael Sieber

IPC分类号： H04R25/00

CPC分类号： H04R25/70 ,  H04R2225/39 ,  H04R2225/41

摘要： A method provides time-dependent automatic acclimatization of at least one parameter of a hearing device, for example the volume, to a predeterminable target. In the method the speed of the automatic acclimatization is influenced by parameter changes made by a wearer of the hearing device himself. Advantageously this makes it possible to address the individual familiarizing phase and requirements of the wearer of the hearing device and finally to set an optimum parameter value.

摘要翻译： 一种方法将听力设备（例如音量）的至少一个参数的时间依赖性自适应环境定向到可预定的目标。 在该方法中，自动适应的速度受到听力装置自身佩戴者所做的参数变化的影响。 有利地，这使得可以解决听力设备的佩戴者的个人熟悉阶段和要求，并且最终设置最佳参数值。

公开(公告)号：US20110272020A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US13144531

申请日：2009-12-03

申请人： Daniel Biro ,  Oliver Schultz-Wittmann ,  Anke Lemke ,  Jochen Rentsch ,  Florian Clement ,  Marc Hofmann ,  Andreas Wolf ,  Luca Gautero ,  Sebastian Mack ,  Ralf Preu

发明人： Daniel Biro ,  Oliver Schultz-Wittmann ,  Anke Lemke ,  Jochen Rentsch ,  Florian Clement ,  Marc Hofmann ,  Andreas Wolf ,  Luca Gautero ,  Sebastian Mack ,  Ralf Preu

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1868 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A method for producing a solar cell from a silicon wafer, including the following process steps: A) texturizing one side of the silicon substrate (1) for improving the absorption or removing saw damage on one side of the silicon substrate (1); B) generating an emitter area (2) on one side of the silicon substrate (1) by diffusing in a doping material for forming a pn transition; C) removing a glass layer which comprises the doping material; D) applying a masking layer (3) which is a dielectric layer; E) removing one part of the material of the silicon substrate (1); F) applying metal structures (5, 6) for electrically contacting the solar cell. It is significant that thermal oxidation is performed between the process steps E and F for forming an oxide layer (4) and that the masking layer (3) and the oxide layer (4) remain on the silicon substrate (1) in the subsequent process steps.

摘要翻译： 一种从硅晶片制造太阳能电池的方法，包括以下工艺步骤：A）使硅衬底（1）的一侧变形，以改善在硅衬底（1）的一侧的吸收或去除锯损坏; B）通过在用于形成pn转变的掺杂材料中扩散而在硅衬底（1）的一侧上产生发射极区域（2） C）去除包含掺杂材料的玻璃层; D）施加作为电介质层的掩模层（3）; E）去除硅衬底（1）的材料的一部分; F）施加用于电接触太阳能电池的金属结构（5,6）。 重要的是，在用于形成氧化物层（4）的工艺步骤E和F之间进行热氧化，并且在后续工艺中，掩模层（3）和氧化物层（4）保留在硅衬底（1）上 脚步。

公开(公告)号：US08828790B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13061158

申请日：2009-08-20

申请人： Ralf Preu ,  Andreas Grohe ,  Daniel Biro ,  Jochen Rentsch ,  Marc Hofmann ,  Jan-Frederik Nekarda ,  Andreas Wolf

发明人： Ralf Preu ,  Andreas Grohe ,  Daniel Biro ,  Jochen Rentsch ,  Marc Hofmann ,  Jan-Frederik Nekarda ,  Andreas Wolf

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/18 ,  H01L21/225 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

摘要： A method for local contacting and local doping of a semiconductor layer including the following process steps: A) Generation of a layer structure on the semiconductor layer through i) application of at least one intermediate layer on one side of the semiconductor layer, and ii) application of at least one metal layer onto the intermediate layer last applied in step i), wherein the metal layer at least partly covers the last applied intermediate layer, B) Local heating of the layer structure in such a manner that in a local region a short-time melt-mixture of at least partial regions of at least the layers: metal layer, intermediate layer and semiconductor layer, forms. After solidification of the melt-mixture, a contacting is created between metal layer and semiconductor layer. It is essential that in step A) i) at least one intermediate layer designed as dopant layer is applied, which contains a dopant wherein the dopant has a greater solubility in the semiconductor layer than the metal of the metal layer.

摘要翻译： 一种半导体层的局部接触和局部掺杂的方法，包括以下工艺步骤：A）通过在半导体层的一侧上施加至少一个中间层，在半导体层上产生层结构，以及ii） 在步骤i）中最后施加至少一个金属层到中间层上，其中金属层至少部分地覆盖最后施加的中间层，B）层结构的局部加热，使得在局部区域a 形成至少两层以上金属层，中间层和半导体层的至少部分区域的短时熔融混合物。 在熔融混合物固化之后，在金属层和半导体层之间形成接触。 重要的是，在步骤A）中，i）施加设计为掺杂剂层的至少一个中间层，其包含掺杂剂，其中掺杂剂在半导体层中比金属层的金属具有更大的溶解度。

公开(公告)号：US20110233711A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13061158

申请日：2009-08-20

申请人： Ralf Preu ,  Andreas Grohe ,  Daniel Biro ,  Jochen Rentsch ,  Marc Hofmann ,  Jan-Frederik Nekarda ,  Andreas Wolf

发明人： Ralf Preu ,  Andreas Grohe ,  Daniel Biro ,  Jochen Rentsch ,  Marc Hofmann ,  Jan-Frederik Nekarda ,  Andreas Wolf

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/24

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

摘要： A method for local contacting and local doping of a semiconductor layer including the following process steps: A) Generation of a layer structure on the semiconductor layer through i) application of at least one intermediate layer on one side of the semiconductor layer, and ii) application of at least one metal layer onto the intermediate layer last applied in step i), wherein the metal layer at least partly covers the last applied intermediate layer, B) Local heating of the layer structure in such a manner that in a local region a short-time melt-mixture of at least partial regions of at least the layers: metal layer, intermediate layer and semiconductor layer, forms. After solidification of the melt-mixture, a contacting is created between metal layer and semiconductor layer. It is essential that in step A) i) at least one intermediate layer designed as dopant layer is applied, which contains a dopant wherein the dopant has a greater solubility in the semiconductor layer than the metal of the metal layer.

摘要翻译： 一种半导体层的局部接触和局部掺杂的方法，包括以下工艺步骤：A）通过在半导体层的一侧上施加至少一个中间层，在半导体层上产生层结构，以及ii） 在步骤i）中最后施加至少一个金属层到中间层上，其中金属层至少部分地覆盖最后施加的中间层，B）层结构的局部加热，使得在局部区域a 形成至少两层以上金属层，中间层和半导体层的至少部分区域的短时熔融混合物。 在熔融混合物固化之后，在金属层和半导体层之间形成接触。 重要的是，在步骤A）中，i）施加设计为掺杂剂层的至少一个中间层，其包含掺杂剂，其中掺杂剂在半导体层中比金属层的金属具有更大的溶解度。

公开(公告)号：US20090032095A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12162755

申请日：2007-02-15

申请人： Oliver Schultz ,  Marc Hofmann

发明人： Oliver Schultz ,  Marc Hofmann

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L21/31 ,  H01L23/58 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/056 ,  Y02E10/52

摘要： The invention relates to a method for the production of a semiconductor component having at least one optically reflective surface in which a silicon wafer, which has an etchable dielectric layer at least in regions on at least one of its surfaces, is provided with a silicon-containing masking layer in order to screen against fluid media. In addition a layer comprising aluminium is deposited on the masking layer and subsequently a thermal treatment of the semiconductor component is undertaken, the result being dissolving of the silicon in the aluminium. Furthermore, the invention relates to a corresponding semiconductor component made of a silicon wafer having at least one optically reflective surface. Semiconductor components of this type are used in particular as solar cells.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于生产具有至少一个光学反射表面的半导体部件的方法，其中至少在其至少一个表面上的区域中具有可蚀刻介电层的硅晶片设置有硅 - 以便屏蔽流体介质。 此外，包含铝的层沉积在掩模层上，随后进行半导体部件的热处理，其结果是将硅溶解在铝中。 此外，本发明涉及由具有至少一个光学反射表面的硅晶片制成的相应的半导体部件。 这种类型的半导体元件特别用作太阳能电池。

公开(公告)号：US20070242050A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11808246

申请日：2007-06-07

申请人： Hermann Kuenzner ,  Marc Hofmann

发明人： Hermann Kuenzner ,  Marc Hofmann

IPC分类号： G09G5/00

CPC分类号： G06F3/0482 ,  B60K37/06 ,  B60K2370/11 ,  B60K2370/122 ,  G06F3/04817 ,  G06F3/04895

摘要： A multifunctional operating device for a hierarchical menu structure consisting of several menus, includes a video screen, several operating keys, to which in each case one function within the menu structure can be assigned arbitrarily and can be selected by operating the respective operating key, and assigned visual information concerning the function selected by the operating key on the video screen. An operating status is assigned to the operating keys, in which operating status the assigned visual information concerning the selectable function is displayed on the video screen.

摘要翻译： 一种用于由几个菜单组成的分级菜单结构的多功能操作装置，包括一个视频屏幕，几个操作键，在每种情况下可以任意地分配菜单结构内的一个功能，并且可以通过操作相应的操作键来选择它们;以及 指定与视频屏幕上由操作键选择的功能有关的视觉信息。 将操作状态分配给操作键，其中在视频屏幕上显示关于可选功能的所分配的视觉信息的操作状态。