公开(公告)号：US08885399B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13075037

申请日：2011-03-29

申请人： Maurits Mario Nicolaas Storms ,  Erik Maria van Bussel ,  Godefridus Adrianus Maria Hurkx ,  Michiel Jos van Duuren

发明人： Maurits Mario Nicolaas Storms ,  Erik Maria van Bussel ,  Godefridus Adrianus Maria Hurkx ,  Michiel Jos van Duuren

IPC分类号： G11C11/56 ,  G11C8/00 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82

摘要： A phase change memory (PCM) architecture and a method for writing a PCM architecture are described. In one embodiment, a PCM architecture includes a PCM array, word line driver circuits, bit line driver circuits, a source driver circuit and a voltage supply circuit. The bit line driver circuits are connected to the PCM array and the electrical ground. Other embodiments are also described.

摘要翻译： 描述了相变存储器（PCM）架构和用于写入PCM架构的方法。 在一个实施例中，PCM架构包括PCM阵列，字线驱动电路，位线驱动电路，源极驱动电路和电压供给电路。 位线驱动电路连接到PCM阵列和电接地。 还描述了其它实施例。

公开(公告)号：US20120250401A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13075037

申请日：2011-03-29

申请人： Maurits Mario Nicolaas Storms ,  Erik Maria van Bussel ,  Godefridus Adrianus Maria Hurkx ,  Michiel Jos van Duuren

发明人： Maurits Mario Nicolaas Storms ,  Erik Maria van Bussel ,  Godefridus Adrianus Maria Hurkx ,  Michiel Jos van Duuren

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82

摘要： A phase change memory (PCM) architecture and a method for writing a PCM architecture are described. In one embodiment, a PCM architecture includes a PCM array, word line driver circuits, bit line driver circuits, a source driver circuit and a voltage supply circuit. The bit line driver circuits are connected to the PCM array and the electrical ground. Other embodiments are also described.

摘要翻译： 描述了相变存储器（PCM）架构和用于写入PCM架构的方法。 在一个实施例中，PCM架构包括PCM阵列，字线驱动电路，位线驱动电路，源极驱动电路和电压供给电路。 位线驱动电路连接到PCM阵列和电接地。 还描述了其它实施例。

公开(公告)号：US07038936B2

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：US10503459

申请日：2003-01-20

申请人： Evert Seevinck ,  Alain Michel Marie Thijs ,  Patrick Van De Steeg ,  Maurits Mario Nicolaas Storms

发明人： Evert Seevinck ,  Alain Michel Marie Thijs ,  Patrick Van De Steeg ,  Maurits Mario Nicolaas Storms

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C7/062 ,  G11C11/419

摘要： A reading circuit comprises a first and second cascode circuit and a first and second current mirror. The first cascode circuit can be connected to a bit line of a memory cell and the second cascode circuit can be connected to a reference bit line of a reference cell. The first output terminals of the first and second cascode circuits are connected to first terminals of the first and second current mirrors, respectively. The second output terminals of the first and second cascode circuits are connected to the second terminals of the second and first current mirrors, respectively. A tri-state buffer is coupled between the second terminals of the first and second current mirrors said buffer having bit invert capabilities.

摘要翻译： 读取电路包括第一和第二共源共栅电路以及第一和第二电流镜。 第一级联电路可以连接到存储器单元的位线，并且第二级联电路可以连接到参考单元的参考位线。 第一和第二共源共栅电路的第一输出端分别连接到第一和第二电流镜的第一端。 第一和第二共源共栅电路的第二输出端分别连接到第二和第一电流镜的第二端。 三态缓冲器耦合在第一和第二电流镜的第二端之间，所述缓冲器具有位反转能力。