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    QUASI SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN FinFET PROCESS
    1.
    发明申请
    QUASI SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN FinFET PROCESS 审中-公开
    QUASI自对准源/漏极FinFET工艺

    公开(公告)号：US20080042202A1

    公开(公告)日：2008-02-21

    申请号：US11874753

    申请日：2007-10-18

    申请人： Meikei Ieong ,  Thomas Ludwig ,  Edward Nowak ,  Qiqing Ouyang

    发明人： Meikei Ieong ,  Thomas Ludwig ,  Edward Nowak ,  Qiqing Ouyang

    IPC分类号： H01L27/12

    CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L21/845 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

    摘要： A method of forming a semiconductor structure including a plurality of finFFET devices in which crossing masks are employed in providing a rectangular patterns to define relatively thin Fins along with a chemical oxide removal (COR) process is provided. The present method further includes a step of merging adjacent Fins by the use of a selective silicon-containing material. The present invention also relates to the resultant semiconductor structure that is formed utilizing the method of the present invention.

    摘要翻译： 提供了一种形成包括多个finFFET器件的半导体结构的方法，其中使用交叉掩模提供矩形图案以限定相对薄的金属丝以及化学氧化物去除（COR）工艺。 本方法还包括通过使用选择性含硅材料来合并相邻的金属丝的步骤。 本发明还涉及利用本发明的方法形成的所得半导体结构。

    QUASI SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN FinFET PROCESS
    2.
    发明申请
    QUASI SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN FinFET PROCESS 失效
    QUASI自对准源/漏极FinFET工艺

    公开(公告)号：US20070108536A1

    公开(公告)日：2007-05-17

    申请号：US11164215

    申请日：2005-11-15

    申请人： MeiKei Ieong ,  Thomas Ludwig ,  Edward Nowak ,  Qiqing Ouyang

    发明人： MeiKei Ieong ,  Thomas Ludwig ,  Edward Nowak ,  Qiqing Ouyang

    IPC分类号： H01L21/8244

    CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L21/845 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

    摘要： A method of forming a semiconductor structure including a plurality of finFFET devices in which crossing masks are employed in providing a rectangular patterns to define relatively thin Fins along with a chemical oxide removal (COR) process is provided. The present method further includes a step of merging adjacent Fins by the use of a selective silicon-containing material. The present invention also relates to the resultant semiconductor structure that is formed utilizing the method of the present invention.

    摘要翻译： 提供了一种形成包括多个finFFET器件的半导体结构的方法，其中使用交叉掩模提供矩形图案以限定相对薄的金属丝以及化学氧化物去除（COR）工艺。 本方法还包括通过使用选择性含硅材料来合并相邻的金属丝的步骤。 本发明还涉及利用本发明的方法形成的所得半导体结构。

    DENSE CHEVRON finFET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
    3.
    发明申请
    DENSE CHEVRON finFET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME 有权
    DENSE CHEVRON finFET及其制造方法

    公开(公告)号：US20080006852A1

    公开(公告)日：2008-01-10

    申请号：US11857806

    申请日：2007-09-19

    申请人： Jochen Beintner ,  Thomas Ludwig ,  Edward Nowak

    发明人： Jochen Beintner ,  Thomas Ludwig ,  Edward Nowak

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

    摘要： A method, structure and alignment procedure, for forming a finFET. The method including, defining a first fin of the finFET with a first mask and defining a second fin of the finFET with a second mask. The structure including integral first and second fins of single-crystal semiconductor material and longitudinal axes of the first and second fins aligned in the same crystal direction but offset from each other. The alignment procedure including simultaneously aligning alignment marks on a gate mask to alignment targets formed separately by a first masked used to define the first fin and a second mask used to define the second fin.

    摘要翻译： 用于形成finFET的方法，结构和取向程序。 该方法包括：用第一掩模限定finFET的第一鳍片，并用第二掩模限定finFET的第二鳍片。 该结构包括单晶半导体材料的整体第一和第二鳍片以及第一和第二鳍片的纵向轴线在相同的晶体方向上排列但彼此偏移。 对准过程包括同时将栅极掩模上的对准标记对准由通过用于限定第一鳍片的第一掩模单独形成的对准靶和用于限定第二鳍片的第二掩模。

    DENSE CHEVRON finFET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
    4.
    发明申请
    DENSE CHEVRON finFET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME 有权
    DENSE CHEVRON finFET及其制造方法

    公开(公告)号：US20070063276A1

    公开(公告)日：2007-03-22

    申请号：US11162663

    申请日：2005-09-19

    申请人： Jochen Beintner ,  Thomas Ludwig ,  Edward Nowak

    发明人： Jochen Beintner ,  Thomas Ludwig ,  Edward Nowak

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

    摘要： A method, structure and alignment procedure, for forming a finFET. The method including, defining a first fin of the finFET with a first mask and defining a second fin of the finFET with a second mask. The structure including integral first and second fins of single-crystal semiconductor material and longitudinal axes of the first and second fins aligned in the same crystal direction but offset from each other. The alignment procedure including simultaneously aligning alignment marks on a gate mask to alignment targets formed separately by a first masked used to define the first fin and a second mask used to define the second fin.

    摘要翻译： 用于形成finFET的方法，结构和取向程序。 该方法包括：用第一掩模限定finFET的第一鳍片，并用第二掩模限定finFET的第二鳍片。 该结构包括单晶半导体材料的整体第一和第二鳍片以及第一和第二鳍片的纵向轴线在相同的晶体方向上排列但彼此偏移。 对准过程包括同时将栅极掩模上的对准标记对准由通过用于限定第一鳍片的第一掩模单独形成的对准靶和用于限定第二鳍片的第二掩模。

    Pressure sensor
    7.
    发明授权
    Pressure sensor 有权
    压力传感器

    公开(公告)号：US07472600B2

    公开(公告)日：2009-01-06

    申请号：US11575778

    申请日：2005-09-06

    申请人： Peter Wolfer ,  Reinhold Hess ,  Michael Mueller ,  Claudio Cavalloni ,  Christoph Kern ,  Steffen Schott ,  Pavlo Saltikov ,  Thomas Ludwig ,  Juergen Krueger

    发明人： Peter Wolfer ,  Reinhold Hess ,  Michael Mueller ,  Claudio Cavalloni ,  Christoph Kern ,  Steffen Schott ,  Pavlo Saltikov ,  Thomas Ludwig ,  Juergen Krueger

    IPC分类号： G01L9/00

    CPC分类号： G01L23/10 ,  B29C45/77 ,  G01L9/0089 ,  G01L23/22

    摘要： The invention relates to a pressure sensor (1), comprising a housing (2), a housing element (3) which may be exposed to a pressure chamber (10), mounted on the housing (2) by means of a metallic membrane (5) and a measuring cell (4) which can indirectly measure a pressure acting on the housing element (3) and transmitted to the measuring cell (4) as a force resulting therefrom. According to the invention, said pressure sensor (1) comprises a housing element (3) embodied as a pin and projects out of the housing (2). The advantage of such an arrangement is only a small drilling to a pressure chamber (10) need be provided, in order to carry out a pressure measurement. The pin (3) need only be so long that the front end thereof, in the assembled state, approximately reaches the wall (11) of the pressure chamber (10).

    摘要翻译： 本发明涉及一种压力传感器（1），包括壳体（2），可暴露于压力室（10）的壳体元件（3），借助于金属膜（2）安装在壳体（2）上 5）和可以间接地测量作用在壳体元件（3）上并由其产生的力传递到测量单元（4）的压力的测量单元（4）。 根据本发明，所述压力传感器（1）包括实施为销并突出到壳体（2）外的壳体元件（3）。 这种布置的优点是仅需要提供对压力室（10）的小钻孔，以便进行压力测量。 销（3）仅需要使其前端在组装状态下大致到达压力室（10）的壁（11）。

    Sheathed-element glow plug having an elastically mounted glow element
    8.
    发明授权
    Sheathed-element glow plug having an elastically mounted glow element 有权
    护套元件电热塞具有弹性安装的发光元件

    公开(公告)号：US07431003B2

    公开(公告)日：2008-10-07

    申请号：US10593434

    申请日：2005-01-17

    申请人： Thomas Ludwig ,  Andreas Reissner ,  Oliver Glock

    发明人： Thomas Ludwig ,  Andreas Reissner ,  Oliver Glock

    IPC分类号： F23Q7/22

    CPC分类号： F23Q7/001 ,  F02P19/028 ,  F23Q2007/002 ,  G01L23/10

    摘要： The present invention relates to a sheathed-element glow plug (1) for an internal combustion engine, essentially made up of a plug shell (2) and a glow element (3) that is electrically connected to the plug shell (2), as well as an integrated pressure sensor.The sheathed-element glow plug (1) has at least one elastic element (4; 204, 204′; 304) that is situated between the inner surface (10) of the plug shell (2) and the glow element (3), this element forming an electrical contact both to a part of the inner surface (10) of the plug shell (2) and to a part of the glow element surface (7), and this element being deformable when a force acts on the glow element (3), and this element permitting a relative movement between the glow element (3) and the shell (2).

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于内燃机的护套元件电热塞（1），其基本上由插头壳（2）和与插头壳（2）电连接的发光元件（3）组成，如 以及一个集成的压力传感器。 护套元件电热塞（1）具有位于插头外壳（2）的内表面（10）和发光元件（3）之间的至少一个弹性元件（4; 204,204'; 304） 该元件与插头壳体（2）的内表面（10）的一部分和发光元件表面（7）的一部分形成电接触，并且当元件作用在辉光元件上时该元件可变形 （3），并且该元件允许发光元件（3）和壳体（2）之间的相对运动。

    Device for guiding sheets
    10.
    发明授权
    Device for guiding sheets 失效
    导板的装置

    公开(公告)号：US07328899B2

    公开(公告)日：2008-02-12

    申请号：US10332829

    申请日：2001-06-19

    申请人： Peter Wulf ,  Edgar Dörsam ,  Frank Seidel ,  Rainer Gebhardt ,  Udo Trillig ,  Thomas Litterst ,  Thomas Ludwig

    发明人： Peter Wulf ,  Edgar Dörsam ,  Frank Seidel ,  Rainer Gebhardt ,  Udo Trillig ,  Thomas Litterst ,  Thomas Ludwig

    IPC分类号： B41L21/02

    CPC分类号： B41F21/005

    摘要： An apparatus for fixing a sheet on the surface of an electrically conductive cylinder of a printing machine for processing sheets, in particular, a sheet-fed offset printing machine. The apparatus includes an electrode that extends over the width of the cylinder for creating an electric field for adhering the sheet to the surface of the cylinder and an air directing device for directing pressurized air streams against the sheet and preliminary positioning the sheet onto the cylinder prior to being acted upon by the electric field. Various alternative embodiments of the sheet fixing apparatus are disclosed.

    摘要翻译： 一种用于将片材固定在用于处理片材的印刷机的导电圆柱体的表面上的装置，特别是单张胶版印刷机。 该装置包括在气缸的宽度上延伸的电极，用于产生用于将片粘合到气缸的表面的电场;以及空气引导装置，用于将加压空气流引导到片材上，并将片材预先定位在圆筒上 被电场所影响。 公开了片材定影装置的各种替代实施例。