公开(公告)号：US20120070007A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13232696

申请日：2011-09-14

申请人： Mi Young KIM ,  Ki Hyun CHOO ,  Eun Mi OH ,  Boris KUDRYASHOV ,  Kirill YURKOV

发明人： Mi Young KIM ,  Ki Hyun CHOO ,  Eun Mi OH ,  Boris KUDRYASHOV ,  Kirill YURKOV

IPC分类号： H04R5/00

CPC分类号： H04S3/008 ,  G10L19/008 ,  G10L21/038 ,  H04S2400/03 ,  H04S2420/03 ,  H04S2420/07

摘要： A method and apparatus of effectively encoding and decoding a high-frequency signal of a multi-channel audio are provided. A multi-channel audio decoding apparatus may down-mix a multi-channel audio input signal, expand a number of channels of the down-mixed signal, select at least one of the expanded channel signal, extract a parameter indicating a characteristic relation between the selected signal and the multi-channel audio input signal, and encode the down-mixed signal and the extracted parameter.

摘要翻译： 提供了一种有效地对多声道音频的高频信号进行编码和解码的方法和装置。 多声道音频解码装置可以对多声道音频输入信号进行降混，扩大下混合信号的信道数，选择扩展信道信号中的至少一个，提取表示该信道的特征关系的参数 选择信号和多声道音频输入信号，并对下混合信号和提取的参数进行编码。

公开(公告)号：US20120020482A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13183858

申请日：2011-07-15

申请人： Mi Young KIM ,  Jung Hoe Kim ,  Ho Sang Sung ,  Ki Hyun Choo ,  Eun Mi Oh

发明人： Mi Young KIM ,  Jung Hoe Kim ,  Ho Sang Sung ,  Ki Hyun Choo ,  Eun Mi Oh

IPC分类号： H04R5/00

CPC分类号： G10L19/008 ,  G10L19/032 ,  H04S3/02

摘要： Disclosed is an apparatus for encoding and decoding a multi-channel audio signal. The apparatus for encoding the multi-channel audio signal groups channels of a multi-channel audio signal, eliminates redundant information between channels using a mixing matrix including phase information, converts a frequency of the signal, and encodes the signal.

摘要翻译： 公开了一种用于对多声道音频信号进行编码和解码的装置。 用于对多声道音频信号进行编码的装置组合多声道音频信号的频道，使用包括相位信息的混合矩阵消除信道之间的冗余信息，转换信号的频率并对信号进行编码。

公开(公告)号：US20120294447A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13483954

申请日：2012-05-30

申请人： Jung Hoe KIM ,  Eunmi OH ,  Mi Young KIM ,  Ki Hyun CHOO

发明人： Jung Hoe KIM ,  Eunmi OH ,  Mi Young KIM ,  Ki Hyun CHOO

IPC分类号： H04R5/00

CPC分类号： G10L19/008

摘要： An apparatus and method for encoding/decoding a multi-channel signal may be provided. The apparatus of encoding a multi-channel signal may insert information about whether to encode a phase parameter indicating phase information of a plurality of channels, included in the multi-channel signal, in a bitstream of the multi-channel signal. The apparatus of decoding a multi-channel signal may determine whether to up-mix a mono signal using the phase parameter based on the information about whether to encode.

摘要翻译： 可以提供用于对多信道信号进行编码/解码的装置和方法。 编码多声道信号的装置可以在多声道信号的比特流中插入关于是否编码指示包括在多声道信号中的多个声道的相位信息的相位参数的信息。 解码多声道信号的装置可以基于关于是否编码的信息，使用相位参数来确定是否对单声道信号进行混合。

公开(公告)号：US20120221343A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13464509

申请日：2012-05-04

申请人： Mi Young KIM ,  Jung Hoe Kim ,  Hwan Shim ,  Eun MI OH

发明人： Mi Young KIM ,  Jung Hoe Kim ,  Hwan Shim ,  Eun MI OH

IPC分类号： G10L19/00

CPC分类号： G10L19/008

摘要： An apparatus for encoding/decoding a multichannel signal. The apparatus for encoding/decoding a multichannel signal processes phase parameters for phase information among a plurality of channels constituting the multichannel signal in consideration of the characteristics of the multichannel signal. The apparatus generates an encoded bit stream for the multichannel signal using the processed phase parameters and the mono signal extracted from the multichannel signal.

公开(公告)号：US20100163984A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12643631

申请日：2009-12-21

申请人： Mi Young KIM

发明人： Mi Young KIM

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/086 ,  H01L21/823425 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

摘要： Disclosed are lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistors having a uniform threshold voltage and methods for manufacturing the same. The methods include forming a polysilicon layer over the semiconductor substrate including a shallow trench isolation region, etching a portion of the polysilicon layer over an active region, implanting first conductive-type impurity ions using the polysilicon layer as a mask to form a first conductive-type body region, implanting second conductive-type impurity ions using the polysilicon layer as a mask to form a second conductive-type channel region in the first conductive-type body region, removing the polysilicon layer, forming gate electrodes in the polysilicon-free region, and forming a source region and a drain region in the first conductive-type body region using the gate electrode and the shallow trench isolation as ion-implantation masks.

摘要翻译： 公开了具有均匀阈值电压的横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管及其制造方法。 所述方法包括在包括浅沟槽隔离区域的半导体衬底上形成多晶硅层，在有源区上蚀刻多晶硅层的一部分，使用多晶硅层作为掩模注入第一导电型杂质离子，形成第一导电型杂质离子， 使用多晶硅层作为掩模注入第二导电型杂质离子，在第一导电型体区域中形成第二导电型沟道区，去除多晶硅层，在多晶硅区域形成栅电极 并且使用栅电极和浅沟槽隔离作为离子注入掩模在第一导电型体区域中形成源极区域和漏极区域。

公开(公告)号：US20110241175A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13160544

申请日：2011-06-15

申请人： Sang Ran KOH ,  Sang Kyun KIM ,  Sang Hak LIM ,  Mi Young KIM ,  Hui Chan YUN ,  Do Hyeon KIM ,  Dong Seon UH ,  Jong Seob KIM

发明人： Sang Ran KOH ,  Sang Kyun KIM ,  Sang Hak LIM ,  Mi Young KIM ,  Hui Chan YUN ,  Do Hyeon KIM ,  Dong Seon UH ,  Jong Seob KIM

IPC分类号： H01L29/02 ,  C08G77/38 ,  H01L21/31

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

摘要： A hardmask composition for forming a resist underlayer film, a process for producing a semiconductor integrated circuit device, and a semiconductor integrated circuit device, the hardmask composition including an organosilane polymer, and a stabilizer, the stabilizer including one of acetic anhydride, methyl acetoacetate, propionic anhydride, ethyl-2-ethylacetoacetate, butyric anhydride, ethyl-2-ethylacetoacetate, valeric anhydride, 2-methylbutyric anhydride, nonanol, decanol, undecanol, dodecanol, propylene glycol propyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol methyl ether, propylene glycol, phenyltrimethoxysilane, diphenylhexamethoxydisiloxane, diphenylhexaethoxydisiloxane, dioctyltetramethyldisiloxane, hexamethyltrisiloxane, tetramethyldisiloxane, decamethyltetrasiloxane, dodecamethylpentasiloxane, hexamethyldisiloxane, and mixtures thereof.

摘要翻译： 用于形成抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物，半导体集成电路器件的制造方法和半导体集成电路器件，所述硬掩模组合物包含有机硅烷聚合物和稳定剂，所述稳定剂包括乙酸酐，乙酰乙酸甲酯， 丙酸酐，2-乙基乙酰乙酸乙酯，丁酸酐，2-乙基乙酰乙酸乙酯，戊酸酐，2-甲基丁酸酐，壬醇，癸醇，十一烷醇，十二烷醇，丙二醇丙醚，丙二醇乙醚，丙二醇甲醚，丙烯 乙二醇，苯基三甲氧基硅烷，二苯基六甲氧基二硅氧烷，二苯基六乙氧基二硅氧烷，二辛基四甲基二硅氧烷，六甲基三硅氧烷，四甲基二硅氧烷，十甲基四硅氧烷，十二甲基五硅氧烷，六甲基二硅氧烷及其混合物。