公开(公告)号：US07894267B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US11929741

申请日：2007-10-30

申请人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter ,  Harry Kuo

发明人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter ,  Harry Kuo

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/12

摘要： Systems and methods for improving the programming of memory devices. A pulse component applies different programming pulses to a memory cell. An analysis component measures values of one or more characteristics of the memory cell as a function of the applied different programming pulses. A computation component computes the applied different programming pulses as a function of the measured values of the one or more characteristics of the memory cell. The analysis component measures one or more values of the one or more characteristics of the memory cell, the computation component computes one or more programming pulses as a function of the one or more measured values of the one or more characteristics of the memory cell, and the pulse component applies the one or more programming pulses to the memory cell.

摘要翻译： 改进存储器件编程的系统和方法。 脉冲分量将不同的编程脉冲施加到存储单元。 分析组件根据应用的不同编程脉冲测量存储器单元的一个或多个特性的值。 计算组件根据存储单元的一个或多个特性的测量值来计算应用的不同编程脉冲。 分析组件测量存储器单元的一个或多个特性的一个或多个值，计算组件根据存储器单元的一个或多个特性的一个或多个测量值来计算一个或多个编程脉冲，以及 脉冲分量将一个或多个编程脉冲施加到存储器单元。

公开(公告)号：US07835189B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US11687492

申请日：2007-03-16

申请人： Michael Achter ,  Hagop Nazarian

发明人： Michael Achter ,  Hagop Nazarian

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/10

摘要： Flash memory devices have a plurality of memory cells that can be erased and programmed. Performing a voltage verification check allows a for an appropriate state-change voltage to be applied to the flash memory device. The appropriate state-change voltage is determined though accessing a look-up table. Using an appropriate state-change voltage allows a cell to operate with more overall programming cycles.

摘要翻译： 闪存设备具有可被擦除和编程的多个存储器单元。 执行电压验证检查允许将适当的状态变化电压施加到闪存器件。 通过访问查找表来确定适当的状态变化电压。 使用适当的状态变化电压允许电池在更多的总体编程周期下运行。

公开(公告)号：US07567457B2

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US11929724

申请日：2007-10-30

申请人： Hagop Nazarian ,  Harry Kuo ,  Michael Achter

发明人： Hagop Nazarian ,  Harry Kuo ,  Michael Achter

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/04 ,  G11C5/06

CPC分类号： G11C8/14 ,  G11C8/08 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0491 ,  G11C16/10

摘要： An apparatus comprising a two or three dimensional array of a plurality of pairs of non-volatile memory (“NVM”) cells coupled to enable program and erase of the NVM cells. The plurality of pairs of NVM cells is electrically connected to word lines and bit lines. Each pair of NVM cells comprises a first memory cell and a second memory cell. The first and second memory cells comprise a first source/drain, a second source/drain, and a control gate. The first source/drain of the first memory cell is connected to one of the bit lines. The second source/drain of the first memory cell is connected to the first source/drain of the second memory cell. The second source/drain of the second memory cell is connected to another one of the bit lines. The control gates of the first and second memory cells are connected to different word lines.

摘要翻译： 一种包括多对非易失性存储器（“NVM”）单元的二维或三维阵列的装置，其被耦合以使能NVM单元的编程和擦除。 多对NVM单元电连接到字线和位线。 每对NVM单元包括第一存储单元和第二存储单元。 第一和第二存储单元包括第一源极/漏极，第二源极/漏极和控制栅极。 第一存储单元的第一源极/漏极连接到位线之一。 第一存储单元的第二源极/漏极连接到第二存储单元的第一源极/漏极。 第二存储单元的第二源极/漏极连接到另一个位线。 第一和第二存储单元的控制栅极连接到不同的字线。

公开(公告)号：US20090109758A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US11929761

申请日：2007-10-30

申请人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter ,  Harry Kuo

发明人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter ,  Harry Kuo

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0416 ,  G11C16/0491

摘要： A system comprising a program component that programs one or more non-volatile memory (“NVM”) cells of an array of pairs of NVM cells using FN tunneling, an erase component that erases the one or more NVM cells of the array of pairs of NVM cells using FN tunneling, and a read component that reads the one or more NVM cells of the array of pairs of NVM cells.

摘要翻译： 一种包括程序组件的系统，该程序组件使用FN隧道对一组或多个NVM单元阵列的一个或多个非易失性存储器（“NVM”）单元进行编程，所述擦除组件擦除所述NVM单元阵列的一对或多个NVM单元 使用FN隧道的NVM单元，以及读取组件，其读取NVM单元阵列阵列中的一个或多个NVM单元。

公开(公告)号：US20080225596A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US11687492

申请日：2007-03-16

申请人： Michael Achter ,  Hagop Nazarian

发明人： Michael Achter ,  Hagop Nazarian

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C16/10

摘要： Flash memory devices have a plurality of memory cells that can be erased and programmed. Performing a voltage verification check allows a for an appropriate state-change voltage to be applied to the flash memory device. The appropriate state-change voltage is determined though accessing a look-up table. Using an appropriate state-change voltage allows a cell to operate with more overall programming cycles.

摘要翻译： 闪存设备具有可被擦除和编程的多个存储器单元。 执行电压验证检查允许将适当的状态变化电压施加到闪存器件。 通过访问查找表来确定适当的状态变化电压。 使用适当的状态变化电压允许电池在更多的总体编程周期下运行。

公开(公告)号：US07995385B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US11929761

申请日：2007-10-30

申请人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter ,  Harry Kuo

发明人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter ,  Harry Kuo

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/0416 ,  G11C16/0491

摘要： A system comprising a program component that programs one or more non-volatile memory (“NVM”) cells of an array of pairs of NVM cells using FN tunneling, an erase component that erases the one or more NVM cells of the array of pairs of NVM cells using FN tunneling, and a read component that reads the one or more NVM cells of the array of pairs of NVM cells.

摘要翻译： 一种包括程序组件的系统，该程序组件使用FN隧道对一组或多个NVM单元阵列的一个或多个非易失性存储器（“NVM”）单元进行编程，所述擦除组件擦除所述NVM单元阵列的一对或多个NVM单元 使用FN隧道的NVM单元，以及读取组件，其读取NVM单元阵列阵列中的一个或多个NVM单元。

公开(公告)号：US07535767B2

公开(公告)日：2009-05-19

申请号：US11834420

申请日：2007-08-06

申请人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter

发明人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5634

摘要： Providing differentiation between overlapping memory cell bits in multi-cell memory devices is described herein. By way of example, select groups of memory cells of the multi-cell memory devices can be iteratively disabled to render state distributions of remaining, non-disabled memory cells, non-overlapped. System components can measure distributions rendered non-overlapped to uniquely identify states of such distributions. Identified state distributions can subsequently be disabled to render other state distributions non-overlapped, and therefore identifiable. In such a manner, read errors associated with overlapped bit states of multi-cell memory devices can be mitigated.

摘要翻译： 本文描述了提供多单元存储器件中的重叠存储单元位之间的区别。 作为示例，可以迭代地禁用多单元存储器件的选择存储器单元组以呈现不重叠的剩余的非禁用存储器单元的状态分布。 系统组件可以测量不重叠的分布，以唯一地标识这种分布的状态。 随后可以禁用标识的状态分布以使其他状态分布不重叠，并因此可识别。 以这种方式，可以减轻与多单元存储器件的重叠位状态相关联的读取错误。

公开(公告)号：US20090040839A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US11834420

申请日：2007-08-06

申请人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter

发明人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5634

摘要： Providing differentiation between overlapping memory cell bits in multi-cell memory devices is described herein. By way of example, select groups of memory cells of the multi-cell memory devices can be iteratively disabled to render state distributions of remaining, non-disabled memory cells, non-overlapped. System components can measure distributions rendered non-overlapped to uniquely identify states of such distributions. Identified state distributions can subsequently be disabled to render other state distributions non-overlapped, and therefore identifiable. In such a manner, read errors associated with overlapped bit states of multi-cell memory devices can be mitigated.

摘要翻译： 本文描述了提供多单元存储器件中的重叠存储单元位之间的区别。 作为示例，可以迭代地禁用多单元存储器件的选择存储器单元组以呈现不重叠的剩余的非禁用存储器单元的状态分布。 系统组件可以测量不重叠的分布，以唯一地标识这种分布的状态。 随后可以禁用标识的状态分布以使其他状态分布不重叠，并因此可识别。 以这种方式，可以减轻与多单元存储器件的重叠位状态相关联的读取错误。

公开(公告)号：US07558101B1

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：US11957366

申请日：2007-12-14

申请人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter

发明人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/34

CPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/08 ,  G11C16/26 ,  G11C29/02 ,  G11C29/026 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50

摘要： Systems and methods for improving memory cell sensing margins by utilizing an optimal reference stimulus. A stimulus component applies a plurality of different reference stimuli to a plurality of memory cells of a memory device. A sense component senses a characteristic of each memory cell of the plurality of memory cells as a function of the serially applied plurality of different reference stimuli. An analysis component computes an optimal reference stimulus by selecting one of the plurality of different reference stimuli, the one of the plurality of different reference stimuli associated with an absolute minima of number of memory cell characteristics that changed state as a function of the applied plurality of different reference stimuli.

摘要翻译： 通过利用最佳参考刺激来改善记忆细胞感受边缘的系统和方法。 刺激分量将多个不同的参考刺激应用于存储器件的多个存储单元。 感测组件根据串行应用的多个不同的参考刺激来感测多个存储器单元中的每个存储器单元的特性。 分析组件通过选择多个不同参考刺激中的一个来计算最佳参考刺激，所述多个不同参考刺激中的一个与根据应用的多个参考刺激的函数改变状态的存储器单元特性的绝对最小值的绝对最小值相关联 不同的参考刺激。

公开(公告)号：US20090154260A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US11957366

申请日：2007-12-14

申请人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter

发明人： Hagop Nazarian ,  Michael Achter

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/08 ,  G11C16/26 ,  G11C29/02 ,  G11C29/026 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50

摘要： Systems and methods for improving memory cell sensing margins by utilizing an optimal reference stimulus. A stimulus component applies a plurality of different reference stimuli to a plurality of memory cells of a memory device. A sense component senses a characteristic of each memory cell of the plurality of memory cells as a function of the serially applied plurality of different reference stimuli. An analysis component computes an optimal reference stimulus by selecting one of the plurality of different reference stimuli, the one of the plurality of different reference stimuli associated with an absolute minima of number of memory cell characteristics that changed state as a function of the applied plurality of different reference stimuli

摘要翻译： 通过利用最佳参考刺激来改善记忆细胞感受边缘的系统和方法。 刺激分量将多个不同的参考刺激应用于存储器件的多个存储单元。 感测组件根据串行应用的多个不同的参考刺激来感测多个存储器单元中的每个存储器单元的特性。 分析组件通过选择多个不同参考刺激中的一个来计算最佳参考刺激，所述多个不同参考刺激中的一个与根据应用的多个参考刺激的函数改变状态的存储器单元特性的绝对最小值的绝对最小值相关联 不同的参考刺激