公开(公告)号：US20060078633A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：US10537688

申请日：2003-12-04

申请人： Min Na ,  Jae-Kuk Yoo ,  Chan Lee ,  Jin Kim ,  Gon Lim ,  Dong Min ,  Young Jeon

发明人： Min Na ,  Jae-Kuk Yoo ,  Chan Lee ,  Jin Kim ,  Gon Lim ,  Dong Min ,  Young Jeon

IPC分类号： A61K36/48

CPC分类号： A61K36/48 ,  A61K8/97 ,  A61K45/06 ,  A61K2800/522 ,  A61Q19/00 ,  A61Q19/08

摘要： The present invention relates to extract of Cercis chinensis having anti-oxidant activity and antiaging activity containing compound of chemical formula 1 to chemical formula 20, and cosmetical composition for anti-oxidation, skin-aging protection and wrinkle improvement containing the extract as effective ingredient. The extract of present invention having protective effect on oxidative damage and skin damage, and inhibitory effect on age-dependent telomere shortening, so it can effectively used as skin-aging protection comestic.

摘要翻译： 本发明涉及具有抗化学活性和抗衰老活性的Cercis chinensis提取物，其含有化学式1化学式为化学式20的化合物，以及含有提取物作为有效成分的抗氧化，皮肤老化保护和皱纹改善的美容组合物。 本发明提取物对氧化损伤和皮肤损伤具有保护作用，对年龄依赖性端粒缩短具有抑制作用，因此可有效用于皮肤老化保护。

公开(公告)号：US06321223B1

公开(公告)日：2001-11-20

申请号：US09348387

申请日：1999-07-07

申请人： Tong S. Chen ,  Kuang Shin Lin ,  Jun Liu ,  Dong Min

发明人： Tong S. Chen ,  Kuang Shin Lin ,  Jun Liu ,  Dong Min

IPC分类号： G06F1730

CPC分类号： G06F17/30067 ,  G06Q10/025 ,  Y10S707/99932 ,  Y10S707/99935 ,  Y10S707/99945

摘要： The present invention is related to a text identification method for opening a specific file which is edited by double-byte characters for the double-byte language systems, such as Traditional Chinese, Simplified Chinese, Japanese and Korean etc., in a DOS operating environment. The present invention search and identify the specific file by skipping the API provided by DOS to correctly open the specific file edited by double-byte characters for the double-byte language systems.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于打开特定文件的文本识别方法，该文件在DOS操作环境中用于双字节语言系统（例如繁体中文，简体中文，日文和韩文等）的双字节字符编辑 。 本发明通过跳过DOS提供的API来正确打开由双字节语言系统的双字节字符编辑的特定文件来搜索并识别该特定文件。

公开(公告)号：US20070212408A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11587720

申请日：2005-04-27

申请人： Nam Kim ,  Jin Choi ,  Jae Kim ,  Nam Lee ,  Je Ryu ,  Yong Hwang ,  Yong Oh ,  Dong Min ,  Key Um ,  Wei-Jong Kwak ,  Do Kum

发明人： Nam Kim ,  Jin Choi ,  Jae Kim ,  Nam Lee ,  Je Ryu ,  Yong Hwang ,  Yong Oh ,  Dong Min ,  Key Um ,  Wei-Jong Kwak ,  Do Kum

IPC分类号： A61K31/724 ,  C08B30/18 ,  A61K9/48 ,  A61K9/20

CPC分类号： B82Y5/00 ,  A61K47/6951

摘要： The present invention relates to an inclusion complex containing a benzimidazole derivative with excellent storage stability and a method of its preparation. In particular, the present invention relates to an inclusion complex containing a benzimidazole derivative with improved storage stability and a method of its preparation, where an inclusion complex is manufactured by performing an inclusion reaction by combining a benzimidazole derivative, cyclodextrin and a water-soluble polymer in an aqueous alkali solution in order to be formulated after stabilizing an acid-unstable benzimidazole derivative.

摘要翻译： 本发明涉及包含具有优异储存稳定性的苯并咪唑衍生物的包合络合物及其制备方法。 特别地，本发明涉及包含具有改进的储存稳定性的苯并咪唑衍生物的包合络合物及其制备方法，其中通过将苯并咪唑衍生物，环糊精和水溶性聚合物组合进行包合反应来制备包合络合物 在碱性水溶液中，为了在稳定酸不稳定的苯并咪唑衍生物后配制。

公开(公告)号：US20070004069A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11476427

申请日：2006-06-27

申请人： Ki Cho ,  Young Choi ,  Byung Ahn ,  Tae Hwang ,  Dong Min ,  Bo Jung

发明人： Ki Cho ,  Young Choi ,  Byung Ahn ,  Tae Hwang ,  Dong Min ,  Bo Jung

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/12

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  Y10S438/95

摘要： A method of fabricating a liquid crystal display device includes performing a first mask process to form a gate line, a gate pad, and a gate electrode on a substrate. The method of fabricating a liquid crystal display device further includes performing a second mask process to form an active layer on the gate electrode, performing a third mask process to form a pixel electrode contacting the active layer, and performing a fourth mask process to form a source electrode and a drain electrode on the active layer.

摘要翻译： 制造液晶显示装置的方法包括：在基板上进行第一掩模处理以形成栅极线，栅极焊盘和栅电极。 制造液晶显示装置的方法还包括执行第二掩模处理以在栅电极上形成有源层，执行第三掩模处理以形成与活性层接触的像素电极，以及执行第四掩模处理以形成 源电极和有源层上的漏电极。