公开(公告)号：US08999184B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US13566934

申请日：2012-08-03

申请人： Ming-Shu Kuo ,  Siyi Li ,  Yifeng Zhou ,  Ratndeep Srivastava ,  Tae Won Kim ,  Gowri Kamarthy

发明人： Ming-Shu Kuo ,  Siyi Li ,  Yifeng Zhou ,  Ratndeep Srivastava ,  Tae Won Kim ,  Gowri Kamarthy

IPC分类号： B44C1/22 ,  H01J37/32 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： A method for forming via holes in an etch layer disposed below a patterned organic mask with a plurality of patterned via holes is provided. The patterned organic mask is treated by flowing a treatment gas comprising H2. A plasma is formed from the treatment gas. The patterned via holes are rounded to form patterned rounded via holes by exposing the patterned via holes to the plasma. The flow of the treatment gas is stopped. The plurality of patterned rounded via holes are transferred into the etch layer.

摘要翻译： 提供了一种用于在具有多个图案化通孔的图案化有机掩模下方设置的蚀刻层中形成通孔的方法。 通过流动包含H 2的处理气体来处理图案化的有机掩模。 从处理气体形成等离子体。 通过将图案化的通孔暴露于等离子体，图案化的通孔被圆化以形成图案化的圆形通孔。 停止处理气体的流动。 多个图案化的圆形通孔转移到蚀刻层中。

公开(公告)号：US08298949B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12350060

申请日：2009-01-07

申请人： Qinghua Zhong ,  Sung Cho ,  Gowri Kamarthy ,  Linda Braly

发明人： Qinghua Zhong ,  Sung Cho ,  Gowri Kamarthy ,  Linda Braly

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/32105 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/6656

摘要： A method of forming spacers from a non-silicon oxide, silicon containing spacer layer with horizontal surfaces and sidewall surfaces over a substrate is provided. A plasma oxidation treatment is provided to form a silicon oxide coating over the spacer layer, wherein the silicon oxide coating provides a horizontal coating on the horizontal surfaces and sidewall coatings on the sidewall surfaces of the spacer layer. An anisotropic main etch that selectively etches horizontal surfaces of the spacer layer and silicon oxide coating with respect to sidewall surfaces of the spacer layer and the sidewall coatings of the silicon oxide coating is provided. The spacer layer is etched, wherein the sidewall coatings of the silicon oxide coating protect sidewall surfaces of the spacer layer.

摘要翻译： 提供了一种从非氧化硅形成间隔物的方法，在衬底上方具有水平表面和侧壁表面的含硅隔离层。 提供等离子体氧化处理以在间隔层上形成氧化硅涂层，其中氧化硅涂层在间隔层的侧壁表面上的水平表面和侧壁涂层上提供水平涂层。 提供了选择性地蚀刻间隔层和氧化硅涂层的水平表面相对于间隔层的侧壁表面和氧化硅涂层的侧壁涂层的各向异性主蚀刻。 间隔层被蚀刻，其中氧化硅涂层的侧壁涂层保护间隔层的侧壁表面。

公开(公告)号：US20100173496A1

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：US12350060

申请日：2009-01-07

申请人： Qinghua Zhong ,  Sung Cho ,  Gowri Kamarthy ,  Linda Braly

发明人： Qinghua Zhong ,  Sung Cho ,  Gowri Kamarthy ,  Linda Braly

IPC分类号： H01L21/4757

CPC分类号： H01L21/32105 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/6656

摘要： A method of forming spacers from a non-silicon oxide, silicon containing spacer layer with horizontal surfaces and sidewall surfaces over a substrate is provided. A plasma oxidation treatment is provided to form a silicon oxide coating over the spacer layer, wherein the silicon oxide coating provides a horizontal coating on the horizontal surfaces and sidewall coatings on the sidewall surfaces of the spacer layer. An anisotropic main etch that selectively etches horizontal surfaces of the spacer layer and silicon oxide coating with respect to sidewall surfaces of the spacer layer and the sidewall coatings of the silicon oxide coating is provided. The spacer layer is etched, wherein the sidewall coatings of the silicon oxide coating protect sidewall surfaces of the spacer layer.

摘要翻译： 提供了一种从非氧化硅形成间隔物的方法，在衬底上方具有水平表面和侧壁表面的含硅隔离层。 提供等离子体氧化处理以在间隔层上形成氧化硅涂层，其中氧化硅涂层在间隔层的侧壁表面上的水平表面和侧壁涂层上提供水平涂层。 提供了选择性地蚀刻间隔层和氧化硅涂层的水平表面相对于间隔层的侧壁表面和氧化硅涂层的侧壁涂层的各向异性主蚀刻。 间隔层被蚀刻，其中氧化硅涂层的侧壁涂层保护间隔层的侧壁表面。