公开(公告)号：US20070222909A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11569442

申请日：2005-05-11

申请人： Peter Slikkerveer ,  Jacob Den Toonder ,  Nico Willard ,  Nigel Young ,  Marinus Dona

发明人： Peter Slikkerveer ,  Jacob Den Toonder ,  Nico Willard ,  Nigel Young ,  Marinus Dona

IPC分类号： G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/133305 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T428/10

摘要： A flexible flat panel display which exhibits fabric-like behavior, comprising a substrate (10) formed of an elastomeric material, preferably with a layer of textile material (14) embedded therein. The substrate (10) is arranged and configured so as to have a modulus of elasticity such that the display can be curved over at least two radii of curvature simultaneously and/or stretched in one or more directions under normal working conditions. The resultant display can be incorporated into, for example, clothing and the like. A method of manufacturing a flexible flat panel display is also described.

摘要翻译： 具有织物状行为的柔性平板显示器，包括由弹性体材料形成的基底（10），优选地具有嵌入其中的纺织材料层（14）。 基板（10）被布置和构造成具有弹性模量，使得显示器可以在正常工作条件下在一个或多个方向上同时弯曲和/或拉伸至少两个曲率半径。 所得到的显示可以结合到例如衣服等中。 还描述了制造柔性平板显示器的方法。

公开(公告)号：US20050176226A1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：US10513099

申请日：2003-04-25

申请人： Nigel Young

发明人： Nigel Young

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78678

摘要： A method of manufacturing an electronic device comprising a bottom-gate TFT (12) is provided, the method comprising the steps of: forming a doped amorphous silicon gate layer (26′) on a substrate, the gate layer defining a gate (26), forming a gate insulating layer (32) over the gate, forming an amorphous silicon active layer (28′) over the gate insulating layer and overlying at least part of the gate, and annealing the amorphous silicon active layer to form a polysilicon active layer (28). A thinner gate insulating layer can be used giving a TFT having a low threshold voltage.

摘要翻译： 提供一种制造包括底栅TFT（12）的电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上形成掺杂的非晶硅栅极层（26'），所述栅极层限定栅极（26） ，在所述栅极上形成栅极绝缘层（32），在所述栅极绝缘层上方形成非晶硅有源层（28'），并且覆盖所述栅极的至少一部分，以及退火所述非晶硅有源层以形成多晶硅有源层 （28）。 可以使用更薄的栅极绝缘层，给出具有低阈值电压的TFT。

公开(公告)号：US20060049428A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US10520229

申请日：2002-06-25

申请人： Pieter Van Der Zaag ,  Nigel Young ,  Ian French ,  Jeffrey Chapman

发明人： Pieter Van Der Zaag ,  Nigel Young ,  Ian French ,  Jeffrey Chapman

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/745

CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78678

摘要： An electronic device (70) comprises a thin film transistor (TFT) (9,59), the TFT including a channel (16) defined in a layer of polycrystalline semiconductor material (10,48). The polycrystalline semiconductor material is produced by crystallising amorphous semiconductor material (2) using metal atoms (6) to promote the crystallisation process. The polycrystalline semiconductor material (10) includes an average concentration of metal atoms in the range 1.3×1018 to 7.5×1018 atoms/cm3. This enables polycrystalline semiconductor TFTs to be formed with leakage properties acceptable for use in active matrix displays using a metal induced crystallisation process of duration significantly less that previously thought necessary. Furthermore, this process duration reduction facilitates the reliable fabrication of poly-Si TFTs having bottom gates formed of metal.

摘要翻译： 电子器件（70）包括薄膜晶体管（TFT）（9,59），TFT包括限定在多晶半导体材料层（10,48）中的沟道（16）。 通过使用金属原子（6）使非晶半导体材料（2）结晶以促进结晶过程来生产多晶半导体材料。 多晶半导体材料（10）包括在1.3×10 18至7.5×10 18原子/ cm 3之间的金属原子的平均浓度。 这使得多晶半导体TFT可以形成为可用于有源矩阵显示器中的泄漏特性，其使用的金属诱导结晶过程的持续时间明显少于以前认为必要的时间。 此外，该工艺持续时间缩短有助于可靠地制造具有由金属形成的底部栅极的多晶硅TFT。

公开(公告)号：US20070205420A1

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：US10599082

申请日：2005-03-22

申请人： Marc Ponjee ,  Wouter Oepts ,  Johannes Rosink ,  Hans-Helmut Bechtel ,  Nigel Young

发明人： Marc Ponjee ,  Wouter Oepts ,  Johannes Rosink ,  Hans-Helmut Bechtel ,  Nigel Young

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L27/3269 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5203 ,  H01L2251/5315

摘要： An active matrix display device comprises an array of display pixels provided over a common substrate (60). Each pixel has an upwardly emitting current-driven light emitting display element (2) comprising a lower electrode (74) and an upper substantially transparent electrode (80a. A light sensitive device (27) for sensing the display element (2) light output is positioned between the substrate (60) and the display element (2), and a drive transistor (22) is controlled in response to the light-sensitive device (27) output. The lower electrode (74) of the display element is partially transmissive to transmit at most 20% of the light incident on the lower electrode, at least a portion of the transmitted light being directed to the underlying light-sensitive device (27).

摘要翻译： 有源矩阵显示装置包括设置在公共基板（60）上的显示像素阵列。 每个像素具有向上发射电流驱动的发光显示元件（2），包括下电极（74）和上基本上透明的电极（80a），用于感测显示元件（2）的光输出 位于所述基板（60）和所述显示元件（2）之间，并且响应于所述感光装置（27）输出来控制驱动晶体管（22），所述显示元件的下电极（74）部分地 透射以透射入射在下电极上的光的至多20％，至少一部分透射光被引导到下面的感光装置（27）。

公开(公告)号：US20060054896A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10515163

申请日：2003-05-15

申请人： Pieter Van Der Zaag ,  Soo Yoon ,  Nigel Young

发明人： Pieter Van Der Zaag ,  Soo Yoon ,  Nigel Young

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L31/113 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/6675 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L29/78672

摘要： An active plate (2) for an active matrix display device (16), the active plate (2) comprising a substrate (4), a pixel area (6) and an adjacent drive circuit area (8). Both areas include polycrystalline silicon material formed by a process in which a metal is used to enhance the crystallisation process (MIC poly-Si), but only the MIC poly-Si in the drive circuit area (8) is subjected to an irradiation process using an energy beam (10). TFTs are fabricated with MIC poly-Si which have leakage currents in the off state sufficiently low for them to be acceptable for use as switching elements in the pixel area of matrix display devices. As only the drive circuit area (8) need be irradiated to provide poly-Si having the desired mobility, the time taken by the irradiation process can be significantly reduced.

摘要翻译： 一种用于有源矩阵显示装置（16）的有源板（2），所述有源板（2）包括衬底（4），像素区域（6）和相邻的驱动电路区域（8）。 两个区域包括通过使用金属来增强结晶过程（MIC多晶硅）的方法形成的多晶硅材料，但仅驱动电路区域（8）中的MIC多晶硅经受使用 能量束（10）。 TFT是用MIC多晶硅制造的，其泄漏电流处于断开状态足够低，使得它们可以被用作矩阵显示装置的像素区域中的开关元件。 由于仅需要照射驱动电路区域（8）以提供具有所需移动性的多晶硅，所以可以显着地减少照射过程所花费的时间。

公开(公告)号：US20050282316A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：US10529117

申请日：2003-09-12

申请人： Nigel Young ,  Soo Yoon ,  Ian French ,  David McCulloch

发明人： Nigel Young ,  Soo Yoon ,  Ian French ,  David McCulloch

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

摘要： A method of manufacturing an electronic device comprising a thin film transistor (42), comprises forming a hydrogen-containing layer (22) over a semiconductor layer (10; 20), irradiating the hydrogen-containing layer so as to hydrogenate the semiconductor layer, and then forming electrodes (24; 26, 28) over the semiconductor layer. A short diffusion length and direct path is provided for the hydrogen thus allowing rapid hydrogenation of the semiconductor layer using relatively few, high-fluence laser pulses. The supporting substrate (12) is not heated significantly making the method particularly useful for TFFs on polymer substrates. Crystallisation and hydrogenation of the semiconductor layer can be executed in the same irradiation step.

摘要翻译： 一种制造包括薄膜晶体管（42）的电子器件的方法，包括在半导体层（10; 20）上形成含氢层（22），照射含氢层以氢化半导体层， 然后在半导体层上形成电极（24; 26,28）。 为氢提供了一个短的扩散长度和直接路径，从而允许使用相对较少的高通量激光脉冲来快速氢化半导体层。 支撑衬底（12）不被显着加热，使得该方法对聚合物衬底上的TFF特别有用。 可以在相同的照射步骤中执行半导体层的结晶和氢化。

公开(公告)号：US20050253800A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US10518275

申请日：2003-06-12

申请人： Mark Johnson ,  Nigel Young

发明人： Mark Johnson ,  Nigel Young

IPC分类号： G02F1/15 ,  G02F1/155 ,  G09G3/38

CPC分类号： G02F1/155 ,  G02F1/1523

摘要： The display panel (1) has multiple picture elements (2), each picture element (2) having respective neighboring picture elements (2′). The picture elements (2) have a first electrode (3) and a second electrode (4) for the application of a potential difference between the first and the second electrode (3,4), and electrochromic material (5), which is present between the first and the second electrode (3,4). Electrical charge contained by the electrochromic material (5), induced by the potential difference, determines the color of the picture element (2). Color changes are provided by varying the electrical charge. Crosstalk, being coloration of neighboring picture elements (2′) when a picture element (2) is addressed, is adjustable by third electrodes (6) which adjust electrical currents between the picture element (2) addressed and their respective neighboring picture elements (2′).

摘要翻译： 显示面板（1）具有多个图像元素（2），每个图像元素（2）具有相应的相邻图像元素（2'）。 像素（2）具有用于施加第一和第二电极（3,4）之间的电位差的第一电极（3）和第二电极（4）以及存在的电致变色材料（5） 在第一和第二电极（3,4）之间。 由电位差引起的电致变色材料（5）所含的电荷决定了像素（2）的颜色。 通过改变电荷来提供颜色变化。 当图像元素（2）被寻址时，相邻图像元素（2'）的着色可由第三电极（6）调节，第三电极（6）调整寻址的图像元素（2）和它们各自的相邻图像元素（2）之间的电流 '）。

公开(公告)号：US20070188085A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US10599081

申请日：2005-03-22

申请人： Nigel Young

发明人： Nigel Young

IPC分类号： H01J1/62

CPC分类号： H01L27/3269 ,  H01L27/3272 ,  H01L2251/5315

摘要： An active matrix display device has pixels each with a light-sensitive device (84) for optical feedback functions. Each pixel has a light blocking structure (100) formed from the thin film layers of the display substrate in the proximity of the light-sensitive device (84) and substantially at the level of an input surface of the light sensitive device. This structure prevents the passage of light (g) to the light sensitive device from a substantially lateral direction.

摘要翻译： 有源矩阵显示装置具有各自具有用于光学反馈功能的感光装置（84）的像素。 每个像素具有由在感光装置（84）附近的显示基板的薄膜层形成并且基本上在光敏装置的输入表面的高度处形成的遮光结构（100）。 这种结构防止光（g）从基本上横向方向通向光敏装置。

公开(公告)号：US20060108914A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US10534321

申请日：2003-10-30

申请人： Nigel Young

发明人： Nigel Young

IPC分类号： H05B33/08 ,  H05B33/06

CPC分类号： H01L27/3244 ,  H01L27/3204

摘要： An EL device comprising a substrate (11), a light emissive structure comprising three series connected LEDs on the substrate (LED 1, 2, 3). Considering the diode LED1, it comprises organic light emissive material disposed (16-1) between an underlying ITO anode (12-1) and an overlying cathode (17-1) that is electrically connected in series to the underlying anode (12-2) of the diode LED2 through the thickness of the organic light emissive material (16-1). The connection can be made by using a wetting agent to prevent the organic light emissive material disposed (16-1) covering contact region (19-1) on the anode (12-2) so that the overlying cathode (17-1) can make a series connection with the underlying anode (12-2).

摘要翻译： 一种EL器件，包括衬底（11），在所述衬底上包括三个串联的LED的发光结构（LED 1,2,3）。 考虑到二极管LED 1，它包括在底层ITO阳极（12-1）和上覆阴极（17-1）之间设置（16-1）的有机发光材料，该阳极与下面的阳极（12- 2）通过有机发光材料（16-1）的厚度的二极管LED2。 可以通过使用润湿剂来形成连接，以防止在阳极（12-2）上覆盖接触区域（19-1）的有机发光材料（16-1）被布置（16-1），使得覆盖的阴极（17-1）可以 与底层阳极（12 - 2）进行串联连接。

公开(公告)号：US20050258437A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：US10526865

申请日：2003-08-22

申请人： Nigel Young

发明人： Nigel Young

IPC分类号： H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/00 ,  H01L51/40 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28 ,  H01L27/15

CPC分类号： H01L27/3279 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5228 ,  H01L2251/5315 ,  H05B33/28

摘要： In an active matrix electroluminescent display device having an array of pixels, a drive transistor (22) and an electroluminescent display element (2) in each pixel are connected in series between a power line (26) for supplying or drawing a controllable current to or from the display element and a common potential line. The power line (26) and the common potential line each comprise a sheet electrode shared between all pixels of the array. In this arrangement, sheet electrodes are used both for the current supply to the EL display element and the current sink. This reduces considerably the line resistance.

摘要翻译： 在具有像素阵列的有源矩阵电致发光显示装置中，每个像素中的驱动晶体管（22）和电致发光显示元件（2）串联连接在电源线（26）之间，用于向 从显示元件和公共电位线。 电源线（26）和公共电位线各自包括在阵列的所有像素之间共享的片状电极。 在这种布置中，片状电极既用于向EL显示元件和电流阱供电。 这大大降低了线路电阻。