公开(公告)号：US20060049428A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US10520229

申请日：2002-06-25

申请人： Pieter Van Der Zaag ,  Nigel Young ,  Ian French ,  Jeffrey Chapman

发明人： Pieter Van Der Zaag ,  Nigel Young ,  Ian French ,  Jeffrey Chapman

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/745

CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78678

摘要： An electronic device (70) comprises a thin film transistor (TFT) (9,59), the TFT including a channel (16) defined in a layer of polycrystalline semiconductor material (10,48). The polycrystalline semiconductor material is produced by crystallising amorphous semiconductor material (2) using metal atoms (6) to promote the crystallisation process. The polycrystalline semiconductor material (10) includes an average concentration of metal atoms in the range 1.3×1018 to 7.5×1018 atoms/cm3. This enables polycrystalline semiconductor TFTs to be formed with leakage properties acceptable for use in active matrix displays using a metal induced crystallisation process of duration significantly less that previously thought necessary. Furthermore, this process duration reduction facilitates the reliable fabrication of poly-Si TFTs having bottom gates formed of metal.

摘要翻译： 电子器件（70）包括薄膜晶体管（TFT）（9,59），TFT包括限定在多晶半导体材料层（10,48）中的沟道（16）。 通过使用金属原子（6）使非晶半导体材料（2）结晶以促进结晶过程来生产多晶半导体材料。 多晶半导体材料（10）包括在1.3×10 18至7.5×10 18原子/ cm 3之间的金属原子的平均浓度。 这使得多晶半导体TFT可以形成为可用于有源矩阵显示器中的泄漏特性，其使用的金属诱导结晶过程的持续时间明显少于以前认为必要的时间。 此外，该工艺持续时间缩短有助于可靠地制造具有由金属形成的底部栅极的多晶硅TFT。

公开(公告)号：US20060054896A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10515163

申请日：2003-05-15

申请人： Pieter Van Der Zaag ,  Soo Yoon ,  Nigel Young

发明人： Pieter Van Der Zaag ,  Soo Yoon ,  Nigel Young

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L31/113 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/6675 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L29/78672

摘要： An active plate (2) for an active matrix display device (16), the active plate (2) comprising a substrate (4), a pixel area (6) and an adjacent drive circuit area (8). Both areas include polycrystalline silicon material formed by a process in which a metal is used to enhance the crystallisation process (MIC poly-Si), but only the MIC poly-Si in the drive circuit area (8) is subjected to an irradiation process using an energy beam (10). TFTs are fabricated with MIC poly-Si which have leakage currents in the off state sufficiently low for them to be acceptable for use as switching elements in the pixel area of matrix display devices. As only the drive circuit area (8) need be irradiated to provide poly-Si having the desired mobility, the time taken by the irradiation process can be significantly reduced.

摘要翻译： 一种用于有源矩阵显示装置（16）的有源板（2），所述有源板（2）包括衬底（4），像素区域（6）和相邻的驱动电路区域（8）。 两个区域包括通过使用金属来增强结晶过程（MIC多晶硅）的方法形成的多晶硅材料，但仅驱动电路区域（8）中的MIC多晶硅经受使用 能量束（10）。 TFT是用MIC多晶硅制造的，其泄漏电流处于断开状态足够低，使得它们可以被用作矩阵显示装置的像素区域中的开关元件。 由于仅需要照射驱动电路区域（8）以提供具有所需移动性的多晶硅，所以可以显着地减少照射过程所花费的时间。

公开(公告)号：US20050230723A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US10517460

申请日：2003-06-04

申请人： Pieter Van Der Zaag ,  Martin Edwards ,  Kars-Michiel Lenssen

发明人： Pieter Van Der Zaag ,  Martin Edwards ,  Kars-Michiel Lenssen

IPC分类号： G02F1/133 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G11C11/15 ,  H01L29/76

CPC分类号： G11C11/15 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0857 ,  G09G2310/0262 ,  G11C14/0081

摘要： Magnetoresistive random access memory (MRAM) is used to provide in-pixel memory circuits for display devices. A memory circuit (25) comprises memory elements, for storing a drive setting, and a read-out circuit, for example a flip-flop circuit (64), for reading-out the stored drive setting. The memory elements comprise two MRAMs (60, 62), each coupled to a respective input of the flip-flop circuit (64). A drive circuit (26) is coupled to the read-out circuit and a pixel display electrode (27) for driving the pixel display electrode (27) dependent upon the read-out drive setting with drive current that does not pass through the MRAMs (60, 62). A display device (1) is provided comprising a plurality of pixels (20) each associated with one such memory circuit (25) and drive circuit (26).

摘要翻译： 磁阻随机存取存储器（MRAM）用于为显示设备提供像素内存电路。 存储器电路（25）包括用于存储驱动设置的存储器元件和用于读出所存储的驱动设置的例如触发器电路（64）的读出电路。 存储器元件包括两个MRAM（60,62），每个MRAM耦合到触发器电路（64）的相应输入端。 驱动电路（26）耦合到读出电路和用于驱动像素显示电极（27）的像素显示电极（27），该像素显示电极（27）取决于不通过MRAM的驱动电流的读出驱动设置（ 60，62）。 提供一种显示装置（1），其包括多个像素（20），每个像素（20）与一个这样的存储电路（25）和驱动电路（26）相关联。

公开(公告)号：US20050116261A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：US10509482

申请日：2003-02-17

申请人： Pieter Van Der Zaag ,  Martin Edwards

发明人： Pieter Van Der Zaag ,  Martin Edwards

IPC分类号： G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/411 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/768

CPC分类号： G09G3/20 ,  G09G2300/0857 ,  G11C11/14 ,  G11C11/16

摘要： Magnetoresistive random access memory (MRAM) is used to provide in-pixel memory circuits for display devices. A memory circuit (25) comprises two MRAMs (60, 62), each coupled to a respective input of a flip-flop circuit (64). A display device (1) is provided comprising a plurality of pixels (20) each associated with a memory circuit (25). A bit line (45) passes over and contacts a first MRAM (60) in a first direction and a second MRAM (62) in a second direction, the first and second directions being substantially opposite to each other. This provides opposite resistance states in the two MRAMs (60, 62). The bit line (45) does not pass over a word line (43), thereby avoiding or reducing overlap capacitance losses. The word line (43) is formed during a same masking stage as a gate line (44). The bit line (45) is formed during a same masking stage as a column line (54).

摘要翻译： 磁阻随机存取存储器（MRAM）用于为显示设备提供像素内存电路。 存储器电路（25）包括两个MRAM（60,62），每个MRAM耦合到触发器电路（64）的相应输入端。 提供一种显示装置（1），其包括与存储电路（25）相关联的多个像素（20）。 位线（45）在第一方向上经过第一MRAM（60）并且在第二方向上接触第一MRAM（60），第二和第二方向基本上彼此相对。 这在两个MRAM（60,62）中提供相反的电阻状态。 位线（45）不通过字线（43），从而避免或减少重叠电容损耗。 字线（43）在与栅极线（44）相同的掩模阶段形成。 位线（45）在与列线（54）相同的掩模阶段形成。

公开(公告)号：US20050157539A1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：US10513873

申请日：2003-04-25

申请人： Pieter Van Der Zaag ,  Martin Edwards ,  Kars-Michiel Lenssen

发明人： Pieter Van Der Zaag ,  Martin Edwards ,  Kars-Michiel Lenssen

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/16 ,  G11C14/00

CPC分类号： G11C14/0081 ,  G11C11/16

摘要： Magnetoresistive random access memory (MRAM) is used to provide in-pixel memory circuits for display devices. A memory circuit (25) comprises two MRAMs (60, 62), each coupled to a respective input of a flip-flop circuit (64). A display device (1) is provided comprising a plurality of pixels (20) each associated with a memory circuit (25). One of the MRAMs is a switchable MRAM (60), the other MRAM is a reference MRAM (62) arranged to provide a reference by which the changed states of the switchable MRAM (60) may be readily observed and measured in the form of a differential.

摘要翻译： 磁阻随机存取存储器（MRAM）用于为显示设备提供像素内存电路。 存储器电路（25）包括两个MRAM（60,62），每个MRAM耦合到触发器电路（64）的相应输入端。 提供一种显示装置（1），其包括与存储电路（25）相关联的多个像素（20）。 MRAM中的一个是可切换MRAM（60），另一个MRAM是被配置为提供参考的参考MRAM（62），通过该参考，可以容易地观察和测量可切换MRAM（60）的改变状态， 微分。