公开(公告)号：US20050056216A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：US10663366

申请日：2003-09-15

Applicant: Ronald Kuse

Inventor： Ronald Kuse

IPC: B01J4/00 ,  B01J4/02 ,  C23C16/448 ,  C30B25/14 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/448 ,  B01J4/001 ,  B01J4/02 ,  C30B25/14

Abstract: A processing system includes a variable volume chamber. A liquid or solid precursor source may be included in the variable volume chamber. The volume of the variable volume chamber may be controlled to provide for a predictable precursor flow to a processing chamber. In some implementations, multiple variable volume chambers may be provided.

Abstract translation: 处理系统包括可变容积室。 液体或固体前体源可以包括在可变容积室中。 可以控制可变容积室的体积，以提供可预测的前体流到处理室。 在一些实施方案中，可以提供多个可变容积室。

公开(公告)号：US20080050927A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11858820

申请日：2007-09-20

Applicant: Ronald Kuse

Inventor： Ronald Kuse

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3141

Abstract: A variable temperature and/or reactant dose atomic layer deposition (VTD-ALD) process modulates ALD reactor conditions (e.g., temperature, flow rates, etc.) during growth of a film (e.g., metallic) on a wafer to produce different film properties a different film depths.

Abstract translation: 可变温度和/或反应剂剂量原子层沉积（VTD-ALD）工艺在晶片上的膜（例如，金属）生长期间调节ALD反应器条件（例如温度，流速等）以产生不同的膜性质 不同的影片深度。

公开(公告)号：US20070007604A1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：US11475680

申请日：2006-06-26

Applicant: Ronald Kuse ,  Tetsuji Yasuda

Inventor： Ronald Kuse ,  Tetsuji Yasuda

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/518

Abstract: A dielectric layer may be formed by depositing the dielectric layer to an intermediate thickness and applying a nitridation process to the dielectric layer of intermediate thickness. The dielectric layer may then be deposited to the final, desired thickness.

Abstract translation: 可以通过将电介质层沉积到中间厚度并对中间厚度的介电层施加氮化工艺来形成电介质层。 然后可以将介电层沉积到最终期望的厚度。

公开(公告)号：US20050070121A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10674883

申请日：2003-09-30

Applicant: Ronald Kuse

Inventor： Ronald Kuse

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/285 ,  H01L21/314 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3141

Abstract: A variable temperature and/or reactant dose atomic layer deposition (VTD-ALD) process modulates ALD reactor conditions (e.g., temperature, flow rates, etc.) during growth of a film (e.g., metallic) on a wafer to produce different film properties a different film depths.

Abstract translation: 可变温度和/或反应剂剂量原子层沉积（VTD-ALD）工艺在晶片上的膜（例如，金属）生长期间调节ALD反应器条件（例如温度，流速等）以产生不同的膜性质 不同的影片深度。