公开(公告)号：US09129888B2

公开(公告)日：2015-09-08

申请号：US13947517

申请日：2013-07-22

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Jae Hoon Lee ,  Young Sun Kwak

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7783 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A nitride-based semiconductor device includes a buffer layer on a substrate, a nitride-based semiconductor layer on the buffer layer, at least one ion implanted layer within the nitride-based semiconductor layer, and a channel layer on the nitride-based semiconductor layer.

摘要翻译： 氮化物类半导体器件包括衬底上的缓冲层，缓冲层上的氮化物基半导体层，氮化物基半导体层内的至少一个离子注入层和氮化物基半导体层上的沟道层 。