公开(公告)号：US20070181915A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US11349761

申请日：2006-02-08

申请人： Sajan Saini ,  Jurgen Michel ,  Dong Pan ,  Wojciech Giziewicz ,  Lionel Kimerling

发明人： Sajan Saini ,  Jurgen Michel ,  Dong Pan ,  Wojciech Giziewicz ,  Lionel Kimerling

IPC分类号： H01L29/768

CPC分类号： H01L29/768

摘要： An optical waveguide structure includes an air-via region that receives an optical signal from an optical source. A photonic crystal cladding region is formed on the surface of the air-via region. The photonic crystal cladding region confines the optical signal within the air-via region and propagates the optical signal along the axial direction while ensuring near complete transmission of the optical signal.

摘要翻译： 光波导结构包括从光源接收光信号的通气区域。 在透气区域的表面上形成光子晶体包层区域。 光子晶体覆盖区域将光信号限制在通气区域内，并且沿着轴向传播光信号，同时确保光信号的接近完全传输。

公开(公告)号：US07480430B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11349761

申请日：2006-02-08

申请人： Sajan Saini ,  Jurgen Michel ,  Dong Pan ,  Wojciech Giziewicz ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Sajan Saini ,  Jurgen Michel ,  Dong Pan ,  Wojciech Giziewicz ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： G02B6/26

CPC分类号： H01L29/768

摘要： An optical waveguide structure includes an air-via region that receives an optical signal from an optical source. A photonic crystal cladding region is formed on the surface of the air-via region. The photonic crystal cladding region confines the optical signal within the air-via region and propagates the optical signal along the axial direction while ensuring near complete transmission of the optical signal.

摘要翻译： 光波导结构包括从光源接收光信号的通气区域。 在透气区域的表面上形成光子晶体包层区域。 光子晶体覆盖区域将光信号限制在通气区域内，并且沿着轴向传播光信号，同时确保光信号的接近完全传输。

公开(公告)号：US20070170476A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：US11336012

申请日：2006-01-20

申请人： Wojciech Giziewicz ,  Lionel Kimerling ,  Dong Pan ,  Jurgen Michel ,  Edward Sargent

发明人： Wojciech Giziewicz ,  Lionel Kimerling ,  Dong Pan ,  Jurgen Michel ,  Edward Sargent

IPC分类号： H01L31/113

CPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/547

摘要： A photodetector includes a substrate and a layer of Ge formed on the substrate. A plurality of n-type doped regions and a plurality of p-type doped regions are formed in Ge region. These doped regions formed an alternating pattern. Electrodes are formed on n-type doped regions and on the p-type doped regions. The utilization of transparent electrodes increases the sensitivity of the photodetector without impacting speed.

摘要翻译： 光电检测器包括基板和形成在基板上的Ge层。 在Ge区域中形成多个n型掺杂区域和多个p型掺杂区域。 这些掺杂区域形成交替图案。 电极形成在n型掺杂区域和p型掺杂区域上。 透明电极的利用增加了光电探测器的灵敏度，而不会影响速度。

公开(公告)号：US20070025405A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11194343

申请日：2005-08-01

申请人： Dong Pan ,  Jurgen Michel ,  Edward Sargent ,  Wojciech Giziewicz ,  Lionel Kimerling

发明人： Dong Pan ,  Jurgen Michel ,  Edward Sargent ,  Wojciech Giziewicz ,  Lionel Kimerling

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/0262 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/183 ,  H01S5/423 ,  H01L2924/00014

摘要： A bidirectional transceiver assembly includes a VCSEL structure that emits light at a defined wavelength on a substrate structure. A photodetector receives the light. A hole structure is formed on the substrate structure to allow the light from the VCSEL structure to be emitted so as to form an optical path.

摘要翻译： 双向收发器组件包括在衬底结构上以限定的波长发射光的VCSEL结构。 光电检测器接收光。 在衬底结构上形成孔结构以允许来自VCSEL结构的光被发射以形成光路。

公开(公告)号：US08711334B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13000333

申请日：2009-06-18

申请人： Heinz Haas ,  Wojciech Giziewicz

发明人： Heinz Haas ,  Wojciech Giziewicz

IPC分类号： G01C3/08

CPC分类号： G01V8/10 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/173

摘要： A light barrier comprising a semiconductor component (1) and to a method for detecting objects with a carrier (2), a semiconductor chip (4) which detects an electromagnetic radiation, a semiconductor chip (4) which emits an electromagnetic radiation, and a direction-selective element (5, 8), which delimits an angle range of the radiation which can be received by the detecting semiconductor chip (4) and/or of the radiation to be emitted by the emitting semiconductor chip (3), wherein a main radiation axis (V) of the radiation which can be received is tilted relative to a main radiation axis (U) of the radiation to be emitted.

摘要翻译： 一种包括半导体部件（1）的光栅和用于检测载体（2）的物体的方法，检测电磁辐射的半导体芯片（4），发射电磁辐射的半导体芯片（4）和 方向选择元件（5,8），其限定可由检测半导体芯片（4）接收的辐射和/或由发射半导体芯片（3）发射的辐射的角度范围，其中a 可以接收的辐射的主辐射轴线（V）相对于要发射的辐射的主辐射轴线（U）倾斜。

公开(公告)号：US20110188025A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US13000333

申请日：2009-06-18

申请人： Heinz Haas ,  Wojciech Giziewicz

发明人： Heinz Haas ,  Wojciech Giziewicz

IPC分类号： G01C3/08 ,  H01L33/00

CPC分类号： G01V8/10 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/173

摘要： A light barrier comprising a semiconductor component (1) and a method for detecting objects with a carrier (2), a semiconductor chip (4) which detects an electromagnetic radiation, a semiconductor chip (4) which emits an electromagnetic radiation, and a direction-selective element (5, 8), which delimits an angle range of the radiation which can be received by the detecting semiconductor chip (4) and/or of the radiation to be emitted by the emitting semiconductor chip (3), wherein a main radiation axis (V) of the radiation which can be received is tilted relative to a main radiation axis (U) of the radiation to be emitted.

摘要翻译： 包括半导体部件（1）的光栅和用于检测载体（2）的物体的方法，检测电磁辐射的半导体芯片（4），发射电磁辐射的半导体芯片（4）和方向 - 选择元件（5,8），其限定可由检测半导体芯片（4）接收的辐射和/或由发射半导体芯片（3）发射的辐射的角度范围，其中主体 可以接受的辐射的辐射轴线（V）相对于要发射的辐射的主辐射轴线（U）倾斜。