公开(公告)号：US20170069570A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：US15229518

申请日：2016-08-05

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Jihoon Yoon ,  Shincheol Min ,  Hyun-Min Choi

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L21/66 ,  H01L27/112

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L22/14 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00

摘要： In a semiconductor device and a method of manufacturing the same a fuse structure may be formed during formation of first to third contact plugs connected to a transistor. The fuse structure may include first and second fuse contact plugs having the same height as the first and second contact plugs, and a connection pattern having the same height as the third contact plug. The connection pattern may be connected between the first and second fuse contact plugs.

摘要翻译： 在半导体器件及其制造方法中，可在形成连接到晶体管的第一至第三接触插塞的形成期间形成熔丝结构。 熔丝结构可以包括具有与第一和第二接触插塞相同的高度的第一和第二熔丝接触插塞，以及具有与第三接触插塞相同高度的连接图案。 连接图案可以连接在第一和第二熔丝接触插头之间。

公开(公告)号：US20160155804A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：US15013647

申请日：2016-02-02

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Chang Woo Oh ,  Shincheol Min ,  Jongwook Lee ,  Choongho Lee

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1033 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

摘要： Provided are methods of forming field effect transistors. The method includes preparing a substrate with a first region and a second region, forming fin portions on the first and second regions, each of the fin portions protruding from the substrate and having a first width, forming a first mask pattern to expose the fin portions on the first region and cover the fin portions on the second region, and changing widths of the fin portions provided on the first region.

摘要翻译： 提供了形成场效应晶体管的方法。 该方法包括制备具有第一区域和第二区域的衬底，在第一和第二区域上形成鳍部，每个翅片部分从衬底突出并具有第一宽度，形成第一掩模图案以暴露翅片部分 并且覆盖第二区域上的翅片部分，并且改变设置在第一区域上的翅片部分的宽度。

公开(公告)号：US20130244392A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13780527

申请日：2013-02-28

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Chang Woo OH ,  Shincheol Min ,  Jongwook Lee ,  Choongho Lee

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/1033 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

摘要： Provided are methods of forming field effect transistors. The method includes preparing a substrate with a first region and a second region, forming fin portions on the first and second regions, each of the fin portions protruding from the substrate and having a first width, forming a first mask pattern to expose the fin portions on the first region and cover the fin portions on the second region, and changing widths of the fin portions provided on the first region.

摘要翻译： 提供了形成场效应晶体管的方法。 该方法包括制备具有第一区域和第二区域的衬底，在第一和第二区域上形成鳍部，每个翅片部分从衬底突出并具有第一宽度，形成第一掩模图案以暴露翅片部分 并且覆盖第二区域上的翅片部分，并且改变设置在第一区域上的翅片部分的宽度。

公开(公告)号：US10192823B2

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：US15229518

申请日：2016-08-05

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Jihoon Yoon ,  Shincheol Min ,  Hyun-Min Choi

IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L23/525 ,  H01L27/112 ,  H01L21/66 ,  H01L27/11582

摘要： In a semiconductor device and a method of manufacturing the same a fuse structure may be formed during formation of first to third contact plugs connected to a transistor. The fuse structure may include first and second fuse contact plugs having the same height as the first and second contact plugs, and a connection pattern having the same height as the third contact plug. The connection pattern may be connected between the first and second fuse contact plugs.

公开(公告)号：US09443935B2

公开(公告)日：2016-09-13

申请号：US15013647

申请日：2016-02-02

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Chang Woo Oh ,  Shincheol Min ,  Jongwook Lee ,  Choongho Lee

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/1033 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

摘要： Provided are methods of forming field effect transistors. The method includes preparing a substrate with a first region and a second region, forming fin portions on the first and second regions, each of the fin portions protruding from the substrate and having a first width, forming a first mask pattern to expose the fin portions on the first region and cover the fin portions on the second region, and changing widths of the fin portions provided on the first region.

公开(公告)号：US09287402B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US14626215

申请日：2015-02-19

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Chang Woo Oh ,  Shincheol Min ,  Jongwook Lee ,  Choongho Lee

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L29/1033 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

摘要： Provided are methods of forming field effect transistors. The method includes preparing a substrate with a first region and a second region, forming fin portions on the first and second regions, each of the fin portions protruding from the substrate and having a first width, forming a first mask pattern to expose the fin portions on the first region and cover the fin portions on the second region, and changing widths of the fin portions provided on the first region.

摘要翻译： 提供了形成场效应晶体管的方法。 该方法包括制备具有第一区域和第二区域的衬底，在第一和第二区域上形成鳍部，每个翅片部分从衬底突出并具有第一宽度，形成第一掩模图案以暴露翅片部分 并且覆盖第二区域上的翅片部分，并且改变设置在第一区域上的翅片部分的宽度。

公开(公告)号：US20150162437A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：US14626215

申请日：2015-02-19

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Chang Woo Oh ,  Shincheol Min ,  Jongwook Lee ,  Choongho Lee

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1033 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

摘要： Provided are methods of forming field effect transistors. The method includes preparing a substrate with a first region and a second region, forming fin portions on the first and second regions, each of the fin portions protruding from the substrate and having a first width, forming a first mask pattern to expose the fin portions on the first region and cover the fin portions on the second region, and changing widths of the fin portions provided on the first region.

摘要翻译： 提供了形成场效应晶体管的方法。 该方法包括制备具有第一区域和第二区域的衬底，在第一和第二区域上形成鳍部，每个翅片部分从衬底突出并具有第一宽度，形成第一掩模图案以暴露翅片部分 并且覆盖第二区域上的翅片部分，并且改变设置在第一区域上的翅片部分的宽度。

公开(公告)号：US08987100B2

公开(公告)日：2015-03-24

申请号：US13780527

申请日：2013-02-28

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Chang Woo Oh ,  Shincheol Min ,  Jongwook Lee ,  Choongho Lee

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L29/1033 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

摘要： Provided are methods of forming field effect transistors. The method includes preparing a substrate with a first region and a second region, forming fin portions on the first and second regions, each of the fin portions protruding from the substrate and having a first width, forming a first mask pattern to expose the fin portions on the first region and cover the fin portions on the second region, and changing widths of the fin portions provided on the first region.

摘要翻译： 提供了形成场效应晶体管的方法。 该方法包括制备具有第一区域和第二区域的衬底，在第一和第二区域上形成鳍部，每个翅片部分从衬底突出并具有第一宽度，形成第一掩模图案以暴露翅片部分 并且覆盖第二区域上的翅片部分，并且改变设置在第一区域上的翅片部分的宽度。