公开(公告)号：US20160072447A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：US14819088

申请日：2015-08-05

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Siddharth SETH ,  Sang Won SON ,  Dae Hyun KWON ,  Sriramkumar VENUGOPALAN ,  Thomas CHO

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/24 ,  H03F3/45 ,  H03F3/193

CPC classification number: H03F1/0233 ,  H03F1/0222 ,  H03F3/193 ,  H03F3/245 ,  H03F3/45179 ,  H03F3/45183 ,  H03F3/45197 ,  H03F2200/102 ,  H03F2200/153 ,  H03F2200/381 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/462 ,  H03F2200/546 ,  H03F2200/91 ,  H03F2203/30036 ,  H03F2203/45112 ,  H04B1/04 ,  H04B2001/0416

Abstract: A dynamically biased baseband current amplifier is provided. The dynamically biased baseband current amplifier includes an input interface; a controller; a variable resistor network; an amplifier stage; a hybrid differential envelope detector and full-wave rectifier; a transconductor; a first variable transistor; a second variable transistor; a third variable transistor; and a fourth variable transistor.

Abstract translation: 提供了一种动态偏置的基带电流放大器。 动态偏置的基带电流放大器包括输入接口; 控制器 可变电阻网络; 放大器级; 混合差分包络检波器和全波整流器; 跨导体 第一可变晶体管; 第二可变晶体管; 第三可变晶体管; 和第四可变晶体管。

公开(公告)号：US20170141737A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：US15419668

申请日：2017-01-30

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Siddharth Seth ,  Sang Won SON ,  Dae Hyun KWON ,  Sriramkumar VENUGOPALAN ,  Thomas CHO

IPC: H03F1/02 ,  H04B1/04 ,  H03F3/45 ,  H03F3/193 ,  H03F3/24

CPC classification number: H03F1/0233 ,  H03F1/0222 ,  H03F3/193 ,  H03F3/245 ,  H03F3/45179 ,  H03F3/45183 ,  H03F3/45197 ,  H03F2200/102 ,  H03F2200/153 ,  H03F2200/381 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/462 ,  H03F2200/546 ,  H03F2200/91 ,  H03F2203/30036 ,  H03F2203/45112 ,  H04B1/04 ,  H04B2001/0416

Abstract: An amplifier circuit is provided. The amplifier circuit includes an amplifier stage; a plurality of variable transistors connected to the amplifier stage; a transconductor connected to at least one of the plurality of variable transistors; and a hybrid differential envelope detector and full-wave rectifier connected to the transconductor.

公开(公告)号：US20160072481A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：US14821270

申请日：2015-08-07

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Siddharth SETH ,  Sang Won SON ,  Thomas CHO

IPC: H03K3/012 ,  H02M7/217

CPC classification number: H03K3/012 ,  G01R19/04 ,  H02M7/217 ,  H03K5/1532

Abstract: A first and second hybrid envelope detector and full-wave rectifier is provided. The first hybrid envelope detector and full-wave rectifier includes a first P-channel Field Effect Transistor (PFET); a second PFET; a first N-channel Field Effect Transistor (NFET); a second NFET; a third NFET; a fourth NFET; a fifth NFET; a controller; a variable transistor; and a variable capacitor. The second hybrid envelope detector and full-wave rectifier includes a first N-channel Field Effect Transistor (NFET); a second NFET; a first P-channel Field Effect Transistor (PFET); a second PFET; a third PFET; a fourth PFET; a fifth PFET; a controller; a variable transistor; and a variable capacitor.

Abstract translation: 提供第一和第二混合包络检测器和全波整流器。 第一混合包络检波器和全波整流器包括第一P沟道场效应晶体管（PFET）; 第二个PFET; 第一N沟道场效应晶体管（NFET）; 第二个NFET; 第三个NFET; 第四个NFET; 第五个NFET; 控制器 可变晶体管; 和可变电容器。 第二混合包络检测器和全波整流器包括第一N沟道场效应晶体管（NFET）; 第二个NFET; 第一P沟道场效应晶体管（PFET）; 第二个PFET; 第三个PFET; 第四个PFET; 第五个PFET; 控制器 可变晶体管; 和可变电容器。