公开(公告)号：US06530991B2

公开(公告)日：2003-03-11

申请号：US09734651

申请日：2000-12-13

申请人： Satoru Tanaka ,  Misaichi Takeuchi ,  Yoshinobu Aoyagi

发明人： Satoru Tanaka ,  Misaichi Takeuchi ,  Yoshinobu Aoyagi

IPC分类号： C30B2502

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： A method for the formation of a semiconductor layer by which a defect density of structural defects, particularly a dislocation density of threading dislocations in the resulting semiconductor layer can be remarkably reduced, so that hours of work can be shortened as well as a manufacturing cost can be reduced without requiring any complicated process comprises supplying a structural defect suppressing material for suppressing structural defects in the semiconductor layer onto a surface of the layer of a material from which the semiconductor layer is to be formed.

摘要翻译： 用于形成半导体层的方法，通过该方法可以显着减少结构缺陷的缺陷密度，特别是所得半导体层中的穿透位错的位错密度，从而可以缩短工作时间以及制造成本 在不需要任何复杂的工艺的情况下，可以减少将用于抑制半导体层中的结构缺陷的结构缺陷抑制材料提供到将要形成半导体层的材料层的表面上。

公开(公告)号：US08698168B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13039978

申请日：2011-03-03

申请人： Yoshihiro Ueta ,  Masataka Ohta ,  Yoshinobu Aoyagi ,  Misaichi Takeuchi

发明人： Yoshihiro Ueta ,  Masataka Ohta ,  Yoshinobu Aoyagi ,  Misaichi Takeuchi

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007

摘要： A method of crystal growth is provided which can suppress development of dislocations and cracks and a warp in a substrate. The method of crystal growth of a group III nitride semiconductor has: a step of heating a silicon substrate; and a step of forming a depressed structure on the substrate surface by advance-feeding onto the heated silicon substrate a gas containing at least TMA (trimethylaluminum).

摘要翻译： 提供一种晶体生长方法，其可以抑制位错和裂纹的发展以及基板中的翘曲。 III族氮化物半导体的晶体生长方法具有以下步骤：加热硅衬底; 以及通过向加热的硅衬底上预先给予至少含有TMA（三甲基铝）的气体，在衬底表面上形成凹陷结构的步骤。

公开(公告)号：US20120007039A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13039978

申请日：2011-03-03

申请人： Yoshihiro Ueta ,  Masataka Ohta ,  Yoshinobu Aoyagi ,  Misaichi Takeuchi

发明人： Yoshihiro Ueta ,  Masataka Ohta ,  Yoshinobu Aoyagi ,  Misaichi Takeuchi

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007

摘要： A method of crystal growth is provided which can suppress development of dislocations and cracks and a warp in a substrate. The method of crystal growth of a group III nitride semiconductor has: a step of heating a silicon substrate; and a step of forming a depressed structure on the substrate surface by advance-feeding onto the heated silicon substrate a gas containing at least TMA (trimethylaluminum).

摘要翻译： 提供一种晶体生长方法，其可以抑制位错和裂纹的发展以及基板中的翘曲。 III族氮化物半导体的晶体生长方法具有以下步骤：加热硅衬底; 以及通过向加热的硅衬底上预先给予至少含有TMA（三甲基铝）的气体，在衬底表面上形成凹陷结构的步骤。