公开(公告)号：US20110059563A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12874533

申请日：2010-09-02

申请人： Satoshi Okada ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio

发明人： Satoshi Okada ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio

IPC分类号： H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0083 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A manufacture method for a ZnO-based light emitting device, includes the steps of: forming a ZnO-based semiconductor layer of a first conductivity type above a substrate; two-dimensionally growing a first ZnO-based semiconductor layer of a second conductivity type opposite to the first conductivity type above the ZnO-based semiconductor layer of the first conductivity type; and three-dimensionally growing a second ZnO-based semiconductor layer of the second conductivity type on the first ZnO-based semiconductor layer of the second conductivity type.

摘要翻译： 一种ZnO系发光元件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在基板的上方形成第一导电型的ZnO系半导体层; 在第一导电类型的ZnO基半导体层之上二维生长与第一导电类型相反的第二导电类型的第一ZnO基半导体层; 并且在第二导电类型的第一ZnO基半导体层上三维地生长第二导电类型的第二ZnO基半导体层。

公开(公告)号：US08227281B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12874533

申请日：2010-09-02

申请人： Satoshi Okada ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio

发明人： Satoshi Okada ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L33/0083 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A manufacture method for a ZnO-based light emitting device, includes the steps of: forming a ZnO-based semiconductor layer of a first conductivity type above a substrate; two-dimensionally growing a first ZnO-based semiconductor layer of a second conductivity type opposite to the first conductivity type above the ZnO-based semiconductor layer of the first conductivity type; and three-dimensionally growing a second ZnO-based semiconductor layer of the second conductivity type on the first ZnO-based semiconductor layer of the second conductivity type.

摘要翻译： 一种ZnO系发光元件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在基板的上方形成第一导电型的ZnO系半导体层; 在第一导电类型的ZnO基半导体层之上二维生长与第一导电类型相反的第二导电类型的第一ZnO基半导体层; 并且在第二导电类型的第一ZnO基半导体层上三维地生长第二导电类型的第二ZnO基半导体层。

公开(公告)号：US07968905B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12165794

申请日：2008-07-01

申请人： Tomofumi Yamamuro ,  Michihiro Sano ,  Naochika Horio ,  Hiroyuki Kato ,  Akio Ogawa ,  Hiroshi Kotani

发明人： Tomofumi Yamamuro ,  Michihiro Sano ,  Naochika Horio ,  Hiroyuki Kato ,  Akio Ogawa ,  Hiroshi Kotani

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/285

摘要： A ZnO-containing semiconductor layer contains Se or S added to ZnO and has an emission peak wavelength of ultraviolet light and an emission peak wavelength of visual light. By combining the ZnO-containing semiconductor layer with phosphor or semiconductor which is excited by the emitted ultraviolet light and emits visual light, visual light at various wavelengths can be emitted.

摘要翻译： 含ZnO的半导体层含有添加到ZnO中的Se或S，具有紫外光的发射峰值波长和视觉光的发射峰值波长。 通过将含ZnO的半导体层与被发射的紫外线激发的荧光体或半导体结合并发射视觉光，可以发出各种波长的视觉光。

公开(公告)号：US20090294758A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12540772

申请日：2009-08-13

申请人： Akio OGAWA ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio ,  Hiroshi Kotani ,  Tomofumi Yamamuro

发明人： Akio OGAWA ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio ,  Hiroshi Kotani ,  Tomofumi Yamamuro

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/22 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01S5/347 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/285

摘要： A ZnO-containing semiconductor layer, doped with Se, has an emission peak wavelength in visual light and has a band gap equivalent to a band gap of ZnO.

摘要翻译： 掺有Se的含ZnO半导体层在视觉上具有发光峰值波长，并且具有与ZnO的带隙相当的带隙。

公开(公告)号：US20110084275A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12969304

申请日：2010-12-15

申请人： Tomofumi Yamamuro ,  Michihiro Sano ,  Naochika Horio ,  Hiroyuki Kato ,  Akio Ogawa ,  Hiroshi Kotani

发明人： Tomofumi Yamamuro ,  Michihiro Sano ,  Naochika Horio ,  Hiroyuki Kato ,  Akio Ogawa ,  Hiroshi Kotani

IPC分类号： H01L33/28

CPC分类号： H01L33/285

摘要： A ZnO-containing semiconductor layer contains Se added to ZnO and has an emission peak wavelength of ultraviolet light and an emission peak wavelength of visual light. By combining the ZnO-containing semiconductor layer with phosphor or a semiconductor which is excited by the emitted ultraviolet light and emits visual light, visual light at various wavelengths can be emitted.

摘要翻译： 含ZnO的半导体层含有添加到ZnO中的Se，并且具有紫外光的发射峰值波长和视觉光的发射峰值波长。 通过将含ZnO的半导体层与被发射的紫外线激发的荧光体或半导体结合并发射视觉光，可以发出各种波长的视觉光。

公开(公告)号：US20090008660A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US12165794

申请日：2008-07-01

申请人： Tomofumi Yamamuro ,  Michihiro Sano ,  Naochika Horio ,  Hiroyuki Kato ,  Akio Ogawa ,  Hiroshi Kotani

发明人： Tomofumi Yamamuro ,  Michihiro Sano ,  Naochika Horio ,  Hiroyuki Kato ,  Akio Ogawa ,  Hiroshi Kotani

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/285

摘要： A ZnO-containing semiconductor layer contains Se or S added to ZnO and has an emission peak wavelength of ultraviolet light and an emission peak wavelength of visual light. By combining the ZnO-containing semiconductor layer with phosphor or semiconductor which is excited by the emitted ultraviolet light and emits visual light, visual light at various wavelengths can be emitted.

摘要翻译： 含ZnO的半导体层含有添加到ZnO中的Se或S，具有紫外光的发射峰值波长和视觉光的发射峰值波长。 通过将含ZnO的半导体层与被发射的紫外线激发的荧光体或半导体结合并发射视觉光，可以发出各种波长的视觉光。

公开(公告)号：US08143618B2

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：US12371965

申请日：2009-02-17

申请人： Hiroshi Kotani ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio ,  Akio Ogawa ,  Tomofumi Yamamuro

发明人： Hiroshi Kotani ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio ,  Akio Ogawa ,  Tomofumi Yamamuro

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/28 ,  H01L24/45 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A ZnO based semiconductor device includes: a lamination structure including a first semiconductor layer containing ZnO based semiconductor of a first conductivity type and a second semiconductor layer containing ZnO based semiconductor of a second conductivity type opposite to the first conductivity type, formed above the first semiconductor layer and forming a pn junction together with the first semiconductor layer; and a Zn—Si—O layer containing compound of Zn, Si and O and covering a surface exposing the pn junction of the lamination structure.

摘要翻译： 一种ZnO基半导体器件包括：层叠结构，其包括第一半导体层，其包含第一导电类型的ZnO基半导体和包含与第一导电类型相反的第二导电类型的ZnO基半导体的第二半导体层，形成在第一半导体 并与第一半导体层一起形成pn结; 以及包含Zn，Si和O化合物的Zn-Si-O层，并覆盖暴露层压结构的pn结的表面。

公开(公告)号：US08039867B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12540772

申请日：2009-08-13

申请人： Akio Ogawa ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio ,  Hiroshi Kotani ,  Tomofumi Yamamuro

发明人： Akio Ogawa ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio ,  Hiroshi Kotani ,  Tomofumi Yamamuro

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/347 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/285

摘要： A ZnO-containing semiconductor layer, doped with Se, has an emission peak wavelength in visual light and has a band gap equivalent to a band gap of ZnO.

摘要翻译： 掺有Se的含ZnO半导体层在视觉上具有发光峰值波长，并且具有与ZnO的带隙相当的带隙。

公开(公告)号：US07834371B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US12025044

申请日：2008-02-03

申请人： Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio

发明人： Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/0083 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor light emitting device manufacture method is provided which can manufacture a semiconductor light emitting device of high quality. A first substrate of an n-type ZnO substrate is prepared. A lamination structure including an optical emission layer made of ZnO based compound semiconductor is formed on the first substrate. A p-side conductive layer is formed on the lamination structure. A first eutectic material layer made of eutectic material is formed on the p-side conductive layer. A second eutectic material layer made of eutectic material is formed on a second substrate. The first and second eutectic material layers are eutectic-bonded to couple the first and second substrates. After the first substrate is optionally thinned, an n-side electrode is formed on a partial surface of the first substrate.

摘要翻译： 提供一种能够制造高质量的半导体发光器件的半导体发光器件制造方法。 制备n型ZnO衬底的第一衬底。 在第一基板上形成包括由ZnO基化合物半导体构成的发光层的层叠结构。 p层导电层形成在层压结构上。 在p侧导电层上形成由共晶材料制成的第一共晶材料层。 在第二基板上形成由共晶材料制成的第二共晶材料层。 第一和第二共晶材料层共晶接合以耦合第一和第二基板。 在第一衬底任选变薄之后，在第一衬底的部分表面上形成n侧电极。

公开(公告)号：US20090206333A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：US12371965

申请日：2009-02-17

申请人： Hiroshi Kotani ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio ,  Akio Ogawa ,  Tomofumi Yamamuro

发明人： Hiroshi Kotani ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio ,  Akio Ogawa ,  Tomofumi Yamamuro

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L33/28 ,  H01L24/45 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A ZnO based semiconductor device includes: a lamination structure including a first semiconductor layer containing ZnO based semiconductor of a first conductivity type and a second semiconductor layer containing ZnO based semiconductor of a second conductivity type opposite to the first conductivity type, formed above the first semiconductor layer and forming a pn junction together with the first semiconductor layer; and a Zn—Si—O layer containing compound of Zn, Si and O and covering a surface exposing the pn junction of the lamination structure.

摘要翻译： 一种ZnO基半导体器件包括：层叠结构，其包括第一半导体层，其包含第一导电类型的ZnO基半导体和包含与第一导电类型相反的第二导电类型的ZnO基半导体的第二半导体层，形成在第一半导体 并与第一半导体层一起形成pn结; 以及包含Zn，Si和O化合物的Zn-Si-O层，并覆盖暴露层压结构的pn结的表面。