公开(公告)号：US20120271502A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13444038

申请日：2012-04-11

申请人： Seongsoo LEE ,  Dongki Noh ,  Chulmo Sung ,  Seungmin Baek ,  Jeongsuk Yoon

发明人： Seongsoo LEE ,  Dongki Noh ,  Chulmo Sung ,  Seungmin Baek ,  Jeongsuk Yoon

IPC分类号： B25J13/08 ,  B25J19/04 ,  G05D1/00

CPC分类号： G05D1/0274 ,  A47L2201/00 ,  A47L2201/04 ,  G05D1/0227 ,  G05D1/0238 ,  G05D1/0242 ,  G05D1/0246 ,  G05D1/0255 ,  G05D1/0272 ,  G05D2201/0203

摘要： Disclosed are a robot cleaner and a method for controlling the same. Firstly, an obstacle may be detected by using a light pattern sensor, and a user's inconvenience due to irradiation of a light pattern may be solved. Secondly, an obstacle may be precisely detected in a three dimensional manner by using the light pattern sensor. This may allow precise creation of a cleaning map. Thirdly, a user's eyes may be prevented from being continuously exposed to a light source. This may enhance the user's convenience.

摘要翻译： 公开了一种机器人清洁器及其控制方法。 首先，可以通过使用光图案传感器来检测障碍物，并且可以解决由于光图案的照射引起的用户的不便。 其次，可以通过使用光图案传感器以三维方式精确地检测障碍物。 这可能允许精确地创建清洁地图。 第三，可以防止用户的眼睛不断地暴露于光源。 这可以增强用户的便利性。

公开(公告)号：US20140106569A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：US13949600

申请日：2013-07-24

申请人： Jung-Ik OH ,  Daehyun JANG ,  Ha-Na KIM ,  Seongsoo LEE

发明人： Jung-Ik OH ,  Daehyun JANG ,  Ha-Na KIM ,  Seongsoo LEE

IPC分类号： H01L21/308

CPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

摘要： According to example embodiments of inventive concepts, a method of fabricating a 3D semiconductor device may include: forming a stack structure including a plurality of horizontal layers sequentially stacked on a substrate including a cell array region and a contact region; forming a first mask pattern covering the cell array region and defining openings extending in one direction over the contact region; performing a first etching process with a first etch-depth using the first mask pattern as an etch mask on the stack structure; forming a second mask pattern covering the cell array region and exposing a part of the contact region; and performing a second etching process with a second etch-depth using the second mask pattern as an etch mask structure on the stack structure. The second etch-depth may be greater than the first etch-depth.

摘要翻译： 根据发明构思的示例性实施例，制造3D半导体器件的方法可以包括：形成包括依次层叠在包括单元阵列区域和接触区域的基板上的多个水平层的堆叠结构; 形成覆盖所述单元阵列区域并限定在所述接触区域上沿一个方向延伸的开口的第一掩模图案; 使用所述第一掩模图案作为所述堆叠结构上的蚀刻掩模，利用第一蚀刻深度执行第一蚀刻工艺; 形成覆盖所述单元阵列区域并露出所述接触区域的一部分的第二掩模图案; 以及使用所述第二掩模图案作为所述堆叠结构上的蚀刻掩模结构，用第二蚀刻深度执行第二蚀刻工艺。 第二蚀刻深度可以大于第一蚀刻深度。