公开(公告)号：US07710004B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US12400859

申请日：2009-03-10

申请人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： H01L41/04 ,  H01L41/047

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3, the insulating target material including an oxide of an element A, an oxide of an element B, and at least one of an Si compound and a Ge compound.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料，包括元素A的氧化物，元素B的氧化物，以及Si化合物和Ge化合物中的至少一种的绝缘靶材料。

公开(公告)号：US07622850B2

公开(公告)日：2009-11-24

申请号：US11304937

申请日：2005-12-15

申请人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

发明人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

IPC分类号： H01L41/187 ,  H01L41/047

CPC分类号： H03H9/0542 ,  B41J2/14233 ,  H01L27/20 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/0973 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/176

摘要： A piezoelectric device includes: a substrate; a first conductive layer formed over the substrate, the first conductive layer including at least one buffer layer formed of a (001) preferentially oriented lanthanum-based layered perovskite compound; a piezoelectric layer formed over the first conductive layer and including a piezoelectric having a perovskite structure; and a second conductive layer electrically connected with the piezoelectric layer.

摘要翻译： 压电装置包括：基板; 形成在所述基板上的第一导电层，所述第一导电层包括由（001）优先取向的镧基层状钙钛矿化合物形成的至少一个缓冲层; 形成在所述第一导电层上并包括具有钙钛矿结构的压电体的压电层; 以及与压电层电连接的第二导电层。

公开(公告)号：US07291960B2

公开(公告)日：2007-11-06

申请号：US11304938

申请日：2005-12-15

申请人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

发明人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

IPC分类号： H01L41/047

CPC分类号： B41J2/14233 ,  F04B43/046 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973

摘要： A piezoelectric device including: a substrate; a first conductive layer formed over the substrate, the first conductive layer including a conductive oxide layer formed of a (001) preferentially oriented lanthanum nickelate, and the lanthanum nickelate having oxygen deficiency; a piezoelectric layer formed over the first conductive layer and including a piezoelectric having a perovskite structure; and a second conductive layer electrically connected with the piezoelectric layer.

摘要翻译： 一种压电装置，包括：基板; 形成在所述基板上的第一导电层，所述第一导电层包括由（001）优先取向的镍酸镧形成的导电氧化物层和具有氧缺陷的所述镍酸镧; 形成在所述第一导电层上并包括具有钙钛矿结构的压电体的压电层; 以及与压电层电连接的第二导电层。

公开(公告)号：US20070170053A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：US11655957

申请日：2007-01-19

申请人： Koji Ohashi ,  Takeshi Kijima ,  Setsuya Iwashita

发明人： Koji Ohashi ,  Takeshi Kijima ,  Setsuya Iwashita

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/088 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/33 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/29

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3. The insulating target material includes: an oxide of an element A; an oxide of an element B; an oxide of an element X; and at least one of an Si compound and a Ge compound, the element A being at least one element selected from La, Ca, Sr, Mn, Ba, and Re, the element B being at least one element selected from Ti, V, Sr, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Ir, Pb, and Nd, and the element X being at least one element selected from Nb, Ta, and V.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO 3 3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料。 绝缘靶材料包括：元素A的氧化物; 元素B的氧化物; 元素X的氧化物; 以及Si化合物和Ge化合物中的至少一种，元素A为选自La，Ca，Sr，Mn，Ba和Re中的至少一种元素，元素B为选自Ti，V， Sr，Cr，Fe，Co，Ni，Cu，Ru，Ir，Pb和Nd，元素X为选自Nb，Ta和V中的至少一种元素。

公开(公告)号：US20060139414A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11304937

申请日：2005-12-15

申请人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

发明人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

IPC分类号： B41J2/045

CPC分类号： H03H9/0542 ,  B41J2/14233 ,  H01L27/20 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/0973 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/176

摘要： A piezoelectric device includes: a substrate; a first conductive layer formed over the substrate, the first conductive layer including at least one buffer layer formed of a (001) preferentially oriented lanthanum-based layered perovskite compound; a piezoelectric layer formed over the first conductive layer and including a piezoelectric having a perovskite structure; and a second conductive layer electrically connected with the piezoelectric layer.

公开(公告)号：US07524451B2

公开(公告)日：2009-04-28

申请号：US11504255

申请日：2006-08-15

申请人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： B28B1/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3, the insulating target material including an oxide of an element A, an oxide of an element B, and at least one of an Si compound and a Ge compound.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料，包括元素A的氧化物，元素B的氧化物，以及Si化合物和Ge化合物中的至少一种的绝缘靶材料。

公开(公告)号：US20070040243A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11504255

申请日：2006-08-15

申请人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3, the insulating target material including an oxide of an element A, an oxide of an element B, and at least one of an Si compound and a Ge compound.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO 3 3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料，包括元素A的氧化物，元素B的氧化物的绝缘靶材料，以及元素B的至少一种 Si化合物和Ge化合物。

公开(公告)号：US20060138906A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11304938

申请日：2005-12-15

申请人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

发明人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： B41J2/14233 ,  F04B43/046 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973

摘要： A piezoelectric device including: a substrate; a first conductive layer formed over the substrate, the first conductive layer including a conductive oxide layer formed of a (001) preferentially oriented lanthanum nickelate, and the lanthanum nickelate having oxygen deficiency; a piezoelectric layer formed over the first conductive layer and including a piezoelectric having a perovskite structure; and a second conductive layer electrically connected with the piezoelectric layer.

摘要翻译： 一种压电装置，包括：基板; 形成在所述基板上的第一导电层，所述第一导电层包括由（001）优先取向的镧镍酸盐形成的导电氧化物层和所述镍缺乏的所述镍酸镧; 形成在所述第一导电层上并包括具有钙钛矿结构的压电体的压电层; 以及与压电层电连接的第二导电层。

公开(公告)号：US07867472B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11655957

申请日：2007-01-19

申请人： Koji Ohashi ,  Takeshi Kijima ,  Setsuya Iwashita

发明人： Koji Ohashi ,  Takeshi Kijima ,  Setsuya Iwashita

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/088 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/33 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/29

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3. The insulating target material includes: an oxide of an element A; an oxide of an element B; an oxide of an element X; and at least one of an Si compound and a Ge compound, the element A being at least one element selected from La, Ca, Sr, Mn, Ba, and Re, the element B being at least one element selected from Ti, V, Sr, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Ir, Pb, and Nd, and the element X being at least one element selected from Nb, Ta, and V.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料。 绝缘靶材料包括：元素A的氧化物; 元素B的氧化物; 元素X的氧化物; 以及Si化合物和Ge化合物中的至少一种，元素A为选自La，Ca，Sr，Mn，Ba和Re中的至少一种元素，元素B为选自Ti，V， Sr，Cr，Fe，Co，Ni，Cu，Ru，Ir，Pb和Nd，元素X为选自Nb，Ta和V中的至少一种元素。

公开(公告)号：US20070163879A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11654792

申请日：2007-01-18

申请人： Koji Ohashi ,  Takeshi Kijima ,  Setsuya Iwashita ,  Yasuaki Hamada

发明人： Koji Ohashi ,  Takeshi Kijima ,  Setsuya Iwashita ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/493 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C23C14/088

摘要： A method of manufacturing an insulating target material for obtaining an insulating complex oxide film of a general formula AB1-xCxO3, the method including: mixing an oxide of an element A, an oxide of an element B, and an oxide of an element C, subjecting the mixed powder to heat treatment, and pulverizing the resulting product to obtain a first powder; mixing the first powder and a solution including at least one of an Si raw material and a Ge raw material and obtaining a second powder from the mixture of the first powder and the solution; subjecting the second powder to heat treatment and pulverizing the resulting product to obtain a third powder; and subjecting the third powder to heat treatment.

摘要翻译： 一种制造用于获得通式AB 1-x C x O 3 N的绝缘复合氧化物膜的绝缘靶材料的制造方法， 方法包括：将元素A的氧化物，元素B的氧化物和元素C的氧化物混合，使混合粉末进行热处理，并粉碎所得产物以获得第一粉末; 混合第一粉末和包含Si原料和Ge原料中的至少一种的溶液，并从第一粉末和溶液的混合物中获得第二粉末; 对第二粉末进行热处理并粉碎所得产物以获得第三粉末; 并对第三粉末进行热处理。