公开(公告)号：US20130135934A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13599773

申请日：2012-08-30

申请人： Seung-Bum KIM ,  Jaeyong JEONG ,  Kitae PARK

发明人： Seung-Bum KIM ,  Jaeyong JEONG ,  Kitae PARK

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3427

摘要： Disclosed is a method of operating a nonvolatile memory device which includes a first memory area and a second memory area, the number of pages being stored in each word line of the first memory area being smaller than the number of pages being stored in each word line of the second memory area, and the first memory area being configured to buffer data to be written in the second memory area. The method includes sensing pages stored in the first memory area to store the sensed pages in a page buffer; receiving an address for storing pages stored in the page buffer in the second memory area; and randomizing the pages stored in the page buffer based on the address.

摘要翻译： 公开了一种操作包括第一存储区域和第二存储区域的非易失性存储器件的方法，存储在第一存储器区域的每个字线中的页数小于存储在每个字线中的页数 并且所述第一存储区域被配置为缓冲要写入到所述第二存储器区域中的数据。 该方法包括感测存储在第一存储器区域中的页面以将感测的页面存储在页面缓冲器中; 接收存储在第二存储器区域中的页面缓冲器中的页面的地址; 并且基于地址随机化存储在页面缓冲器中的页面。

公开(公告)号：US20130117634A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13604772

申请日：2012-09-06

申请人： Sang-Hyun JOO ,  Kitae PARK ,  Sangyong YOON ,  Jaeyong JEONG

发明人： Sang-Hyun JOO ,  Kitae PARK ,  Sangyong YOON ,  Jaeyong JEONG

IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F11/1048 ,  G06F3/0649 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/14 ,  G06F11/1402 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/72 ,  G06F2212/7205 ,  G11C29/42 ,  G11C2211/5641 ,  H03M13/05 ,  H03M13/3715

摘要： A memory system comprises a nonvolatile memory device comprising a memory cell array comprising first and second memory blocks, and a memory controller configured to control the nonvolatile memory device to read data from the first memory block, selectively determine an error correction operation to be performed on the data after it is read from the first memory block based on a state of at least one of the first and second memory blocks, and then store the data in the second memory block.

摘要翻译： 存储器系统包括非易失性存储器件，其包括包括第一和第二存储器块的存储器单元阵列，以及存储器控制器，其被配置为控制非易失性存储器件从第一存储器块读取数据，选择性地确定要执行的纠错操作 基于第一和第二存储器块中的至少一个的状态从第一存储器块读取之后的数据，然后将数据存储在第二存储器块中。

公开(公告)号：US20150205539A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：US14527092

申请日：2014-10-29

申请人： Sangkwon MOON ,  Jihong KIM ,  Jaeyong JEONG ,  Kyung Ho KIM

发明人： Sangkwon MOON ,  Jihong KIM ,  Jaeyong JEONG ,  Kyung Ho KIM

IPC分类号： G06F3/06

CPC分类号： G06F3/0652 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/72

摘要： An erase method of a nonvolatile memory device is provided which includes receiving an erase request; selecting an erase mode of a memory block corresponding to the erase request, based on an access condition of the nonvolatile memory device managed by a memory controller; and controlling the nonvolatile memory device to erase the memory block according to the selected erase mode. The erase mode includes a fast erase mode of which an erase time for the memory block is shorter than a reference time and a slow erase mode of which an erase time for the memory block is longer than the reference time.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件的擦除方法，包括接收擦除请求; 基于由存储器控制器管理的非易失性存储器件的访问条件，选择与擦除请求对应的存储块的擦除模式; 以及根据所选择的擦除模式控制非易失性存储器件擦除存储器块。 擦除模式包括其中存储块的擦除时间短于参考时间的快速擦除模式以及存储块的擦除时间比参考时间长的缓慢擦除模式。

公开(公告)号：US20140369124A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：US14287580

申请日：2014-05-27

申请人： Sangkwon MOON ,  Kyung Ho KIM ,  Jihong KIM ,  Jaeyong JEONG

发明人： Sangkwon MOON ,  Kyung Ho KIM ,  Jihong KIM ,  Jaeyong JEONG

IPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/26

CPC分类号： G11C16/16 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/26 ,  G11C16/349

摘要： A method of operating a memory device includes: determining an erase mode based on a number of erase cycles performed on a memory block and an erase voltage utilized to perform each erase cycle; and setting an erase voltage level for executing an erase operation on the memory block based on the determined erase mode.

摘要翻译： 一种操作存储器件的方法包括：基于对存储器块执行的擦除次数和用于执行每个擦除周期的擦除电压来确定擦除模式; 以及基于所确定的擦除模式，设置用于对所述存储器块执行擦除操作的擦除电压电平。