公开(公告)号：US08234438B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US12457464

申请日：2009-06-11

申请人： Seungeon Ahn ,  Keewon Kwon ,  Jaechul Park ,  Youngsoo Park ,  Myoungjae Lee

发明人： Seungeon Ahn ,  Keewon Kwon ,  Jaechul Park ,  Youngsoo Park ,  Myoungjae Lee

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G11C8/06 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/7201 ,  G11C13/0069

摘要： Example embodiments provide a method of operating a non-volatile memory in which the non-volatile memory may only be changed from a first state to a second state and may not be changed from the second state to the first state during a programming operation.

摘要翻译： 示例性实施例提供了一种操作非易失性存储器的方法，其中非易失性存储器可以仅在编程操作期间从第一状态改变到第二状态，并且可以不从第二状态改变到第一状态。

公开(公告)号：US20100085821A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12457464

申请日：2009-06-11

申请人： Seungeon Ahn ,  Keewon Kwon ,  Jaechul Park ,  Youngsoo Park ,  Myoungjae Lee

发明人： Seungeon Ahn ,  Keewon Kwon ,  Jaechul Park ,  Youngsoo Park ,  Myoungjae Lee

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C11/00

CPC分类号： G11C8/06 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/7201 ,  G11C13/0069

摘要： Example embodiments provide a method of operating a non-volatile memory in which the non-volatile memory may only be changed from a first state to a second state and may not be changed from the second state to the first state during a programming operation.

摘要翻译： 示例性实施例提供了一种操作非易失性存储器的方法，其中非易失性存储器可以仅在编程操作期间从第一状态改变到第二状态，并且可以不从第二状态改变到第一状态。

公开(公告)号：US20090302315A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12379719

申请日：2009-02-27

申请人： Changbum Lee ,  Youngsoo Park ,  Myoungjae Lee ,  Bosoo Kang ,  Seungeon Ahn ,  Kihwan Kim

发明人： Changbum Lee ,  Youngsoo Park ,  Myoungjae Lee ,  Bosoo Kang ,  Seungeon Ahn ,  Kihwan Kim

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： A resistive random access memory (RRAM) includes a switch region formed of a material having bi-polar properties; and a memory resistor formed of a material having uni-polar properties. The RRAM further includes a lower electrode formed below the switch region; an upper electrode formed on the memory resistor; and an intermediate electrode formed between the switch region and the memory resistor.

摘要翻译： 电阻随机存取存储器（RRAM）包括由具有双极特性的材料形成的开关区域; 以及由具有单极性的材料形成的记忆电阻。 RRAM还包括形成在开关区域下方的下电极; 形成在记忆电阻上的上电极; 以及形成在开关区域和存储电阻器之间的中间电极。

公开(公告)号：US20100054015A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12385390

申请日：2009-04-07

申请人： Myoungjae Lee ,  Inkyeong Yoo ,  Youngsoo Park

发明人： Myoungjae Lee ,  Inkyeong Yoo ,  Youngsoo Park

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/34 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C7/18 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C8/14 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C17/16 ,  G11C2213/71

摘要： Provided is a non-volatile memory device that may include a plurality of variable resistors, each of the variable resistors having first and second terminals, the plurality of variable resistors arranged as a first layer of a plurality of layers and having data storage capability, at least one common bit plane arranged as a second layer of the plurality of layers and coupled to the first terminal of each of the variable resistors of the first layer, and a plurality of bit lines coupled to the second terminal of each of the variable resistors of the first layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件，其可以包括多个可变电阻器，每个可变电阻器具有第一和第二端子，多个可变电阻器被布置为多层的第一层并且具有数据存储能力， 布置为多个层的第二层并耦合到第一层的每个可变电阻器的第一端的至少一个公共位平面以及耦合到每个可变电阻器的第二端的多个位线 第一层。

公开(公告)号：US08289747B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US12385390

申请日：2009-04-07

申请人： Myoungjae Lee ,  Inkyeong Yoo ,  Youngsoo Park

发明人： Myoungjae Lee ,  Inkyeong Yoo ,  Youngsoo Park

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/34 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C7/18 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C8/14 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C17/16 ,  G11C2213/71

摘要： Provided is a non-volatile memory device that may include a plurality of variable resistors, each of the variable resistors having first and second terminals, the plurality of variable resistors arranged as a first layer of a plurality of layers and having data storage capability, at least one common bit plane arranged as a second layer of the plurality of layers and coupled to the first terminal of each of the variable resistors of the first layer, and a plurality of bit lines coupled to the second terminal of each of the variable resistors of the first layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件，其可以包括多个可变电阻器，每个可变电阻器具有第一和第二端子，多个可变电阻器被布置为多层的第一层并且具有数据存储能力， 布置为多个层的第二层并耦合到第一层的每个可变电阻器的第一端的至少一个公共位平面以及耦合到每个可变电阻器的第二端的多个位线 第一层。