公开(公告)号：US20080185655A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US11670584

申请日：2007-02-02

申请人： Shao-Ta Hsu ,  Teng-Chun Tsai ,  Neng-Kuo Chen ,  Hsiu-Lien Liao ,  Cheng-Han Wu ,  Wen-Han Hung

发明人： Shao-Ta Hsu ,  Teng-Chun Tsai ,  Neng-Kuo Chen ,  Hsiu-Lien Liao ,  Cheng-Han Wu ,  Wen-Han Hung

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843

摘要： A method for forming a semiconductor device is provided. The method comprises steps of providing a substrate having a first-conductive-type transistor and a second-conductive-type transistor formed thereon and then forming a stress layer over the substrate to conformally cover the first-conductive-type transistor and the second-conductive-type transistor. A cap layer is formed on the stress layer over the first-conductive-type transistor. A modification process is performed. The cap layer is removed.

摘要翻译： 提供一种形成半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：提供具有形成在其上的第一导电型晶体管和第二导电型晶体管的衬底，然后在衬底上形成应力层以共形覆盖第一导电型晶体管和第二导电型晶体管 型晶体管。 在第一导电型晶体管上的应力层上形成覆盖层。 执行修改处理。 盖层被去除。

公开(公告)号：US07642166B2

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US12265736

申请日：2008-11-06

申请人： Kun-Hsien Lee ,  Cheng-Tung Huang ,  Wen-Han Hung ,  Shyh-Fann Ting ,  Li-Shian Jeng ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Neng-Kuo Chen ,  Shao-Ta Hsu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

发明人： Kun-Hsien Lee ,  Cheng-Tung Huang ,  Wen-Han Hung ,  Shyh-Fann Ting ,  Li-Shian Jeng ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Neng-Kuo Chen ,  Shao-Ta Hsu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

IPC分类号： H01L213/8234

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7843

摘要： A method of manufacturing a MOS transistor device is provided. First, a semiconductor substrate having a gate structure is prepared. The gate structure has two sidewalls and a liner on the sidewalls. Subsequently, a stressed cap layer is formed on the semiconductor substrate, and covers the gate structure and the liner. Next, an activating process is performed. Furthermore, the stressed cap layer is etched to be a salicide block. Afterward, a salicide process is performed to form a silicide layer on the regions that are not covered by the stressed cap layer.

摘要翻译： 提供一种制造MOS晶体管器件的方法。 首先，准备具有栅极结构的半导体基板。 栅极结构在侧壁上具有两个侧壁和衬垫。 随后，在半导体衬底上形成应力覆盖层，并覆盖栅极结构和衬垫。 接下来，执行激活处理。 此外，将应力覆盖层蚀刻成为自对准硅化物块。 之后，进行自对准处理以在未被应力覆盖层覆盖的区域上形成硅化物层。

公开(公告)号：US20090068805A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US12265736

申请日：2008-11-06

申请人： Kun-Hsien Lee ,  Cheng-Tung Huang ,  Wen-Han Hung ,  Shyh-Fann Ting ,  Li-Shian Jeng ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Neng-Kuo Chen ,  Shao-Ta Hsu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

发明人： Kun-Hsien Lee ,  Cheng-Tung Huang ,  Wen-Han Hung ,  Shyh-Fann Ting ,  Li-Shian Jeng ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Neng-Kuo Chen ,  Shao-Ta Hsu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7843

摘要： A method of manufacturing a MOS transistor device is provided. First, a semiconductor substrate having a gate structure is prepared. The gate structure has two sidewalls and a liner on the sidewalls. Subsequently, a stressed cap layer is formed on the semiconductor substrate, and covers the gate structure and the liner. Next, an activating process is performed. Furthermore, the stressed cap layer is etched to be a salicide block. Afterward, a salicide process is performed to form a silicide layer on the regions that are not covered by the stressed cap layer.

摘要翻译： 提供一种制造MOS晶体管器件的方法。 首先，准备具有栅极结构的半导体基板。 栅极结构在侧壁上具有两个侧壁和衬垫。 随后，在半导体衬底上形成应力覆盖层，并覆盖栅极结构和衬垫。 接下来，执行激活处理。 此外，将应力覆盖层蚀刻成为自对准硅化物块。 之后，进行自对准处理以在未被应力覆盖层覆盖的区域上形成硅化物层。

公开(公告)号：US20080166888A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11621968

申请日：2007-01-10

申请人： Shao-Ta Hsu ,  Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai

发明人： Shao-Ta Hsu ,  Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31612 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/76224

摘要： A method for filling silicon nitride materials into a trench includes providing a substrate having a plurality of trenches, performing a first deposition process to form a first silicon nitride layer in the trenches, and performing a second deposition process to form a second silicon nitride layer in the trenches. The reactant gas of the first deposition process has a first O3/TEOS flow ratio larger than a second O3/TEOS flow ratio of the reactant gas of the second deposition process.

摘要翻译： 将氮化硅材料填充到沟槽中的方法包括提供具有多个沟槽的衬底，执行第一沉积工艺以在沟槽中形成第一氮化硅层，以及执行第二沉积工艺以形成第二氮化硅层 壕沟 第一沉积工艺的反应气体具有大于第二沉积工艺的反应气体的第二O 3 / TEOS流动比的第一O 3 / TEOS流动比 。

公开(公告)号：US20080099801A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11552532

申请日：2006-10-25

申请人： Kun-Hsien Lee ,  Cheng-Tung Huang ,  Wen-Han Hung ,  Shyh-Fann Ting ,  Li-Shian Jeng ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Neng-Kuo Chen ,  Shao-Ta Hsu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

发明人： Kun-Hsien Lee ,  Cheng-Tung Huang ,  Wen-Han Hung ,  Shyh-Fann Ting ,  Li-Shian Jeng ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Neng-Kuo Chen ,  Shao-Ta Hsu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7843

摘要： A method of manufacturing a MOS transistor device. First, a semiconductor substrate having a gate structure is prepared. The gate structure has two sidewalls and a liner on the sidewalls. Subsequently, a stressed cap layer is formed on the semiconductor substrate, and covers the gate structure and the liner. Next, an activating process is performed. Furthermore, the stressed cap layer is etched to be a salicide block. Afterward, a salicide process is performed to form a silicide layer on the regions that are not covered by the stressed cap layer.

摘要翻译： 一种制造MOS晶体管器件的方法。 首先，准备具有栅极结构的半导体衬底。 栅极结构在侧壁上具有两个侧壁和衬垫。 随后，在半导体衬底上形成应力覆盖层，并覆盖栅极结构和衬垫。 接下来，执行激活处理。 此外，将应力覆盖层蚀刻成为自对准硅化物块。 之后，进行自对准处理以在未被应力覆盖层覆盖的区域上形成硅化物层。

公开(公告)号：US20070117375A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11164480

申请日：2005-11-24

申请人： Chao-Lon Yang ,  Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Shao-Ta Hsu

发明人： Chao-Lon Yang ,  Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Shao-Ta Hsu

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76837

摘要： A method of forming a contact is provided. A substrate having at least two conductive devices is provided. A spacing is located between the two conductive devices. A first dielectric layer is formed over the substrate to cover the two conductive devices and the spacing. A seam is formed in the first dielectric layer within the spacing. Then, a portion of the first dielectric layer is removed to form an opening so that the width of the seam is expanded. A second dielectric layer is formed over the first dielectric layer to fill the opening. A portion of the second dielectric layer and a portion of the first dielectric layer within the spacing are removed until a portion of the surface of the substrate is exposed and a contact opening is formed in the location for forming the contact. Finally, conductive material is deposited to fill the contact opening.

摘要翻译： 提供了形成接触的方法。 提供具有至少两个导电装置的基板。 间隔位于两个导电器件之间。 第一电介质层形成在衬底上以覆盖两个导电器件和间隔。 在间隔内的第一电介质层中形成接缝。 然后，去除第一电介质层的一部分以形成开口，使得接缝的宽度扩大。 在第一介电层上方形成第二电介质层以填充开口。 去除第二电介质层的一部分和间隔内的第一电介质层的一部分，直到基板表面的一部分露出，并且在用于形成接触的位置形成接触开口。 最后，沉积导电材料以填充接触开口。

公开(公告)号：US07294572B2

公开(公告)日：2007-11-13

申请号：US11164480

申请日：2005-11-24

申请人： Chao-Lon Yang ,  Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Shao-Ta Hsu

发明人： Chao-Lon Yang ,  Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Shao-Ta Hsu

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76837

摘要： A method of forming a contact is provided. A substrate having at least two conductive devices is provided. A spacing is located between the two conductive devices. A first dielectric layer is formed over the substrate to cover the two conductive devices and the spacing. A seam is formed in the first dielectric layer within the spacing. Then, a portion of the first dielectric layer is removed to form an opening so that the width of the seam is expanded. A second dielectric layer is formed over the first dielectric layer to fill the opening. A portion of the second dielectric layer and a portion of the first dielectric layer within the spacing are removed until a portion of the surface of the substrate is exposed and a contact opening is formed in the location for forming the contact. Finally, conductive material is deposited to fill the contact opening.

摘要翻译： 提供了形成接触的方法。 提供具有至少两个导电装置的基板。 间隔位于两个导电器件之间。 第一电介质层形成在衬底上以覆盖两个导电器件和间隔。 在间隔内的第一电介质层中形成接缝。 然后，去除第一电介质层的一部分以形成开口，使得接缝的宽度扩大。 在第一介电层上方形成第二电介质层以填充开口。 去除第二电介质层的一部分和间隔内的第一电介质层的一部分，直到基板表面的一部分露出，并且在用于形成接触的位置形成接触开口。 最后，沉积导电材料以填充接触开口。

公开(公告)号：US07238586B2

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：US11161074

申请日：2005-07-21

申请人： Shao-Ta Hsu ,  Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai

发明人： Shao-Ta Hsu ,  Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224

摘要： A seamless trench fill method utilizing ozone-assisted sub-atmospheric pressure chemical vapor deposition (SACVD) technique is provided. After the deposition of a SACVD silicon oxide film, the substrate is subjected to a steam anneal that is performed under H2/O2 environment at a relatively lower temperature ranging between 500° C. and 800° C. for a time period of no less than 30 minutes. The seam defect in the trench is effectively eliminated by this low-temperature steam anneal. To densify the SACVD silicon oxide film, a subsequent N2 anneal is carried out at a higher temperature, for example, 1050° C.

摘要翻译： 提供了利用臭氧辅助亚大气压化学气相沉积（SACVD）技术的无缝沟槽填充方法。 在沉积SACVD氧化硅膜之后，将衬底经受在H 2 / O 2 N 2环境下进行的蒸汽退火，温度在500℃以下 ℃至800℃，时间不少于30分钟。 通过这种低温蒸汽退火有效地消除了沟槽中的接缝缺陷。 为了致密化SACVD氧化硅膜，随后的N 2 H 3退火在更高的温度例如1050℃下进行。

公开(公告)号：US07541298B2

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US11621968

申请日：2007-01-10

申请人： Shao-Ta Hsu ,  Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai

发明人： Shao-Ta Hsu ,  Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/31612 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/76224

摘要： A method for filling silicon oxide materials into a trench includes providing a substrate having a plurality of trenches, performing a first deposition process to form a first silicon oxide layer in the trenches, and performing a second deposition process to form a second silicon oxide layer in the trenches. The reactant gas of the first deposition process has a first O3/TEOS flow ratio larger than a second O3/TEOS flow ratio of the reactant gas of the second deposition process.

摘要翻译： 将氧化硅材料填充到沟槽中的方法包括提供具有多个沟槽的衬底，执行第一沉积工艺以在沟槽中形成第一氧化硅层，以及执行第二沉积工艺以形成第二氧化硅层 壕沟 第一沉积工艺的反应气体具有比第二沉积工艺的反应气体的第二O 3 / TEOS流量比大的第一O 3 / TEOS流动比。

公开(公告)号：US07494878B2

公开(公告)日：2009-02-24

申请号：US11552532

申请日：2006-10-25

申请人： Kun-Hsien Lee ,  Cheng-Tung Huang ,  Wen-Han Hung ,  Shyh-Fann Ting ,  Li-Shian Jeng ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Neng-Kuo Chen ,  Shao-Ta Hsu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

发明人： Kun-Hsien Lee ,  Cheng-Tung Huang ,  Wen-Han Hung ,  Shyh-Fann Ting ,  Li-Shian Jeng ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Neng-Kuo Chen ,  Shao-Ta Hsu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7843

摘要： A method of manufacturing a MOS transistor device. First, a semiconductor substrate having a gate structure is prepared. The gate structure has two sidewalls and a liner on the sidewalls. Subsequently, a stressed cap layer is formed on the semiconductor substrate, and covers the gate structure and the liner. Next, an activating process is performed. Furthermore, the stressed cap layer is etched to be a salicide block. Afterward, a salicide process is performed to form a silicide layer on the regions that are not covered by the stressed cap layer.

摘要翻译： 一种制造MOS晶体管器件的方法。 首先，准备具有栅极结构的半导体基板。 栅极结构在侧壁上具有两个侧壁和衬垫。 随后，在半导体衬底上形成应力覆盖层，并覆盖栅极结构和衬垫。 接下来，执行激活处理。 此外，将应力覆盖层蚀刻成为自对准硅化物块。 之后，进行自对准处理以在未被应力覆盖层覆盖的区域上形成硅化物层。