公开(公告)号：US09534315B2

公开(公告)日：2017-01-03

申请号：US13954669

申请日：2013-07-30

申请人： Shin-Estu Chemical Co., Ltd.

发明人： Hitoshi Noguchi

IPC分类号： C30B25/16 ,  C23C16/517 ,  C23C16/27 ,  C23C16/515 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18 ,  C30B29/04

CPC分类号： C30B25/16 ,  C23C16/27 ,  C23C16/272 ,  C23C16/515 ,  C23C16/517 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/183 ,  C30B29/04 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32926 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321

摘要： Diamond is grown on a substrate (S) from a mixture of a carbon-containing gas and hydrogen gas, by a DC plasma enhanced CVD process of applying a DC voltage between a stage electrode (12) for holding the substrate (S) and a voltage-applying electrode (13). During the step of growing diamond by applying a DC voltage, a single pulse voltage of opposite polarity to the DC voltage for diamond growth is applied between the stage electrode and the voltage-applying electrode at a predetermined timing. Diamond of quality is produced at a stable growth rate.

摘要翻译： 通过在用于保持基板（S）的载台电极（12）和用于保持基板（S）的直流电压之间施加DC电压的DC等离子体增强CVD工艺，在含碳气体和氢气的混合物的基板（S）上生长金刚石 施加电压（13）。 在通过施加直流电压生长金刚石的步骤中，在预定的时刻在级电极和施加电极之间施加与用于金刚石生长的直流电压相反极性的单个脉冲电压。 质量钻石以稳定的增长率生产。