公开(公告)号：US20060221511A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11387876

申请日：2006-03-24

申请人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Tetsuya Kuwashima ,  Hiroshi Kiyono ,  Katsumichi Tagami ,  Kazumasa Fukuda ,  Masahide Kohno

发明人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Tetsuya Kuwashima ,  Hiroshi Kiyono ,  Katsumichi Tagami ,  Kazumasa Fukuda ,  Masahide Kohno

IPC分类号： G11B5/33 ,  G11B5/127

CPC分类号： G11B5/455 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/303 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A TMR effect element with sufficiently reduced element resistance and restricted popping noise is provided, which comprises a tunnel barrier layer formed primarily of a metal oxide including many electric charge sites. The electric charge sites density n and the mobility μ of electrons trapped due to the electric charge sites satisfy a relationship expressed by: 0

摘要翻译： 提供具有充分降低的元件电阻和限制弹出噪声的TMR效应元件，其包括主要由包括许多电荷位点的金属氧化物形成的隧道势垒层。 电荷位置密度n和由于电荷位点而陷入的电子的迁移率μ满足由下式表示的关系：0 <（N _{s1 （mu≠0）> / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / 当元件电阻在读取信号期间分别为最小值和最大值时，隧道电子的密度分别为SUP> <0.2，其中N s1 和n2s2 < / SUB>是未被捕获的电子的迁移率。}

公开(公告)号：US07916434B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US11387876

申请日：2006-03-24

申请人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Tetsuya Kuwashima ,  Hiroshi Kiyono ,  Katsumichi Tagami ,  Kazumasa Fukuda ,  Masahide Kohno

发明人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Tetsuya Kuwashima ,  Hiroshi Kiyono ,  Katsumichi Tagami ,  Kazumasa Fukuda ,  Masahide Kohno

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： G11B5/455 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/303 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A TMR effect element with sufficiently reduced element resistance and restricted popping noise is provided, which comprises a tunnel barrier layer formed primarily of a metal oxide including many electric charge sites. The electric charge sites density n and the mobility μ of electrons trapped due to the electric charge sites satisfy a relationship expressed by: 0

摘要翻译： 提供具有充分降低的元件电阻和限制弹出噪声的TMR效应元件，其包括主要由包括许多电荷位点的金属氧化物形成的隧道势垒层。 电荷位置密度n和由于电荷位点捕获的电子的迁移率μ满足由下式表示的关系：0 <（ns1-1-ns2-1）-1·（μ0-μ）·（nμ）-1 <0.2，其中ns1和ns2是在读取信号期间元件电阻分别为最小值和最大值时隧道电子的密度，μ0是未被捕获时电子的迁移率。

公开(公告)号：US07236392B2

公开(公告)日：2007-06-26

申请号：US11101468

申请日：2005-04-08

申请人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

发明人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

IPC分类号： G11B5/455

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50008 ,  G11C2029/5006

摘要： Testing a TMR element includes a step of measuring initially a resistance value of the TMR element to provide the measured resistance value as a first resistance value, a step of measuring a resistance value of the TMR element after continuously feeding a current through the TMR element from a anti-substrate side to a substrate side for a predetermined period of time, to provide the measured resistance value as a second resistance value, and a step of evaluating the TMR element by comparing the first resistance value and the second resistance value with each other.

摘要翻译： 测试TMR元件包括首先测量TMR元件的电阻值以提供测量的电阻值作为第一电阻值的步骤，在连续馈送通过TMR元件的电流之后测量TMR元件的电阻值的步骤 将基板侧的反基板侧保持规定时间，将测定的电阻值作为第二电阻值提供，以及通过将第一电阻值与第二电阻值进行比较来对TMR元件进行比较的步骤 。

公开(公告)号：US20050237789A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：US11101468

申请日：2005-04-08

申请人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

发明人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  G11B5/455 ,  G11C11/00 ,  G11C29/50 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50008 ,  G11C2029/5006

摘要： A method for testing a TMR element includes a step of measuring initially a resistance value of the TMR element to provide the measured resistance value as a first resistance value, a step of measuring a resistance value of the TMR element after continuously feeding a current through the TMR element from a anti-substrate side to a substrate side for a predetermined period of time, to provide the measured resistance value as a second resistance value, and a step of evaluating the TMR element by comparing the first resistance value and the second resistance value with each other.

摘要翻译： 用于测试TMR元件的方法包括首先测量TMR元件的电阻值以提供测量的电阻值作为第一电阻值的步骤，在连续馈送电流通过所述TMR元件之后测量TMR元件的电阻值的步骤 TMR元件从反衬底侧到基板侧预定时间段，以将测量的电阻值提供为第二电阻值，以及通过比较第一电阻值和第二电阻值来评估TMR元件的步骤 与彼此。

公开(公告)号：US07227772B2

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US11070237

申请日：2005-03-03

申请人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

发明人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

IPC分类号： G11B5/455

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/455 ,  G11B2005/0018

摘要： Testing a TMR element includes a step of measuring initially a resistance value of the TMR element to provide the measured resistance value as a first resistance value, a step of measuring a resistance value of the TMR element after continuously feeding a current through the TMR element for a predetermined period of time, to provide the measured resistance value as a second resistance value, and a step of evaluating the TMR element depending upon a degree of change in resistance of the TMR element. The degree of change in resistance is determined based upon the first resistance value and the second resistance value.

摘要翻译： 测试TMR元件包括首先测量TMR元件的电阻值以提供测量的电阻值作为第一电阻值的步骤，在连续馈送电流通过TMR元件之后测量TMR元件的电阻值的步骤，用于 提供测量的电阻值作为第二电阻值的预定时间段，以及根据TMR元件的电阻变化程度来评估TMR元件的步骤。 基于第一电阻值和第二电阻值来确定电阻的变化程度。

公开(公告)号：US20050195648A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US11070237

申请日：2005-03-03

申请人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

发明人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/00 ,  G11B5/39 ,  G11B5/455 ,  G11C11/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/455 ,  G11B2005/0018

摘要： A method for testing a TMR element includes a step of measuring initially a resistance value of the TMR element to provide the measured resistance value as a first resistance value, a step of measuring a resistance value of the TMR element after continuously feeding a current through the TMR element for a predetermined period of time, to provide the measured resistance value as a second resistance value, and a step of evaluating the TMR element depending upon a degree of change in resistance of the TMR element. The degree of change in resistance is determined based upon the first resistance value and the second resistance value.

摘要翻译： 用于测试TMR元件的方法包括首先测量TMR元件的电阻值以提供测量的电阻值作为第一电阻值的步骤，在连续馈送电流通过所述TMR元件之后测量TMR元件的电阻值的步骤 TMR元件，以将测量的电阻值提供为第二电阻值，以及根据TMR元件的电阻变化程度来评估TMR元件的步骤。 基于第一电阻值和第二电阻值来确定电阻的变化程度。

公开(公告)号：US07102859B2

公开(公告)日：2006-09-05

申请号：US10765159

申请日：2004-01-28

申请人： Kenji Inage ,  Shunji Saruki ,  Nozomu Hachisuka

发明人： Kenji Inage ,  Shunji Saruki ,  Nozomu Hachisuka

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3903

摘要： A thin-film magnetic head includes a TMR element and a resistor element connected in parallel with the TMR element. A resistance value RTMR of the TMR element itself is RTMR≧240 Ω, a product RA of the resistance value of the TMR element itself and a cross-sectional area of the TMR element is RA≧3 Ω·μm2, and a resistance value RPARA of the resistor element is RPARA≦480Ω.

摘要翻译： 薄膜磁头包括与TMR元件并联连接的TMR元件和电阻元件。 TMR元件本身的电阻值R TMR 是TMR元件本身的电阻值的乘积RA和横截面积 的TMR元件的电阻值为RA> =3Ω·m 2，电阻元件的电阻值R PARA 为R PARA = 480Omega。

公开(公告)号：US07372282B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11276753

申请日：2006-03-13

申请人： Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono ,  Takeo Kagami ,  Kenji Inage ,  Norio Takahashi

发明人： Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono ,  Takeo Kagami ,  Kenji Inage ,  Norio Takahashi

IPC分类号： G01R27/08 ,  H01L21/66

CPC分类号： G11B5/455 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3166 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/16 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50008 ,  G11C29/56 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/302

摘要： A method for testing a TMR element includes a step of measuring a plurality of resistances of the TMR element by applying a plurality of voltages with different voltage values each other to the TMR element, respectively, a step of calculating a ratio of change in resistance from the measured plurality of resistances of the TMR element, and a step of evaluating the TMR element using the calculated ratio of change in resistance.

摘要翻译： 一种用于测试TMR元件的方法包括分别通过向TMR元件施加具有不同电压值的多个电压来测量TMR元件的多个电阻的步骤，计算电阻变化率 测量的TMR元件的多个电阻，以及使用所计算的电阻变化比来评估TMR元件的步骤。

公开(公告)号：US20060216837A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11276753

申请日：2006-03-13

申请人： Nozomu HACHISUKA ,  Hiroshi Kiyono ,  Takeo Kagami ,  Kenji Inage ,  Norio Takahashi

发明人： Nozomu HACHISUKA ,  Hiroshi Kiyono ,  Takeo Kagami ,  Kenji Inage ,  Norio Takahashi

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： G11B5/455 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3166 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/16 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50008 ,  G11C29/56 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/302

摘要： A method for testing a TMR element includes a step of measuring a plurality of resistances of the TMR element by applying a plurality of voltages with different voltage values each other to the TMR element, respectively, a step of calculating a ratio of change in resistance from the measured plurality of resistances of the TMR element, and a step of evaluating the TMR element using the calculated ratio of change in resistance.

摘要翻译： 一种用于测试TMR元件的方法包括分别通过向TMR元件施加具有不同电压值的多个电压来测量TMR元件的多个电阻的步骤，计算电阻变化率 测量的TMR元件的多个电阻，以及使用所计算的电阻变化比来评估TMR元件的步骤。

公开(公告)号：US06972933B1

公开(公告)日：2005-12-06

申请号：US09419793

申请日：1999-10-18

申请人： Takeshi Wada ,  Kenji Inage ,  Masashi Shiraishi ,  Haruyuki Morita

发明人： Takeshi Wada ,  Kenji Inage ,  Masashi Shiraishi ,  Haruyuki Morita

IPC分类号： G11B5/39 ,  G11B5/127

CPC分类号： G11B5/3967

摘要： A head suspension assembly includes a magnetic head slider with at least one thin-film magnetic head element, a support member for supporting the magnetic head slider at a top end portion thereof, a drive circuit electrically connected to the at least one thin-film magnetic head element, and at least two diode elements connected toward one direction in parallel with terminals which are connected across the at least one thin-film magnetic head element. Each of the diode elements has a turn-on voltage higher than the maximum output voltage of the at least one thin-film magnetic head element.

摘要翻译： 头悬挂组件包括具有至少一个薄膜磁头元件的磁头滑动器，用于在其顶端部分处支撑磁头滑块的支撑构件，与至少一个薄膜磁性电连接的驱动电路 头元件和至少两个二极管元件连接，所述至少两个二极管元件与连接在所述至少一个薄膜磁头元件上的端子平行地朝向一个方向连接。 每个二极管元件具有高于至少一个薄膜磁头元件的最大输出电压的导通电压。