公开(公告)号：US20120064715A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13302520

申请日：2011-11-22

申请人： Simon Su-Horng LIN ,  Chi-Ming YANG ,  Chyi Shyuan CHERN ,  Chin-Hsiang LIN

发明人： Simon Su-Horng LIN ,  Chi-Ming YANG ,  Chyi Shyuan CHERN ,  Chin-Hsiang LIN

IPC分类号： H01L21/26

CPC分类号： H01L29/78 ,  C23C14/022 ,  C23C14/046 ,  C23C14/18 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/48 ,  C23C16/484 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

摘要： A method of depositing a metal film on a substrate with patterned features includes placing a substrate with patterned features into a photo-induced chemical vapor deposition (PI-CVD) process chamber. The method also includes depositing a metal film by PI-CVD to fill the patterned features from bottom up.

摘要翻译： 在具有图案特征的基板上沉积金属膜的方法包括将具有图案化特征的基板放置在光致化学气相沉积（PI-CVD）处理室中。 该方法还包括通过PI-CVD沉积金属膜以从下向上填充图案化特征。

公开(公告)号：US20100167506A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12347483

申请日：2008-12-31

申请人： Simon Su-Horng LIN ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Simon Su-Horng LIN ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/3115 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/2236 ,  H01L29/66795

摘要： In some embodiments, a method of doping a semiconductor wafer disposed on a pedestal electrode in an inductive plasma chamber includes generating a plasma having a first voltage with respect to ground in the inductive plasma chamber, and applying a radio frequency (RF) voltage with respect to ground to the pedestal electrode in the inductive plasma chamber. The positive RF voltage is based on the first voltage of the plasma.

摘要翻译： 在一些实施例中，掺杂设置在感应等离子体室中的基座电极上的半导体晶片的方法包括在感应等离子体室中产生相对于接地的第一电压的等离子体，并且施加射频（RF）电压 接地到电感等离子体室中的基座电极。 正RF电压基于等离子体的第一电压。