公开(公告)号：US20080185537A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US12099420

申请日：2008-04-08

申请人： Steve Walther ,  Sandeep Mehta ,  Naushad Variam ,  Ukyo Jeong

发明人： Steve Walther ,  Sandeep Mehta ,  Naushad Variam ,  Ukyo Jeong

IPC分类号： H01J37/08

CPC分类号： C03C23/0055 ,  B08B7/0057 ,  B08B7/0071 ,  C03C15/00 ,  C03C23/002 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/26513

摘要： Methods and apparatus that introduce, within the ion implant chamber or an isolated chamber in communication therewith, the capability to remove contaminants and oxide surface layers on a wafer surface prior to ion implantation, are disclosed. The mechanisms for removal of contaminants include conducting: a low energy plasma etch, heating the wafer and application of ultraviolet illumination, either in combination or individually. As a result, implantation can occur immediately after the cleaning/preparation process without the contamination potential of exposure of the wafer to an external environment. The preparation allows for the removal of surface contaminants, such as water vapor, organic materials and surface oxides.

摘要翻译： 公开了在离子注入室或与之连通的隔离室内引入在离子注入之前去除晶片表面上的污染物和氧化物表面层的能力的方法和装置。 去除污染物的机理包括：组合或单独地进行低能量等离子体蚀刻，加热晶片和施加紫外线照明。 结果，可以在清洁/制备过程之后立即进行植入，而不会使晶片暴露于外部环境的污染潜力。 该制剂允许去除表面污染物，例如水蒸汽，有机材料和表面氧化物。

公开(公告)号：US20060040499A1

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：US10922710

申请日：2004-08-20

申请人： Steve Walther ,  Sandeep Mehta ,  Naushad Variam ,  Ukyo Jeong

发明人： Steve Walther ,  Sandeep Mehta ,  Naushad Variam ,  Ukyo Jeong

IPC分类号： H01L21/302 ,  C23F1/00 ,  C03C25/68

CPC分类号： C03C23/0055 ,  B08B7/0057 ,  B08B7/0071 ,  C03C15/00 ,  C03C23/002 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/26513

摘要： Methods and apparatus that introduce, within the ion implant chamber or an isolated chamber in communication therewith, the capability to remove contaminants and oxide surface layers on a wafer surface prior to ion implantation, are disclosed. The mechanisms for removal of contaminants include conducting: a low energy plasma etch, heating the wafer and application of ultraviolet illumination, either in combination or individually. As a result, implantation can occur immediately after the cleaning/preparation process without the contamination potential of exposure of the wafer to an external environment. The preparation allows for the removal of surface contaminants, such as water vapor, organic materials and surface oxides.

摘要翻译： 公开了在离子注入室或与之连通的隔离室内引入在离子注入之前去除晶片表面上的污染物和氧化物表面层的能力的方法和装置。 去除污染物的机理包括：组合或单独地进行低能量等离子体蚀刻，加热晶片和施加紫外线照明。 结果，可以在清洁/制备过程之后立即进行植入，而不会使晶片暴露于外部环境的污染潜力。 该制剂允许去除表面污染物，例如水蒸汽，有机材料和表面氧化物。

公开(公告)号：US07544959B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US12099420

申请日：2008-04-08

申请人： Steven R. Walther ,  Sandeep Mehta ,  Naushad Variam ,  Ukyo Jeong

发明人： Steven R. Walther ,  Sandeep Mehta ,  Naushad Variam ,  Ukyo Jeong

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/36 ,  H01L21/302

CPC分类号： C03C23/0055 ,  B08B7/0057 ,  B08B7/0071 ,  C03C15/00 ,  C03C23/002 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/26513

摘要： Methods and apparatus that introduce, within the ion implant chamber or an isolated chamber in communication therewith, the capability to remove contaminants and oxide surface layers on a wafer surface prior to ion implantation, are disclosed. The mechanisms for removal of contaminants include conducting: a low energy plasma etch, heating the wafer and application of ultraviolet illumination, either in combination or individually. As a result, implantation can occur immediately after the cleaning/preparation process without the contamination potential of exposure of the wafer to an external environment. The preparation allows for the removal of surface contaminants, such as water vapor, organic materials and surface oxides.

摘要翻译： 公开了在离子注入室或与之连通的隔离室内引入在离子注入之前去除晶片表面上的污染物和氧化物表面层的能力的方法和装置。 去除污染物的机理包括：组合或单独地进行低能量等离子体蚀刻，加热晶片和施加紫外线照明。 结果，可以在清洁/制备过程之后立即进行植入，而不会使晶片暴露于外部环境的污染潜力。 该制剂允许去除表面污染物，例如水蒸汽，有机材料和表面氧化物。

公开(公告)号：US20070123012A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11288828

申请日：2005-11-29

申请人： Steven Walther ,  Ukyo Jeong ,  Sandeep Mehta ,  Naushad Variam

发明人： Steven Walther ,  Ukyo Jeong ,  Sandeep Mehta ,  Naushad Variam

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L21/3003 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/28238

摘要： A method for fabricating a semiconductor-based device includes providing a substrate including a semiconductor layer, forming a gate dielectric layer on the semiconductor layer, forming a plasma including deuterium, plasma implanting deuterium from the plasma into the substrate, and annealing the substrate to promote passivation of the interface between the dielectric layer and the semiconductor layer.

摘要翻译： 一种制造基于半导体的器件的方法，包括提供包括半导体层的衬底，在半导体层上形成栅介质层，形成包括氘的等离子体，将等离子体等离子体注入氘到衬底中，以及退火衬底以促进 钝化介电层和半导体层之间的界面。

公开(公告)号：US20070069157A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11237385

申请日：2005-09-28

申请人： Sandeep Mehta ,  Steven Walther ,  Naushad Variam ,  Ukyo Jeong

发明人： Sandeep Mehta ,  Steven Walther ,  Naushad Variam ,  Ukyo Jeong

IPC分类号： H01J37/08

CPC分类号： H01J37/32045 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32596

摘要： Methods and apparatus for plasma ion implantation with improved dopant profiles are provided. A plasma ion implantation system includes a process chamber, a plasma source to generate a plasma in the process chamber, a platen to hold the substrate in the process chamber and a pulse source to generate implant pulses to accelerate ions from the plasma into the substrate. In one aspect, the pulse source generates implant pulses having pulse widths that are sufficiently long to limit plasma ion implantation during a transient period at the start of each implant pulse to a small fraction of the total implanted dose. In another aspect, ions are generated in a region of the process chamber near a reference potential, such as ground, and are accelerated from the region of plasma generation to the platen. Plasma generation may be enabled after the start of each implant pulse and may be disabled before the end of each implant pulse.

摘要翻译： 提供了具有改进的掺杂剂轮廓的等离子体离子注入的方法和装置。 等离子体离子注入系统包括处理室，用于在处理室中产生等离子体的等离子体源，用于将衬底保持在处理室中的压板和用于产生注入脉冲以将离子从等离子体加速到衬底中的脉冲源。 在一个方面，脉冲源产生具有足够长的脉冲宽度的注入脉冲，以在每个注入脉冲开始时的瞬态期间将等离子体离子注入限制到总植入剂量的一小部分。 在另一方面，在处理室的附近在诸如地面的参考电位附近产生离子，并且从等离子体产生的区域加速到压板。 在每个注入脉冲开始之后，等离子体产生可以被使能，并且可以在每个注入脉冲结束之前被禁止。

公开(公告)号：US20070048984A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11217699

申请日：2005-08-31

申请人： Steven Walther ,  Ukyo Jeong ,  Sandeep Mehta ,  Naushad Variam

发明人： Steven Walther ,  Ukyo Jeong ,  Sandeep Mehta ,  Naushad Variam

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/3215 ,  H01L22/14 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

摘要： A system, method and program product for adjusting metal work function by ion implantation is disclosed. The invention determines the work function of the metal and determines a desired work function threshold for the metal. The desired work function threshold may be a range and is usually based on the work function of the substrate. An ion implanter system is then used to implant ions to at least a portion of the metal. The ion implantation is usually a high-energy ion stream including a material that is calculated to modify the work function of the metal. The ion implanter system continues to transmit the ion stream into the metal until the work function of the metal meets the desired work function threshold.

摘要翻译： 公开了一种通过离子注入来调节金属功函数的系统，方法和程序产品。 本发明确定金属的功函数并确定金属的期望功函数阈值。 期望的功函数阈值可以是范围，并且通常基于衬底的功函数。 然后使用离子注入机系统将离子注入金属的至少一部分。 离子注入通常是高能离子流，其包括被计算以改变金属的功函数的材料。 离子注入机系统继续将离子流传输到金属中，直到金属的功函数满足期望的功函数阈值。

公开(公告)号：US20060205192A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11076695

申请日：2005-03-09

申请人： Steven Walther ,  Sandeep Mehta ,  Ukyo Jeong ,  Naushad Variam

发明人： Steven Walther ,  Sandeep Mehta ,  Ukyo Jeong ,  Naushad Variam

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/2236 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating a semiconductor-based device includes disposing a substrate in a process chamber of a process tool, plasma implanting a dopant species from a plasma into a portion of the substrate in the process chamber, and plasma depositing a diffusion barrier on the implanted portion of the substrate prior to removing the at least one substrate from the process tool. The diffusion barrier can be deposited in the same chamber as that used for dopant implantation or a different chamber of the process tool.

摘要翻译： 一种用于制造基于半导体的器件的方法包括将衬底设置在处理工具的处理室中，等离子体将掺杂物质从等离子体注入到处理室中的衬底的一部分中，以及在植入的等离子体上沉积扩散阻挡层 在从处理工具移除至少一个基板之前，将基板的一部分。 扩散阻挡层可以沉积在与用于掺杂剂注入的腔室相同的腔室中，或者可以沉积在处理工具的不同腔室中。

公开(公告)号：US07378335B2

公开(公告)日：2008-05-27

申请号：US11288828

申请日：2005-11-29

申请人： Steven R. Walther ,  Ukyo Jeong ,  Sandeep Mehta ,  Naushad K. Variam

发明人： Steven R. Walther ,  Ukyo Jeong ,  Sandeep Mehta ,  Naushad K. Variam

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/3003 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/28238

摘要： A method for fabricating a semiconductor-based device includes providing a substrate including a semiconductor layer, forming a gate dielectric layer on the semiconductor layer, forming a plasma including deuterium, plasma implanting deuterium from the plasma into the substrate, and annealing the substrate to promote passivation of the interface between the dielectric layer and the semiconductor layer.

摘要翻译： 一种制造基于半导体的器件的方法，包括提供包括半导体层的衬底，在半导体层上形成栅介质层，形成包括氘的等离子体，将等离子体等离子体注入氘到衬底中，以及退火衬底以促进 钝化介电层和半导体层之间的界面。

公开(公告)号：US07993698B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US11525878

申请日：2006-09-23

申请人： Julian Blake ,  Jonathan England ,  Scott Holden ,  Steven R. Walther ,  Reuel Liebert ,  Richard S. Muka ,  Ukyo Jeong ,  Jinning Liu ,  Kyu-Ha Shim ,  Sandeep Mehta

发明人： Julian Blake ,  Jonathan England ,  Scott Holden ,  Steven R. Walther ,  Reuel Liebert ,  Richard S. Muka ,  Ukyo Jeong ,  Jinning Liu ,  Kyu-Ha Shim ,  Sandeep Mehta

IPC分类号： C23C16/48 ,  C23C16/52 ,  C23C14/48 ,  C23C14/54 ,  C23C14/52

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J2237/2001

摘要： Techniques for temperature-controlled ion implantation are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for temperature-controlled ion implantation. The apparatus may comprise at least one thermal sensor adapted to measure a temperature of a wafer during an ion implantation process inside an end station of an ion implanter. The apparatus may also comprise a thermal conditioning unit coupled to the end station. The apparatus may further comprise a controller in communication with the thermal sensor and the thermal conditioning unit, wherein the controller compares the measured temperature to a desired wafer temperature and causes the thermal conditioning unit to adjust the temperature of the wafer based upon the comparison.

摘要翻译： 公开了用于温度控制离子注入的技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以将技术实现为用于温度控制的离子注入的装置。 该装置可以包括至少一个热传感器，适于在离子注入机的端站内的离子注入过程期间测量晶片的温度。 该装置还可以包括耦合到终端站的热调节单元。 该装置还可以包括与热传感器和热调节单元通信的控制器，其中控制器将测量的温度与期望的晶片温度进行比较，并且使得热调节单元基于比较来调节晶片的温度。

公开(公告)号：US20080076194A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11525878

申请日：2006-09-23

申请人： Julian Blake ,  Jonathan England ,  Scott Holden ,  Steven R. Walther ,  Reuel Liebert ,  Richard S. Muka ,  Ukyo Jeong ,  Jinning Liu ,  Kyu-Ha Shim ,  Sandeep Mehta

发明人： Julian Blake ,  Jonathan England ,  Scott Holden ,  Steven R. Walther ,  Reuel Liebert ,  Richard S. Muka ,  Ukyo Jeong ,  Jinning Liu ,  Kyu-Ha Shim ,  Sandeep Mehta

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J2237/2001

摘要： Techniques for temperature-controlled ion implantation are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for temperature-controlled ion implantation. The apparatus may comprise at least one thermal sensor adapted to measure a temperature of a wafer during an ion implantation process inside an end station of an ion implanter. The apparatus may also comprise a thermal conditioning unit coupled to the end station. The apparatus may further comprise a controller in communication with the thermal sensor and the thermal conditioning unit, wherein the controller compares the measured temperature to a desired wafer temperature and causes the thermal conditioning unit to adjust the temperature of the wafer based upon the comparison.

摘要翻译： 公开了用于温度控制离子注入的技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以将技术实现为用于温度控制的离子注入的装置。 该装置可以包括至少一个热传感器，适于在离子注入机的端站内的离子注入过程期间测量晶片的温度。 该装置还可以包括耦合到终端站的热调节单元。 该装置还可以包括与热传感器和热调节单元通信的控制器，其中控制器将测量的温度与期望的晶片温度进行比较，并且使得热调节单元基于比较来调节晶片的温度。