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公开(公告)号：US07700488B2
公开(公告)日：2010-04-20
申请号：US11623354
申请日：2007-01-16
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/461
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/02013
摘要： A wafer processing method. The method includes providing a semiconductor wafer. The semiconductor wafer includes (i) a semiconductor layer and (ii) a dopant layer on top of the semiconductor layer. The dopant layer comprises dopants. The method further includes removing the dopant layer from the semiconductor wafer. No chemical etching is performed on the dopant layer before said removing the dopant layer is performed.
摘要翻译： 晶圆加工方法。 该方法包括提供半导体晶片。 半导体晶片包括（i）半导体层和（ii）半导体层顶部上的掺杂剂层。 掺杂层包括掺杂剂。 该方法还包括从半导体晶片去除掺杂剂层。 在执行所述去除掺杂剂层之前，不对掺杂剂层进行化学蚀刻。
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公开(公告)号：US07732303B2
公开(公告)日：2010-06-08
申请号：US12023224
申请日：2008-01-31
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/02032
摘要： A method of recycling monitor wafers. The method includes: (a) providing a semiconductor wafer which includes a dopant layer extending from a top surface of the wafer into the wafer a distance less than a thickness of the wafer, the dopant layer containing dopant species; after (a), (b) attaching an adhesive tape to a bottom surface of the wafer; after (b), (c) removing the dopant layer; and after (c), (d) removing the adhesive tape.
摘要翻译： 监测晶圆回收方法。 该方法包括：（a）提供半导体晶片，其包括掺杂剂层，该掺杂剂层从晶片的顶表面延伸到晶片的距离小于晶片的厚度，所述掺杂剂层含有掺杂剂物质; （a）之后，（b）将粘合带附着在晶片的底面上; （b）之后，（c）去除掺杂剂层; （c）之后，（d）去除胶带。
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公开(公告)号：US20080171439A1
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：US11623354
申请日：2007-01-16
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/02013
摘要： A wafer processing method. The method includes providing a semiconductor wafer. The semiconductor wafer includes (i) a semiconductor layer and (ii) a dopant layer on top of the semiconductor layer. The dopant layer comprises dopants. The method further includes removing the dopant layer from the semiconductor wafer. No chemical etching is performed on the dopant layer before said removing the dopant layer is performed.
摘要翻译： 晶圆加工方法。 该方法包括提供半导体晶片。 半导体晶片包括（i）半导体层和（ii）半导体层顶部上的掺杂剂层。 掺杂层包括掺杂剂。 该方法还包括从半导体晶片去除掺杂剂层。 在执行所述去除掺杂剂层之前，不对掺杂剂层进行化学蚀刻。
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公开(公告)号：US20090197400A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：US12023224
申请日：2008-01-31
IPC分类号： H01L21/22
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/02032
摘要： A method of recycling monitor wafers. The method includes: (a) providing a semiconductor wafer which includes a dopant layer extending from a top surface of the wafer into the wafer a distance less than a thickness of the wafer, the dopant layer containing dopant species; after (a), (b) attaching an adhesive tape to a bottom surface of the wafer; after (b), (c) removing the dopant layer; and after (c), (d) removing the adhesive tape.
摘要翻译： 监测晶圆回收方法。 该方法包括：（a）提供半导体晶片，其包括掺杂剂层，该掺杂剂层从晶片的顶表面延伸到晶片的距离小于晶片的厚度，所述掺杂剂层含有掺杂剂物质; （a）之后，（b）将粘合带附着在晶片的底面上; （b）之后，（c）去除掺杂剂层; （c）之后，（d）去除胶带。
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公开(公告)号：US06328794B1
公开(公告)日：2001-12-11
申请号：US08944852
申请日：1997-10-06
申请人： Donald Walter Brouillette , Timothy Charles Krywanczyk , Jerome Brett Lasky , Rick Lawrence Mohler , Wolfgang Otto Rauscher
发明人： Donald Walter Brouillette , Timothy Charles Krywanczyk , Jerome Brett Lasky , Rick Lawrence Mohler , Wolfgang Otto Rauscher
IPC分类号： C30B102
CPC分类号： H01L21/02667 , B81C1/00666 , B81C2201/0167 , B81C2201/0169 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L27/1087 , H01L29/66181
摘要： A method of providing a predetermined level and state of stress in a film deposited on a surface of a substrate. In one embodiment, a layer of crystalline material is deposited on a surface of a substrate and then a layer of amorphous material is deposited on the layer of crystalline material. Then, the layers are heated, causing the amorphous material to crystallize. Such crystallization reduces, or even changes the state of, stress in the amorphous layer, which in turn alters the forces applied by the layer to adjacent regions of the substrate. The method may be used for filling a deep-trench capacitor of the type used in trench-storage DRAMs.
摘要翻译： 在沉积在基板的表面上的膜中提供预定水平和应力状态的方法。 在一个实施例中，将一层结晶材料沉积在衬底的表面上，然后将非晶材料层沉积在结晶材料层上。 然后，层被加热，导致无定形材料结晶。 这种结晶减少或者甚至改变了非晶层中的应力状态，这进一步改变了由层施加到衬底的相邻区域的力。 该方法可以用于填充在沟槽存储DRAM中使用的类型的深沟槽电容器。
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公开(公告)号：US5913125A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：US607621
申请日：1996-02-27
申请人： Donald Walter Brouillette , Timothy Charles Krywanczyk , Jerome Brett Lasky , Rick Lawrence Mohler , Wolfgang Otto Rauscher
发明人： Donald Walter Brouillette , Timothy Charles Krywanczyk , Jerome Brett Lasky , Rick Lawrence Mohler , Wolfgang Otto Rauscher
IPC分类号： H01L27/04 , B81B3/00 , B81C1/00 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/334 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L27/10 , H01L27/108
CPC分类号： B81C1/00666 , H01L21/2022 , H01L27/1087 , H01L29/66181 , B81C2201/0167
摘要： A method of providing a predetermined level and state of stress in a film deposited on a surface of a substrate. In one embodiment, a layer of crystalline material is deposited on a surface of a substrate and then a layer of amorphous material is deposited on the layer of crystalline material. Then, the layers are heated, causing the amorphous material to crystallize. Such crystallization reduces, or even changes the state of, stress in the amorphous layer, which in turn alters the forces applied by the layer to adjacent regions of the substrate. The method may be used for filling a deep-trench capacitor of the type used in trench-storage DRAMs.
摘要翻译： 在沉积在基板的表面上的膜中提供预定水平和应力状态的方法。 在一个实施例中，将一层结晶材料沉积在衬底的表面上，然后将非晶材料层沉积在结晶材料层上。 然后，层被加热，导致无定形材料结晶。 这种结晶减少或者甚至改变了非晶层中的应力状态，这进一步改变了由层施加到衬底的相邻区域的力。 该方法可以用于填充在沟槽存储DRAM中使用的类型的深沟槽电容器。
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公开(公告)号：US5842910A
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：US812884
申请日：1997-03-10
IPC分类号： B24B37/26 , B24D13/14 , H01L21/304 , B24B1/00
CPC分类号： B24B37/26
摘要： A method and apparatus for polishing a semiconductor wafer using a polishing pad. The polishing pad contains circumferential grooves which are located off center from the geometric center of the polishing pad.
摘要翻译： 一种使用抛光垫对半导体晶片进行抛光的方法和装置。 抛光垫包含位于抛光垫的几何中心偏离中心的圆周凹槽。
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