公开(公告)号：US08053315B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12589045

申请日：2009-10-16

申请人： Sung-Shan Tai ,  Yong-Zhong Hu ,  François Hébert ,  Hong Chang ,  Mengyu Pan ,  Yingying Lou ,  Yu Wang

发明人： Sung-Shan Tai ,  Yong-Zhong Hu ,  François Hébert ,  Hong Chang ,  Mengyu Pan ,  Yingying Lou ,  Yu Wang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734

摘要： This invention discloses a method of manufacturing a trenched semiconductor power device with split gate filling a trench opened in a semiconductor substrate wherein the split gate is separated by an inter-poly insulation layer disposed between a top and a bottom gate segments. The method further includes a step of forming the inter-poly layer by applying a RTP process after a HDP oxide deposition process to bring an etch rate of the HDP oxide layer close to an etch rate of a thermal oxide.

摘要翻译： 本发明公开了一种制造沟槽半导体功率器件的方法，该半导体功率器件具有填充在半导体衬底中开口的沟槽的分离栅极，其中，分离栅极由设置在顶部栅极段和底部栅极段之间的多晶硅绝缘层分开。 该方法还包括通过在HDP氧化物沉积工艺之后施加RTP工艺以形成HDP氧化物层的蚀刻速率接近热氧化物的蚀刻速率来形成多晶硅层之间的步骤。

公开(公告)号：US20100099230A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12589045

申请日：2009-10-16

申请人： Sung-Shan Tai ,  Yong-Zhong Hu ,  François Hébert ,  Hong Chang ,  Mengyu Pan ,  Yingying Lou ,  Yu Wang

发明人： Sung-Shan Tai ,  Yong-Zhong Hu ,  François Hébert ,  Hong Chang ,  Mengyu Pan ,  Yingying Lou ,  Yu Wang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734

摘要： This invention discloses a method of manufacturing a trenched semiconductor power device with split gate filling a trench opened in a semiconductor substrate wherein the split gate is separated by an inter-poly insulation layer disposed between a top and a bottom gate segments. The method further includes a step of forming the inter-poly layer by applying a RTP process after a HDP oxide deposition process to bring an etch rate of the HDP oxide layer close to an etch rate of a thermal oxide.

摘要翻译： 本发明公开了一种制造沟槽半导体功率器件的方法，该半导体功率器件具有填充在半导体衬底中开口的沟槽的分离栅极，其中，分离栅极由设置在顶部栅极段和底部栅极段之间的多晶硅绝缘层分开。 该方法还包括通过在HDP氧化物沉积工艺之后施加RTP工艺以形成HDP氧化物层的蚀刻速率接近热氧化物的蚀刻速率来形成多晶硅层之间的步骤。

公开(公告)号：US20080150013A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11644344

申请日：2006-12-22

申请人： Sung-Shan Tai ,  Yong-Zhong Hu ,  Francois Hebert ,  Hong Chang ,  Mengyu Pan ,  Yingying Lou ,  Yu Wang

发明人： Sung-Shan Tai ,  Yong-Zhong Hu ,  Francois Hebert ,  Hong Chang ,  Mengyu Pan ,  Yingying Lou ,  Yu Wang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734

摘要： This invention discloses method of for manufacturing a trenched semiconductor power device with split gate filling a trench opened in a semiconductor substrate wherein the split gate is separated by an inter-poly insulation layer disposed between a top and a bottom gate segments. The method further includes a step of forming the inter-poly layer by applying a RTP process after a HDP oxide deposition process to bring an etch rate of the HDP oxide layer close to an etch rate of a thermal oxide.

摘要翻译： 本发明公开了一种制造半导体功率器件的方法，该沟槽半导体功率器件具有填充在半导体衬底中开口的沟槽的分离栅极，其中，分离栅极由设置在顶部和底部栅极段之间的多晶硅绝缘层分开。 该方法还包括通过在HDP氧化物沉积工艺之后施加RTP工艺以形成HDP氧化物层的蚀刻速率接近热氧化物的蚀刻速率来形成多晶硅层之间的步骤。

公开(公告)号：US08193061B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US13066583

申请日：2011-04-18

申请人： Yu Wang ,  Tiesheng Li ,  Sung-Shan Tai ,  Hong Chang

发明人： Yu Wang ,  Tiesheng Li ,  Sung-Shan Tai ,  Hong Chang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L22/12 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： This invention discloses a semiconductor wafer for manufacturing electronic circuit thereon. The semiconductor substrate further includes an etch-back indicator that includes trenches of different sizes having polysilicon filled in the trenches and then completely removed from some of the trenches of greater planar trench dimensions and the polysilicon still remaining in a bottom portion in some of the trenches having smaller planar trench dimensions.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于在其上制造电子电路的半导体晶片。 半导体衬底还包括回蚀指示器，其包括不同尺寸的沟槽，其具有填充在沟槽中的多晶硅，然后从更大的平面沟槽尺寸的一些沟槽中完全去除，并且多晶硅仍保留在一些沟槽中的底部 具有较小的平面沟槽尺寸。

公开(公告)号：US07632733B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US11413248

申请日：2006-04-29

申请人： Yu Wang ,  Tiesheng Li ,  Sung-Shan Tai ,  Hong Chang

发明人： Yu Wang ,  Tiesheng Li ,  Sung-Shan Tai ,  Hong Chang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L22/12 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： This invention discloses a semiconductor wafer for manufacturing electronic circuit thereon. The semiconductor substrate further includes an etch-back indicator that includes trenches of different sizes having polysilicon filled in the trenches and then completely removed from some of the trenches of greater planar trench dimensions and the polysilicon still remaining in a bottom portion in some of the trenches having smaller planar trench dimensions.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于在其上制造电子电路的半导体晶片。 半导体衬底还包括回蚀指示器，其包括不同尺寸的沟槽，其具有填充在沟槽中的多晶硅，然后从更大的平面沟槽尺寸的一些沟槽中完全去除，并且多晶硅仍保留在一些沟槽中的底部 具有较小的平面沟槽尺寸。

公开(公告)号：US20070252197A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11413248

申请日：2006-04-29

申请人： Yu Wang ,  Tiesheng Li ,  Sung-Shan Tai ,  Hong Chang

发明人： Yu Wang ,  Tiesheng Li ,  Sung-Shan Tai ,  Hong Chang

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L22/12 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： This invention discloses a semiconductor wafer for manufacturing electronic circuit thereon. The semiconductor substrate further includes an etch-back indicator that includes trenches of different sizes having polysilicon filled in the trenches and then completely removed from some of the trenches of greater planar trench dimensions and the polysilicon still remaining in a bottom portion in some of the trenches having smaller planar trench dimensions.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于在其上制造电子电路的半导体晶片。 半导体衬底还包括回蚀指示器，其包括不同尺寸的沟槽，其具有填充在沟槽中的多晶硅，然后从更大的平面沟槽尺寸的一些沟槽中完全去除，并且多晶硅仍保留在一些沟槽中的底部 具有较小的平面沟槽尺寸。

公开(公告)号：US08471368B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US13431551

申请日：2012-03-27

申请人： Yu Wang ,  Tiesheng Li ,  Sung-Shan Tai ,  Hong Chang

发明人： Yu Wang ,  Tiesheng Li ,  Sung-Shan Tai ,  Hong Chang

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L22/12 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： This invention discloses a semiconductor wafer for manufacturing electronic circuit thereon. The semiconductor substrate further includes an etch-back indicator that includes trenches of different sizes having polysilicon filled in the trenches and then completely removed from some of the trenches of greater planar trench dimensions and the polysilicon still remaining in a bottom portion in some of the trenches having smaller planar trench dimensions.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于在其上制造电子电路的半导体晶片。 半导体衬底还包括回蚀指示器，其包括不同尺寸的沟槽，其具有填充在沟槽中的多晶硅，然后从更大的平面沟槽尺寸的一些沟槽中完全去除，并且多晶硅仍保留在一些沟槽中的底部 具有较小的平面沟槽尺寸。

公开(公告)号：US20090148995A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12378040

申请日：2009-02-09

申请人： Hong Chang ,  Sung-Shan Tai ,  Tiesheng Li ,  Yu Wang

发明人： Hong Chang ,  Sung-Shan Tai ,  Tiesheng Li ,  Yu Wang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7834

摘要： This invention discloses an improved method for manufacturing a trenched metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) device. The method includes a step of opening a trench in substrate and covering trench walls of the trench with a linen layer followed by removing a portion of the linen layer from a bottom portion of the trench. The method further includes a step of opening a round hole by applying an isotropic substrate etch on the bottom portion of the trench with the round hole extending laterally from the trench walls. The method further includes a step of filling the trench and the round hole at the bottom of the trench with a gate material followed by applying a time etch to removed the gate material from a top portion of the trench whereby the gate material only filling the round hole up to a lateral expansion point of the round hole.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于制造沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的改进方法。 该方法包括在衬底中打开沟槽并且用亚麻层覆盖沟槽的沟槽壁，然后从沟槽的底部去除一部分亚麻层的步骤。 该方法还包括通过在沟槽的底部施加各向同性的基底蚀刻来打开圆孔的步骤，其中圆形孔从沟槽壁横向延伸。 该方法还包括用栅极材料填充沟槽底部的沟槽和圆孔，然后施加时间蚀刻以从沟槽的顶部去除栅极材料的步骤，由此栅极材料仅填充圆形 孔直到圆孔的侧向膨胀点。

公开(公告)号：US20120193631A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13431551

申请日：2012-03-27

申请人： Yu Wang ,  Tiesheng Li ,  Sung-Shan Tai ,  Hong Chang

发明人： Yu Wang ,  Tiesheng Li ,  Sung-Shan Tai ,  Hong Chang

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L22/12 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： This invention discloses a semiconductor wafer for manufacturing electronic circuit thereon. The semiconductor substrate further includes an etch-back indicator that includes trenches of different sizes having polysilicon filled in the trenches and then completely removed from some of the trenches of greater planar trench dimensions and the polysilicon still remaining in a bottom portion in some of the trenches having smaller planar trench dimensions.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于在其上制造电子电路的半导体晶片。 半导体衬底还包括回蚀指示器，其包括不同尺寸的沟槽，其具有填充在沟槽中的多晶硅，然后从更大的平面沟槽尺寸的一些沟槽中完全去除，并且多晶硅仍保留在一些沟槽中的底部 具有较小的平面沟槽尺寸。

公开(公告)号：US07928507B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12653130

申请日：2009-12-09

申请人： Yu Wang ,  Tiesheng Li ,  Sung-Shan Tai ,  Hong Chang

发明人： Yu Wang ,  Tiesheng Li ,  Sung-Shan Tai ,  Hong Chang

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L22/12 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： This invention discloses a semiconductor wafer for manufacturing electronic circuit thereon. The semiconductor substrate further includes an etch-back indicator that includes trenches of different sizes having polysilicon filled in the trenches and then completely removed from some of the trenches of greater planar trench dimensions and the polysilicon still remaining in a bottom portion in some of the trenches having smaller planar trench dimensions.