公开(公告)号：US20100155684A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12479640

申请日：2009-06-05

申请人： Sung-Yool CHOI ,  Hu-Young Jeong ,  In-Kyu You ,  Kyoung-Ik Cho

发明人： Sung-Yool CHOI ,  Hu-Young Jeong ,  In-Kyu You ,  Kyoung-Ik Cho

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/20 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L45/10 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/165

摘要： Provided are a non-volatile memory device and a method of forming the non-volatile memory device. The non-volatile memory device includes a substrate, a lower electrode on the substrate, a diffusion barrier preventing the diffusion of a space charge on the lower electrode, a charge storage layer having a space charge limited characteristic on the diffusion barrier, and an upper electrode on the charge storage layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件和形成非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件包括衬底，衬底上的下电极，阻止下电极上的空间电荷的扩散的扩散阻挡层，在扩散阻挡层上具有空间电荷限制特性的电荷存储层，以及上部 电极在电荷存储层上。

公开(公告)号：US20110133152A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12835265

申请日：2010-07-13

申请人： Sung-Yool CHOI

发明人： Sung-Yool CHOI

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/10 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1608

摘要： A resistive memory device is provided. The resistive memory device includes a bottom electrode, a resistance-variable layer, and a top electrode. The resistance-variable layer is disposed on the bottom electrode. The top electrode is disposed on the resistance-variable layer. The resistance-variable layer includes a conductive polymer layer that reacts with the top electrode to form an oxide layer.

摘要翻译： 提供了一种电阻式存储器件。 电阻式存储器件包括底部电极，电阻变化层和顶部电极。 电阻变化层设置在底部电极上。 顶部电极设置在电阻变化层上。 电阻变化层包括与顶部电极反应形成氧化物层的导电聚合物层。

公开(公告)号：US20110212612A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US13101556

申请日：2011-05-05

申请人： Sung-Yool CHOI ,  Min Ki RYU ,  Ansoon KIM ,  Chil Seong AH ,  Han Young YU

发明人： Sung-Yool CHOI ,  Min Ki RYU ,  Ansoon KIM ,  Chil Seong AH ,  Han Young YU

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01G7/06 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L29/40111 ,  H01L29/40117

摘要： A memory device including a dielectric thin film having a plurality of dielectric layers and a method of manufacturing the same are provided. The memory device includes: a bottom electrode; at least one dielectric thin film disposed on the bottom electrode and having a plurality of dielectric layers with different charge trap densities from each other; and an top electrode disposed on the dielectric thin film. Therefore, a memory device, which can be readily manufactured by a simple process and can be highly integrated using its simple structure, can be provided.

摘要翻译： 提供了包括具有多个电介质层的电介质薄膜及其制造方法的存储器件。 存储器件包括：底部电极; 至少一个电介质薄膜，其设置在所述底部电极上并且具有彼此具有不同电荷陷阱密度的多个电介质层; 以及设置在电介质薄膜上的顶部电极。 因此，可以提供可以容易地通过简单的过程制造并且可以使用其简单的结构高度集成的存储器件。

公开(公告)号：US20110133148A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12773228

申请日：2010-05-04

申请人： Sung-Yool CHOI

发明人： Sung-Yool CHOI

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

摘要： Provided are resistive memory devices and methods of fabricating the same. The resistive memory devices and the methods are advantageous for high integration because they can provide a multilayer memory cell structure. Also, the parallel conductive lines of adjacent layers do not overlap each other in the vertical direction, thus reducing errors in program/erase operations.

摘要翻译： 提供了电阻式存储器件及其制造方法。 电阻存储器件和方法对于高集成是有利的，因为它们可以提供多层存储器单元结构。 此外，相邻层的平行导线在垂直方向上彼此不重叠，从而减少了编程/擦除操作中的错误。

公开(公告)号：US20130002520A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13431142

申请日：2012-03-27

申请人： Choon Gi CHOI ,  Muhan CHOI ,  Sung-Yool CHOI

发明人： Choon Gi CHOI ,  Muhan CHOI ,  Sung-Yool CHOI

IPC分类号： H01Q15/02 ,  B29C41/22

CPC分类号： H01Q15/0086 ,  Y10S977/734

摘要： Provided are an active metamaterial device operating at a high speed and a manufacturing method thereof. The active metamaterial device includes a first dielectric layer, a lower electrode disposed on the first dielectric layer, a second dielectric layer disposed on the lower electrode, metamaterial patterns disposed on the second dielectric layer, a couple layer disposed on the metamaterial patterns and the second dielectric layer, a third dielectric layer disposed on the couple layer, and an upper electrode disposed on the third dielectric layer.

摘要翻译： 提供了以高速运转的活性超材料装置及其制造方法。 活性超材料装置包括第一电介质层，设置在第一电介质层上的下电极，设置在下电极上的第二电介质层，设置在第二电介质层上的超材料图案，设置在超材料图案上的耦合层，第二介电层 电介质层，设置在所述耦合层上的第三电介质层，以及设置在所述第三电介质层上的上电极。