公开(公告)号：US20070207318A1

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：US11632688

申请日：2005-07-20

申请人： Sungho Jin ,  Li-Han Chen ,  Joseph AuBuchon

发明人： Sungho Jin ,  Li-Han Chen ,  Joseph AuBuchon

IPC分类号： H05H1/24 ,  B32B9/00

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00103 ,  B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  Y10T428/30

摘要： Elongated nanostructures and a method of fabricating elongated nanostructures with one or more sharp A bends using a plasma enhanced chemical vapor deposition process comprising placing an anode above the nanostructure and a cathode below the nanostructure, applying a voltage between the anode and cathode to create electric field lines, and changing the direction of the electric field lines during the fabrication of the nanostructure. Device applications using such structures are also disclosed.

摘要翻译： 伸长的纳米结构和使用等离子体增强化学气相沉积工艺制造具有一个或多个尖锐A弯曲的细长纳米结构的方法，包括将纳米结构上方的阳极和纳米结构下方的阴极放置在阳极和阴极之间施加电压以产生电场 线，并且在纳米结构的制造期间改变电场线的方向。 还公开了使用这种结构的装置应用。

公开(公告)号：US20140342555A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：US13897327

申请日：2013-05-17

申请人： Hyman Lam ,  Nicholas R. Denny ,  Joseph AuBuchon ,  Mei Chang

发明人： Hyman Lam ,  Nicholas R. Denny ,  Joseph AuBuchon ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/48

CPC分类号： H01L21/32051 ,  C23C16/482 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76862

摘要： Described are apparatus and methods for processing semiconductor wafers so that a film can be deposited on the wafer and the film can be UV treated without the need to move the wafer to a separate location for treatment. The apparatus and methods include a window which is isolated from the reactive gases by a flow of an inert gas.

摘要翻译： 描述了用于处理半导体晶片的装置和方法，使得膜可以沉积在晶片上，并且膜可以被UV处理，而不需要将晶片移动到单独的处理位置。 该装置和方法包括通过惰性气体流与活性气体隔离的窗口。