公开(公告)号：US20160230275A1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：US15099687

申请日：2016-04-15

申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： Chung-Liang CHENG ,  Chien-Hao TSENG ,  Yen-Yu CHEN ,  Ching-Chia WU ,  Chang-Sheng LEE ,  Wei ZHANG

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/517

摘要： A method for fabricating a semiconductor structure and a solid precursor delivery system for a semiconductor fabrication is provided, the method including: providing a solid precursor having a first average particle size; solving the solid precursor in an organic solvent into an intermediate; recrystallizing the intermediate to form solid granules, wherein the solid granules has a second average particle size larger than the first average particle size; vaporizing the solid granules to form a film-forming gas; and depositing the film-forming gas on a substrate to form a resistance film.

摘要翻译： 提供一种制造用于半导体制造的半导体结构和固体前体输送系统的方法，所述方法包括：提供具有第一平均粒度的固体前体; 将有机溶剂中的固体前体溶解成中间体; 使中间体重结晶形成固体颗粒，其中固体颗粒具有大于第一平均粒度的第二平均粒径; 蒸发固体颗粒以形成成膜气体; 并将成膜气体沉积在基板上以形成电阻膜。

公开(公告)号：US20160362782A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：US14739355

申请日：2015-06-15

申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： Chung-Liang CHENG ,  Wei ZHANG ,  Ching-Chia WU ,  Wei-Jen CHEN ,  Yen-Yu CHEN

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505

CPC分类号： C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096

摘要： A gas dispenser utilized in a deposition apparatus is provided. The gas dispenser includes a showerhead comprising a plurality of holes, and a mask layer formed on a surface of the showerhead, wherein the holes penetrate through the mask layer. A deposition apparatus using the gas dispenser is also disclosed.

摘要翻译： 提供了用于沉积设备中的气体分配器。 气体分配器包括一个包括多个孔的喷头和形成在喷头表面上的掩模层，其中孔穿透掩模层。 还公开了一种使用气体分配器的沉积设备。

公开(公告)号：US20150147892A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：US14092362

申请日：2013-11-27

申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： Chung-Liang CHENG ,  Chien-Hao TSENG ,  Yen-Yu CHEN ,  Ching-Chia WU ,  Chang-Sheng LEE ,  Wei ZHANG

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  H01L21/28

CPC分类号： C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/517

摘要： A method for fabricating a semiconductor structure is provided, including: providing a solid precursor having a first average particle size; solving the solid precursor in an organic solvent into an intermediate; recrystallizing the intermediate to form solid granules, wherein the solid granules has a second average particle size larger than the first average particle size; vaporizing the solid granules to form a film-forming gas; and depositing the film-forming gas on a substrate to form a resistance film. A method for modifying a resistance film source in a semiconductor fabrication and a solid precursor delivery system are also provided. The method for fabricating a semiconductor structure in the present disclosure can remove small particles or ultra-small particles from solid precursor, and does not need extra time to dump cracked solid precursor.

摘要翻译： 提供一种制造半导体结构的方法，包括：提供具有第一平均粒度的固体前体; 将有机溶剂中的固体前体溶解成中间体; 使中间体重结晶形成固体颗粒，其中固体颗粒具有大于第一平均粒度的第二平均粒径; 蒸发固体颗粒以形成成膜气体; 并将成膜气体沉积在基板上以形成电阻膜。 还提供了一种用于修改半导体制造中的电阻膜源和固体前体输送系统的方法。 在本发明中制造半导体结构的方法可以从固体前驱物除去小颗粒或超小颗粒，并且不需要额外的时间来倾倒破裂的固体前体。