公开(公告)号：US09245970B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US14641698

申请日：2015-03-09

申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.

发明人： Liang-Gi Yao ,  Chun-Hu Cheng ,  Chen-Yi Lee ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/283 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor structure includes a semiconductor substrate. The semiconductor structure further includes an interfacial layer over the semiconductor substrate, the interfacial layer having a capacitive effective thickness of less than 1.37 nanometers (nm). The semiconductor structure further includes a high-k dielectric layer over the interfacial layer.

摘要翻译： 半导体结构包括半导体衬底。 半导体结构还包括半导体衬底上的界面层，界面层具有小于1.37纳米（nm）的电容有效厚度。 半导体结构还包括界面层上的高k电介质层。

公开(公告)号：US09006056B2

公开(公告)日：2015-04-14

申请号：US13904586

申请日：2013-05-29

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Liang-Gi Yao ,  Chun-Hu Cheng ,  Chen-Yi Lee ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/283 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： A method of performing an ultraviolet (UV) curing process on an interfacial layer over a semiconductor substrate, the method includes supplying a gas flow rate ranging from 10 standard cubic centimeters per minute (sccm) to 5 standard liters per minute (slm), wherein the gas comprises inert gas. The method further includes heating the interfacial layer at a temperature less than or equal to 700° C. Another method of performing an annealing process on an interfacial layer over a semiconductor substrate, the second method includes supplying a gas flow rate ranging from 10 sccm to 5 slm, wherein the gas comprises inert gas. The method further includes heating the interfacial layer at a temperature less than or equal to 600° C.

摘要翻译： 一种在半导体衬底上的界面层上进行紫外线（UV）固化过程的方法，该方法包括将每分钟10标准立方厘米（sccm）的气体流速提供到5标准升/分钟（slm），其中 气体包括惰性气体。 该方法还包括在小于或等于700℃的温度下加热界面层。在半导体衬底上的界面层上进行退火处理的另一种方法，第二种方法包括将10sccm的气体流速提供给 5slm，其中气体包括惰性气体。 该方法还包括在小于或等于600℃的温度下加热界面层。